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低压VDMOSFET'Ron的最佳比例设计研究 被引量：13
1
作者 石广源 孙正地 +2 位作者 高嵩 王中文 张颖 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2002年第12期56-58,36,共4页
文章以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系。重点讨论了N沟道VDMOSFET的P?体扩散区结深Xjp?和栅氧化物厚度Tox对器件特征导通电阻RonA的影响。首次给出了多晶硅窗口区尺寸PW和多晶区尺寸PT的最... 文章以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系。重点讨论了N沟道VDMOSFET的P?体扩散区结深Xjp?和栅氧化物厚度Tox对器件特征导通电阻RonA的影响。首次给出了多晶硅窗口区尺寸PW和多晶区尺寸PT的最佳化设计比例PW/PT与Xjp?和Tox的关系。最后阐述了器件的最佳化设计思想。 展开更多
关键词 低压VDOSFET'Ron 最佳比例 设计 特征导通电阻 氧化层厚度 电子迁移
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低压VDMOSFET导通电阻的优化设计 被引量：5
2
作者 赵野 张颖 +1 位作者 高嵩 石广元 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第3期247-252,共6页
对低压VDMOSFET导通电阻Ron的各个构成部分进行了理论分析 ,较为详细地讨论了窗口区和多晶硅栅区的尺寸和比例对器件的导通电阻的影响 .通过这些分析和计算 ,得出了VDMOSFET单元设计的最佳原则 ,并给出了低压条件下最佳单元尺寸 .
关键词 单胞尺寸 特征电阻 vdmosfet 优化设计 集成电路 导通电阻
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VDMOSFET的终端优化设计 被引量：1
3
作者 孙嘉兴 杨颖 林爽 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第3期228-231,共4页
主要介绍了VDMOSFET的终端优化设计,讨论了已有终端结构中的场环、场板技术,工作原理.以一种新型的高频VDMOSFET与模拟栅相结合的结构为例,详细讨论了场板在减少反馈电容、提高器件的击穿电压、降低导通电组、改善跨导、提高输出电阻、... 主要介绍了VDMOSFET的终端优化设计,讨论了已有终端结构中的场环、场板技术,工作原理.以一种新型的高频VDMOSFET与模拟栅相结合的结构为例,详细讨论了场板在减少反馈电容、提高器件的击穿电压、降低导通电组、改善跨导、提高输出电阻、改进安全工作区方面的理论机制及作用. 展开更多
关键词 vdmosfet 结终端 击穿电压
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400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管 被引量：5
4
作者 刘英坤 王占利 +5 位作者 何玉樟 郎秀兰 张大立 夏雷 吴坚 周晓黎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期26-28,共3页
采用 Mo栅工艺技术降低栅串联电阻 ,通过优化工艺参数 ,全离子注入工艺 ,研制出了在 40 0 MHz下共源推挽结构连续波输出 30 0 W的高性能 VDMOSFET,其漏极效率大于 5 0 % ,增益大于 9d B。
关键词 Mo栅工艺 vdmosfet 场效应晶体管
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关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究 被引量：7
5
作者 张丽 庄奕琪 +1 位作者 李小明 姜法明 《电子器件》 EI CAS 2005年第1期105-109,共5页
在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数... 在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数及最优准则: 基于寄生晶体管基区结深和浓度优化的方法。同时用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数对功率晶体管VDNMOS二次击穿的影响,给出了仿真结果。 展开更多
关键词 二次击穿 双极晶体管 功率晶体管VDMOS 寄生晶体管 MEDICI
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典型VDMOSFET单粒子效应及电离总剂量效应研究 被引量：4
6
作者 楼建设 蔡楠 +2 位作者 王佳 刘伟鑫 吾勤之 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期428-433,共6页
