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多次外光反馈下垂直腔面发射激光器非线性动态特性理论研究 被引量:13
1
作者 李孝峰 潘炜 +2 位作者 罗斌 邓果 赵峥 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1450-1454,共5页
在SIMULINK平台下建立了垂直腔面发射激光器(VCSEL)动态仿真模型,利用该模型对多次外光反馈下垂直腔面发射激光器的非线性行为进行了研究。结果表明,短外腔时,光子密度随外腔长呈周期为半激射波长的余弦关系;长外腔时,随外腔长增加,垂... 在SIMULINK平台下建立了垂直腔面发射激光器(VCSEL)动态仿真模型,利用该模型对多次外光反馈下垂直腔面发射激光器的非线性行为进行了研究。结果表明,短外腔时,光子密度随外腔长呈周期为半激射波长的余弦关系;长外腔时,随外腔长增加,垂直腔面发射激光器依次经历混沌、多周期、倍周期和单周期区域,增大外腔反射率时同样存在这些非线性区域,但出现顺序相反。进一步得出:考虑单次反馈时由于忽略了占有较多能量的高次反馈导致上述非线性效应偏弱;增大自发辐射因子或减小线性展宽因子可抑制系统的非线性行为。 展开更多
关键词 激光技术 垂直腔面发射激光器 非线性动态特性 混沌 外光反馈
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VCSEL技术与并行光互联 被引量:5
2
作者 张劲松 曹明翠 +1 位作者 陈涛 谭伟 《光通信研究》 北大核心 2002年第6期54-58,共5页
介绍了 VCSEL结构和技术特点 ,它以很高的性能价格比成功地应用于单通道和并行光互联 ,并将在宽带以太网、高速数据通信网中得到广泛的应用 .以 VCSEL为基础器件的高速大容量、高并行处理功能的光互连。
关键词 vcsel 垂直腔表面发射激光器 光互联 光总线 并行光接口
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DBR微腔激光器典型参数的开关调制响应及控制 被引量:12
3
作者 潘炜 张晓霞 +2 位作者 罗斌 邓果 李孝峰 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第9期169-174,共6页
以微腔激光器的典型代表垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)为例,选择自发辐射因子为控制参数,数值模拟了大信号深度调制情形下VCSEL的非线性动力学特性,实现了类似于边缘发射激光器的分岔,周期加倍分岔,多稳和混沌状态的稳定控制,得到分... 以微腔激光器的典型代表垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)为例,选择自发辐射因子为控制参数,数值模拟了大信号深度调制情形下VCSEL的非线性动力学特性,实现了类似于边缘发射激光器的分岔,周期加倍分岔,多稳和混沌状态的稳定控制,得到分岔点位置和周期轨道与控制参数的变化关系,以及相应地调制参量和自发辐射因子的取值范围,计算结果较好地拟合了文献实验结果。 展开更多
关键词 微腔激光器 vcsel 自发辐射因子 调制度 调制频率 分岔
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自发辐射因子对VCSEL在大信号调制下的分岔及混沌行为的影响 被引量:11
4
作者 邓果 潘炜 罗斌 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期293-296,共4页
在SIMULINK平台下开发了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的动态仿真模型 ,实施高频大信号调制情形下的动态仿真 ,避免了大信号近似处理 ,提高了计算精度。选择自发辐射因子为控制参量 ,定量分析它对VCSEL稳定性和分岔点的影响。结果表明 ,... 在SIMULINK平台下开发了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的动态仿真模型 ,实施高频大信号调制情形下的动态仿真 ,避免了大信号近似处理 ,提高了计算精度。选择自发辐射因子为控制参量 ,定量分析它对VCSEL稳定性和分岔点的影响。结果表明 ,在所选参量条件下 ,自发辐射因子数值在 5× 10 -3 ~ 5× 10 -5之间时 ,随着调制深度的加深 ,VCSEL峰值光子密度产生分岔 ,呈现双稳、多周期 ,最后回到单周期 ;当小于 10 -5时 ,进入混沌状态的演变过程。同时分岔点的移动依赖于自发辐射因子的大小 ,调控自发辐射因子可以抑制系统的非线性行为。 展开更多
关键词 分岔 混沌 大信号调制 自发辐射因子 垂直腔面发射激光器 动态仿真模型 vcsel
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强光注入提高光反馈VCSELs混沌载波基频 被引量:9
5
作者 刘胜芳 夏光琼 +2 位作者 吴加贵 李林福 吴正茂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期1502-1505,共4页
