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金属封装VDMOS器件常见封装缺陷及控制 被引量：3
1
作者 王宁宁 飞景明 +1 位作者 张彬彬 何宗鹏 《电子工艺技术》 2016年第2期99-102,共4页
金属封装VDMOS器件在军事以及航天领域应用广泛。芯片烧结、引线键合和平行缝焊是封装的三个主要工序,直接影响封装的成品率和器件长期可靠性。针对三大工序中常见的缺陷进行了描述和分析,并分别提出了控制措施和建议。
关键词 金属封装 vdmos器件 缺陷
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一种900V大功率MOSFET的工艺仿真设计 被引量：2
2
作者 刘好龙 周博 《微处理机》 2021年第2期14-17,共4页
高压功率MOSFET器件由于其在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点应用十分广泛,是武器装备体系中不可或缺的关键基础元器件。以一款900 V大功率MOSFET器件为例,为分析其VDMOS基本结构、工作原理和主要参数,利用工艺仿真软件Silvac... 高压功率MOSFET器件由于其在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点应用十分广泛,是武器装备体系中不可或缺的关键基础元器件。以一款900 V大功率MOSFET器件为例,为分析其VDMOS基本结构、工作原理和主要参数,利用工艺仿真软件Silvaco和Synopsys设计一套仿真实验,对外延层材料选取、氧化和注入等重要工艺过程优化、掺杂区工艺条件确定,以及对器件的电学特性如击穿电压、阈值电压、器件输出特性等进行仿真,为相关产品的研制提供参考和保障。经实际流片及末测验证,该仿真设计能够实现预期目标。 展开更多
关键词 高压MOSFET器件 vdmos器件 半导体工艺 Silvaco仿真 Synopsys仿真
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VDMOS器件制造中的湿法工艺与设备研究 被引量：2
3
作者 宋文超 《电子工业专用设备》 2021年第6期16-20,共5页
简述了VDMOS器件制造工艺流程,介绍了其中常用的RCA清洗、SPM去胶、BOE腐蚀、Al腐蚀等湿法工艺,并对相关湿法设备的配置以及工作原理进行了介绍。
关键词 vdmos器件 湿法设备 RCA清洗 SPM去胶 BOE腐蚀 铝腐蚀
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厚膜DC/DC电源VDMOS器件失效机理及研究现状 被引量：3
4
作者 陈镜波 何小琦 章晓文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期176-180,共5页
整机小型化的发展对厚膜微组装DC/DC电源提出了更高的可靠性要求,VDMOS器件作为DC/DC电源的开关器件,其性能退化失效将直接影响电源效率、温升指标和技术性能。介绍了厚膜微组装DC/DC电源VDMOS器件芯片级、封装级两个层面的失效机理,以... 整机小型化的发展对厚膜微组装DC/DC电源提出了更高的可靠性要求,VDMOS器件作为DC/DC电源的开关器件,其性能退化失效将直接影响电源效率、温升指标和技术性能。介绍了厚膜微组装DC/DC电源VDMOS器件芯片级、封装级两个层面的失效机理,以及针对这些失效机理的寿命评估方法和研究现状,并根据VDMOS器件在DC/DC电源中的应用,提出两种温度应力下的寿命评估方法。 展开更多
关键词 厚膜微组装DC/DC电源 vdmos器件 失效机理 可靠性评估
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功率VDMOS器件设计及研制 被引量：2
5
作者 郑莹 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第5期52-55,共4页
分析了VDMOS器件击穿电压、导通电阻、阈值电压和开关特性等主要性能指标的影响因素,并借助半导体模拟仿真软件Sentaurus对VDMOS器件进行建模,调整器件各个结构参数,提出采用P体区间厚氧化层方法提高器件的动态特性,获得满足设计目标要... 分析了VDMOS器件击穿电压、导通电阻、阈值电压和开关特性等主要性能指标的影响因素,并借助半导体模拟仿真软件Sentaurus对VDMOS器件进行建模,调整器件各个结构参数,提出采用P体区间厚氧化层方法提高器件的动态特性,获得满足设计目标要求的器件电性能参数,最终形成器件设计版图,并依此在现有生产线上进行工艺流片,根据流片结果进一步优化调整设计参数,最终获得一款击穿电压400 V、导通电阻0.45?、阈值电压2.5 V、开关特性较好的功率VDMOS器件。 展开更多
关键词 vdmos器件 击穿电压 导通电阻 阈值电压 开关特性 Sentaurus软件