利用252Cf源和60Coγ射线源对典型VDMOSFET进行单粒子效应和电离总剂量效应模拟试验,给出典型VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)效应测量结果以及不同偏置条件下漏源击穿电压随辐照剂量的变化情况。结果表明,VDMOSFET对SEB和... 利用252Cf源和60Coγ射线源对典型VDMOSFET进行单粒子效应和电离总剂量效应模拟试验,给出典型VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)效应测量结果以及不同偏置条件下漏源击穿电压随辐照剂量的变化情况。结果表明,VDMOSFET对SEB和SEGR效应以及VDMOSFET漏源击穿电压对电离总剂量效应比较敏感,空间应用时需重点考虑VDMOSFET的抗SEB和SEGR能力;考核VDMOSFET的抗电离总剂量效应能力时对阈值电压和击穿电压等敏感参数应重点关注。 展开更多
关键词 vdmosfet 单粒子烧毁 单粒子栅穿 电离总剂量效应
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VDMOSFET导通电阻的最佳化设计 被引量：3
7
作者 高雅君 《飞机设计》 2002年第2期48-51,共4页
分析了VDMOSFET导通电阻模型 ,提出了单胞尺寸是影响导通电阻的最重要因素。单胞尺寸的最佳化选择可使器件的特征导通电阻RonA(单位面积导通电阻 )最小 ,并通过大量理论计算给出击穿电压为5 0V时的最佳单胞尺寸。
关键词 导通电阻 设计 vdmosfet 特征电阻 单胞尺寸
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低压VDMOSFET元胞尺寸设计 被引量：4
8
作者 屈坤 淮永进 刘建朝 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第12期77-79,84,共4页
VDMOSFET的一个重要设计目标就是要在单位面积得到最小的导通电阻。理论分析了多晶硅栅长度LP和窗口扩散区长度LW对VDMOSFET特征电阻的影响,并通过大量计算得到了最小特征电阻时窗口扩散区长度LW的取值方法和多晶硅栅长度LP的取值范围。
关键词 vdmosfet 特征电阻 窗口扩散区长度LW 多晶硅栅长度LP
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VDMOSFET特征导通电阻实用物理模型 被引量：3
9
作者 季春霖 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第4期375-378,共4页
较系统地分析了正方形单胞结构VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数间的关系.详细地介绍了一种新型实用的VDMOSFET的特征导通电阻的物理解析模型,并对模型给出的理论值与实验结果进行了比较,二者吻合得很好.
关键词 vdmosfet 特征导通电阻 实用物理模型
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VDMOSFET的最佳化设计研究(500V) 被引量：3
10
作者 张雯 阎冬梅 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第1期34-37,共4页
以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P^-体扩散区结深X_(jp)-和栅氧化物厚度T_(ox)对器件特征导通电阻R_(onA)的影响.首次给出了多晶硅窗口区尺寸P_w和多晶区尺寸P_... 以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P^-体扩散区结深X_(jp)-和栅氧化物厚度T_(ox)对器件特征导通电阻R_(onA)的影响.首次给出了多晶硅窗口区尺寸P_w和多晶区尺寸P_T的最佳化设计比例P_w/P_T与x_(jp)-和T_(ox)的关系.最后阐述了器件的最佳化设计思想. 展开更多
关键词 vdmosfet 最佳化设计 特征导通电阻 多晶区尺寸 窗口区尺寸
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双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流-电压特性的影响 被引量：2
11
作者 高嵩 石广元 +1 位作者 张颖 赵野 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第4期336-339,348,共5页
通过对VDMOS结构器件测量的I—V特性和模拟结果的分析 ,发现在此结构中 ,寄生的双极管对器件性能具有不良影响 .可以来用一种新型的具有浅扩散p+区的自对准VDMOS结构 ,以完全消除寄生的BJT导通机制 。
关键词 功率纵向双扩散MOSFET 双极晶体管 电流-电压特性 半导体器件 VDMOS结构 导通状态 vdmosfet
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30伏P沟VDMOS场效应管的设计 被引量：3
12
作者 王中文 胡雨 石广源 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2007年第3期214-217,共4页
对于IRF7705型30伏P沟VDMOSFET进行了结构优化设计.给出了该器件的纵向结构和横向结构参数及材料的物理参数.较系统地分析了VDMOSFET的几个重要参数,重点讨论了P沟VDMOSFET的外延层电阻率、外延层厚度、N体区扩散浓度以及各个参数之间... 对于IRF7705型30伏P沟VDMOSFET进行了结构优化设计.给出了该器件的纵向结构和横向结构参数及材料的物理参数.较系统地分析了VDMOSFET的几个重要参数,重点讨论了P沟VDMOSFET的外延层电阻率、外延层厚度、N体区扩散浓度以及各个参数之间的关系,对该类器件的实际生产有一定的指导作用. 展开更多
关键词 vdmosfet 参数设计 P沟.