研究了外部光注入对光反馈垂直腔表面发射半导体激光器(VCSEL)混沌载波基频的影响.研究结果表明:当外部注入光频率与VCSEL自由运行的振荡频率失谐一定时,随着外部光注入强度的增加,混沌载波基频总体呈现上升的趋势;通过调整失谐频率和... 研究了外部光注入对光反馈垂直腔表面发射半导体激光器(VCSEL)混沌载波基频的影响.研究结果表明:当外部注入光频率与VCSEL自由运行的振荡频率失谐一定时,随着外部光注入强度的增加,混沌载波基频总体呈现上升的趋势;通过调整失谐频率和注入强度大小,外部光注入可以使混沌载波基频得到大幅度的提高;当归一化的注入系数K=330,失谐频率为42GHz,可得到基频位于47.3GHz的混沌信号输出. 展开更多
关键词 vcsel 光注入 光反馈 混沌载波基频 半导体激光器 混沌保密通信
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半导体激光器在氧气探测中的应用及关键技术 被引量:10
6
作者 刘云燕 潘教青 +1 位作者 程传福 于红艳 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期501-505,共5页
氧气探测在工业、医疗等诸行业都有重要意义。本文简述了近几年发展起来的TD-LAS技术之特点及优势,评述了各种半导体激光器作为激发光源用于TDLAS技术进行氧气探测的性能,着重讨论了在氧气探测方面具有发展前景和竞争优势的DFB和VCSEL... 氧气探测在工业、医疗等诸行业都有重要意义。本文简述了近几年发展起来的TD-LAS技术之特点及优势,评述了各种半导体激光器作为激发光源用于TDLAS技术进行氧气探测的性能,着重讨论了在氧气探测方面具有发展前景和竞争优势的DFB和VCSEL结构激光器光源的应用和进展。 展开更多
关键词 半导体激光器 氧探测 可调谐二极管激光吸收光谱(TDLAS) DFB vcsel
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VCSEL中布拉格反射体的电流机制和伏安特性 被引量:8
7
作者 康香宁 陈良惠 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期50-54,59,共6页
采用张弛法数值求解静电势的泊松方程 ,得出垂直腔面发射激光器 (VCSEL)中 N型和 P型分布布拉格反射体 (DBR)中一个周期单元的精确能带图。并以此为依据 ,从理论上分别分析和比较了多子漂移扩散、纯漂移和热电子发射电流机制所起的作用... 采用张弛法数值求解静电势的泊松方程 ,得出垂直腔面发射激光器 (VCSEL)中 N型和 P型分布布拉格反射体 (DBR)中一个周期单元的精确能带图。并以此为依据 ,从理论上分别分析和比较了多子漂移扩散、纯漂移和热电子发射电流机制所起的作用。指出由一对反对称同型异质结构成的 DBR一个周期单元总是表现出欧姆性 ,但热电子发射电流机制的存在容易使每个结呈现整流特性 ,以致在电流输运过程中起主要作用的是其反向特性 ,导致偏压和电阻过大器件不能正常工作。但是漂移扩散机制具有明显欧姆性 ,在利用缓变 展开更多
关键词 vcsel 垂直腔面发射激光器 布拉格反射体 扩散漂移电流 热电子发射电流
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GaN基蓝光VCSEL的制备及光学特性 被引量:10
8
作者 蔡丽娥 张保平 +2 位作者 张江勇 沈汉鑫 朱文章 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期452-456,共5页
利用金属有机物气相沉积技术(MOCVD)在(0001)蓝宝石衬底上生长了Ga N基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的多量子阱腔层结构。X射线衍射测量显示该多量子阱具有良好周期结构和平整界面。运用键合及激光剥离技术将该外延片制作成VCSEL,顶部和... 利用金属有机物气相沉积技术(MOCVD)在(0001)蓝宝石衬底上生长了Ga N基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的多量子阱腔层结构。X射线衍射测量显示该多量子阱具有良好周期结构和平整界面。运用键合及激光剥离技术将该外延片制作成VCSEL,顶部和底部反射镜为极高反射率的介质膜分布布拉格反射镜(DBR)。在室温、紫外脉冲激光的泵浦条件下,观察到了VCSEL明显的激射现象,峰值波长位于447.7 nm,半高宽为0.11 nm,自发辐射因子约为6.0×10-2,阈值能量密度约为8.8 m J/cm2。在大幅度降低制作难度的情况下,得到目前国际最好结果同样数量级的激射阈值。降低器件制作难度有利于制备的重复性,有利于器件的产品化。 展开更多
关键词 氮化镓 垂直腔面发射激光器 激光剥离技术 光泵浦 激射
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Al_(0.98)Ga_(0.02)As的湿法氧化规律 被引量:6
9
作者 董立闽 郭霞 +6 位作者 渠红伟 杜金玉 邹德恕 廉鹏 邓军 徐遵图 沈光地 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期197-201,共5页