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VDMOS器件的1/f噪声检测方法研究 被引量：1
6
作者 陈晓娟 杜娜 贾明超 《电测与仪表》 北大核心 2013年第11期42-46,共5页
VDMOS器件中的1/f噪声是表征该器件质量和可靠性的重要敏感参数,在检测器件噪声过程中,1/f噪声是被淹没在大量白噪声背景下的一种微弱信号,为了能准确检测出1/f信号,本文提出了基于小波熵软阈值1/f检测方法。利用1/f噪声及白噪声在不同... VDMOS器件中的1/f噪声是表征该器件质量和可靠性的重要敏感参数,在检测器件噪声过程中,1/f噪声是被淹没在大量白噪声背景下的一种微弱信号,为了能准确检测出1/f信号,本文提出了基于小波熵软阈值1/f检测方法。利用1/f噪声及白噪声在不同分解层次上小波系数熵的变化特点,根据信号子带高频小波系数的最大小波熵是由白噪声引起的,对不同分解尺度上的高频系数进行小波熵阈值量化处理,最后对信号进行重构,去掉了严重的白噪声,实现1/f信号的检测。实验表明与传统软阈值去噪的性能分析比较可知,该方法提高了检测1/f信号的准确率。 展开更多
关键词 vdmos器件 1 f噪声 小波熵软阈值
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VDMOS器件终端结构设计及优化
7
作者 郑莹 吴会利 《微处理机》 2016年第3期25-27,共3页
击穿电压是VDMOS器件的重要参数之一,器件的耐压能力主要由终端结构的击穿电压决定,但结曲面效应和表面电荷的存在制约着击穿电压的提高。设计的这款400V VDMOS的场限环终端结构,改善了结曲面效应,但表面电场较大,在此基础上,充分利用... 击穿电压是VDMOS器件的重要参数之一,器件的耐压能力主要由终端结构的击穿电压决定,但结曲面效应和表面电荷的存在制约着击穿电压的提高。设计的这款400V VDMOS的场限环终端结构,改善了结曲面效应,但表面电场较大,在此基础上,充分利用场板降低表面电场的作用,结合场限环构成场板-场限环终端结构,减少了场限环的数量,节省了16.67%的终端宽度,实现了440.6V的击穿电压。此外,没有增加额外的掩膜或工艺步骤,工艺兼容性好,易于实现。 展开更多
关键词 vdmos器件 终端 场限环 场板 击穿电压 电场
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总剂量辐照加固的功率VDMOS器件 被引量：12
8
作者 李泽宏 张磊 谭开洲 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期621-623,共3页
采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据... 采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据能较好吻合。对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×103rad(Si)下,阈值电压仅漂移?1V。结果证明,工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力。 展开更多
关键词 功率vdmos器件 薄栅氧化层 阈值电压漂移 总剂量辐照
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功率VDMOS开关特性与结构关系 被引量：4
9
作者 戴显英 张鹤鸣 +1 位作者 李跃进 王伟 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期98-101,共4页
ＶＤＭＯＳ的开关时间对其开关功耗和频率特性有直接影响．笔者设计和制造了３种体内结构与常规ＶＤＭＯＳ相同，而表面结构不同的器件．实验结果表明，这３种结构器件的开关时间都明显减小．
关键词 vdmos 器件结构 开关时间
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功率VDMOS器件热阻测试
10
作者 单长玲 许允亮 +2 位作者 刘琦 田欢 刘金婷 《机电元件》 2018年第2期47-49,共3页
功率VDMOS器件的热阻,是衡量输入功率与工作环境热特性的重要参数,在器件研制和系统设计中占有重要地位。从器件的热模型出发,给出了热阻的测试方法。针对二极管正向压降测试所需要的温度系数,分析了数据处理方法,给出提高温度系数计算... 功率VDMOS器件的热阻,是衡量输入功率与工作环境热特性的重要参数,在器件研制和系统设计中占有重要地位。从器件的热模型出发,给出了热阻的测试方法。针对二极管正向压降测试所需要的温度系数,分析了数据处理方法,给出提高温度系数计算精度的途径。结合热电偶测量原理,给出了提高热电偶测量精度的方法。所涉及的热阻测量方法,能够为热阻的高精度测量提供基础。 展开更多
关键词 功率vdmos器件 热特性 热阻 可靠性
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