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VDMOSFET特征导通电阻的数学模型
13
作者 高嵩 石广源 王中文 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2004年第7期157-159,共3页
对六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻建立了一种新的数学模型—等效截面模型。给出了特征导通电阻与器件的横向、纵向结构参数的关系,并将计算结果与常规模型和实际测量值进行了比较,与实验结果符合得很好。
关键词 vdmosfet 特征导通电阻 数学模型
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VDMOSFET结构设计 被引量：2
14
作者 刘刚 刘三清 +1 位作者 秦祖新 应建华 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1991年第5期115-120,共6页
本文论述了具有垂直沟道、多单元结构的高电压、大电流功率MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的设计理论及方法.并从四个方面阐述了其结构特点,提供了具体设计参数及部分二维数值分析结果.
关键词 vdmosfet 半导体器件 结构设计
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高频大功率VDMOS场效应晶体管 被引量：1
15
作者 郎秀兰 刘英坤 王占利 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期34-36,共3页
采用Ｍｏ栅工艺技术和ｎ沟道增强型ＶＤＭＯＳ结构，研制出了在９５－１０５ＭＨｚ，脉宽Ｐｗ＝５０ｕｓ，占空．比ＤＦ＝５％的条件下，输出功率Ｐｏ≥６００Ｗ，共源结构输出功率达６００ Ｗ的高性能ＶＤＭＯＳＦＥＴ。
关键词 场效应晶体管 高频 高功率 vdmosfet
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VDMOSFET的最佳设计 被引量：2
16
作者 王中文 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第1期27-30,共4页
以正方形单胞为例,较系统的分析了VDMOSFET的物理机制及其工作原理,并通过大量计算找出多晶硅窗口区尺寸Lw和多晶硅尺寸Lp的最佳设计比例,阐述了器件的最佳化设计思想.
关键词 vdmosfet 设计 正方形单胞 特征导通电阻 单胞尺寸 功率场效应器件
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一种提高Power VDMOSFET栅电荷性能的新结构 被引量：2
17
作者 魏麟 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2005年第8期141-143,共3页
文章提出一种减小VDMOSFET栅电荷(Qg)的新结构,通过二维数值模拟:相对于常规VDMOSFET,该结构将栅电荷降低42.93%,器件优值(FOM=Qg*Ron)降低37.05%。我们分析了新结构的主要特性,并与常规VD-MOSFET进行了比较和参数优化分析。
关键词 vdmosfet 导通电阻 栅电荷 优值 模拟
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VDMOSFET终端场板的设计考虑 被引量：3
18
作者 张颖 陈炳全 石广元 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第4期332-335,共4页
对最基本的场板结构 ,通过理论推导 ,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系 ;又给出了场板长度值与击穿电压和P+区结深之间的关系 .
关键词 场板 氧化层厚度 场板长度 击穿电压 功率器件 vdmosfet 结构设计
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VDMOSFET的CAD系统软件中数据类型的设计 被引量：2
19
作者 宋丽丽 刘歧 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第2期135-137,共3页
初步探讨了在VDMOSFET的CAD系统软件设计中有关数据类型的设计及相应的一些处理方法。
关键词 vdmosfet CAD系统软件 数据类型 计算公式型数据 数表型数据 图型数据 设计方法
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适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术 被引量：1
20
作者 羊庆玲 冯建 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期215-216,共2页
　采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片,并将其应用于VD MOSFET器件的研制。实验结果表明,采用SDB硅片制造出的器件,其电学特性优于采用外延片制作出的器件。
关键词 vdmosfet 硅片直接键合 疏水处理 SOI 范德华力
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