为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小 ,对Al0 .98Ga0 .0 2 As的湿法氧化规律进行了分析研究 .首先运用一维Deal Grove模型分析了Al0 .98Ga0 .0 2 As条形台面湿法氧化的一般规律 ,并在此基础上进一步分析推导 ,加以适当的简化 ,提出... 为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小 ,对Al0 .98Ga0 .0 2 As的湿法氧化规律进行了分析研究 .首先运用一维Deal Grove模型分析了Al0 .98Ga0 .0 2 As条形台面湿法氧化的一般规律 ,并在此基础上进一步分析推导 ,加以适当的简化 ,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型 ,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合 .同时 ,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象 .运用这些规律 ,将氧化长度的精度控制在 0 5 μm内 。 展开更多
关键词 vcsel ALGAAS 湿法氧化
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基于MEMS技术的光通信器件及其市场前景 被引量:6
10
作者 吴国锋 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2003年第6期8-11,共4页
介绍了基于MEMS技术的光通信器件主要制造商及其产品情况,并概要分析了MEMS光器件的市场前景和发展方向。
关键词 MEMS Switch VOA OTF vcsel RCE DGE
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一种基于热补偿电流的大功率VCSEL模型 被引量:9
11
作者 马强 田振华 +2 位作者 王贞福 秦莉 宁永强 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期463-466,共4页
基于激光速率方程并加入了热补偿电流,建立了一种用于分析大功率垂直腔面发射激光器(VCSELs)输出特性(P-I)的模型。先测得已知温度下的P-I特性,根据实验数据,利用阈值电流和温度的关系和Gao等人的方法得到a参数和其它参数。把所得参数... 基于激光速率方程并加入了热补偿电流,建立了一种用于分析大功率垂直腔面发射激光器(VCSELs)输出特性(P-I)的模型。先测得已知温度下的P-I特性,根据实验数据,利用阈值电流和温度的关系和Gao等人的方法得到a参数和其它参数。把所得参数代入模型,可以获得所需温度下的P-I特性。从模拟结果可以看出,不同温度下,模拟结果与实验结果吻合的非常好,而不考虑热补偿电流时差别很大,从而证明了该激光器模型的有效性;同时,从有源区温度和电流关系曲线可以看出,有源区随着电流增加温升很快,进一步证实了我们研究温度影响的重要性。 展开更多
关键词 速率方程 vcselS 热模型
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850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性 被引量:8
12
作者 张永明 钟景昌 +4 位作者 赵英杰 郝永芹 李林 王玉霞 苏伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期1024-1027,共4页
采用热封闭系统对850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性进行了研究.实验证实该器件在80℃仍能正常工作,在20~80℃的温度区间内,器件的斜率效率由0.3mW/mA降到0.2mW/mA.根据阈值电流的温度依赖性得出T0=350K,器件的基模红移为0.1... 采用热封闭系统对850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性进行了研究.实验证实该器件在80℃仍能正常工作,在20~80℃的温度区间内,器件的斜率效率由0.3mW/mA降到0.2mW/mA.根据阈值电流的温度依赖性得出T0=350K,器件的基模红移为0.11nm/mW,实验确定其热阻为2.02℃/mW. 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 氧化物限制 温度特性
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煤矿氧气检测高精度VCSEL驱动及温控电路设计
13
作者 于庆 张华乾 郭清华 《矿业安全与环保》 CAS 北大核心 2024年第2期153-160,共8页
为解决当前常用煤矿氧气检测仪器易受交叉气体干扰且功耗大的问题,基于GD32F303RCT6微控制器和ADN8834热电冷却控制器,设计了一种软启动开关电路控制的垂直腔面发射激光器(Vertical-cavity Surface-emitting Laser,VCSEL)高精度驱动及... 为解决当前常用煤矿氧气检测仪器易受交叉气体干扰且功耗大的问题,基于GD32F303RCT6微控制器和ADN8834热电冷却控制器,设计了一种软启动开关电路控制的垂直腔面发射激光器(Vertical-cavity Surface-emitting Laser,VCSEL)高精度驱动及温控电路。驱动电路中,高频正弦波信号和低频锯齿波信号叠加的二进制数据由微控制器产生,经信号发生电路、电压电流转换电路转化成VCSEL高精度驱动电流信号;温控电路中,设计基于比例积分微分(Proportional Integral Differential,PID)补偿电路和数模转换控制器(Digital to Analog Converter,DAC)目标温度控制电路实现激光器温度自动调节。测试结果表明:驱动电路的电流输出区间为0.680~1.360 mA;锯齿波频率误差小于0.5%,正弦波频率误差小于0.1%;氧气吸收峰扫描精度高达0.07 pm,对应电流扫描精度为0.12μA;温控电路的温度控制精度为±0.012℃。满足了可调谐半导体激光吸收光谱(Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy,TDLAS)煤矿氧气检测应用需求。 展开更多
关键词 煤矿 氧气检测 vcsel 高精度驱动及温控电路 PID补偿电路 DAC目标温度控制电路
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氧化型垂直腔面发射激光器的常见失效模式和机理分析 被引量:5
14
作者 张玉岐 左致远 +1 位作者 阚强 赵佳 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期187-209,共23页
氧化型垂直腔面发射激光器(VCSEL)在高速光通信中有着广泛的应用,应用过程中的可靠性是一个非常重要的指标,要求有高寿命和低失效率。为了更好地了解VCSEL在应用过程中的失效模式和机理,提升器件的可靠性,本文从器件设计、加工制造和应... 氧化型垂直腔面发射激光器(VCSEL)在高速光通信中有着广泛的应用,应用过程中的可靠性是一个非常重要的指标,要求有高寿命和低失效率。为了更好地了解VCSEL在应用过程中的失效模式和机理,提升器件的可靠性,本文从器件设计、加工制造和应用过程等3个环节总结分析了氧化型VCSEL的常见失效模式、产生原因和机理,并提出了适当的改善措施和建议。其中,对氧化应力、静电放电和湿气腐蚀这3个主要失效因素进行了更为详细的分析。基于以上对业界研究工作的总结和分析,最后对实际工作中遇到的VCSEL失效案例进行简单的介绍,为VCSEL学者、研发设计、制造和使用人员提供一个较为全面的失效分析案例库。 展开更多
关键词 vcsel 氧化物 失效模式和机理 可靠性
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10Gbit/s甚短距离(VSR)并行光传输系统 被引量:5
15
作者 申荣铉 陈弘达 +2 位作者 毛陆虹 唐君 吴荣汉 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第4期105-110,共6页
介绍了一个适用于甚短距离(Very Short Reach,VSR)网络传输的并行光传输系统。系统的发射部分用垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting La-ser,VCSEL)1×12列阵代替传统的边发射激光器,接收部分也采用相应的探测器列... 介绍了一个适用于甚短距离(Very Short Reach,VSR)网络传输的并行光传输系统。系统的发射部分用垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting La-ser,VCSEL)1×12列阵代替传统的边发射激光器,接收部分也采用相应的探测器列阵,并由多模光纤列阵相连接,在300m距离内以单信道1.25 Gbit/s速率实现的10Gbit/s的高传输速率。 展开更多
关键词 甚短距离 VSR 网络传输 并行光传输系统 VSR vcsel 垂直腔面发射激光器 编码 转换器 光网络
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一种基于FPGA的小型化VCSEL激光器温控电路设计
16
作者 张晨亮 秦旭磊 +2 位作者 吴东岷 王健 刘艳阳 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2024年第4期47-54,共8页
原子磁强计具有高灵敏度的优点,常被用于测量磁场,磁强计系统中激光器波长的稳定性易受温度影响,导致灵敏度下降。为了提高温度的稳定性,设计一种基于FPGA的激光器温度控制电路,采用ZYNQ7020作为主控芯片,实现可编程逻辑端与处理系统端... 原子磁强计具有高灵敏度的优点,常被用于测量磁场,磁强计系统中激光器波长的稳定性易受温度影响,导致灵敏度下降。为了提高温度的稳定性,设计一种基于FPGA的激光器温度控制电路,采用ZYNQ7020作为主控芯片,实现可编程逻辑端与处理系统端的信息交互,通过PID算法对数据处理,改变加热信号幅值。为防止直流加热信号引入磁场干扰,影响磁强计性能,采用1 MHz交流正弦波进行加热,完成对温度的闭环控制,最终实现了VCSEL温度控制电路的小型化。实验结果表明,该电路能够将温度控制在80℃,控制精度可以达到±0.003 5℃,满足磁强计系统中激光器对温度稳定性的需求。 展开更多
关键词 vcsel 增量式PID算法 FPGA 小型化
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CWDM关键技术研究 被引量:3
17
作者 毕纪军 孙小菡 张明德 《电子器件》 CAS 2002年第4期369-373,共5页
波分复用 (WDM)技术已成为高速率、大容量光通信系统发展的主流方向。本文首先简要介绍应用于局域网(L AN)及城域网 (MAN)中的稀疏波分复用 (CWDM)系统及特点 ,然后 ,重点研究了 CWDM的几个关键技术 ,如光源技术、光纤技术和复用器
关键词 CWDM 波分复用 稀疏波分复用 vcsel 多模光纤 复用器/解复用器 光纤通信
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基于VCSEL的高速光收发模块研究 被引量:4
18
作者 阮玉 杨宜 《光学与光电技术》 2003年第1期15-18,22,共5页
基于垂直腔面发射激光器(VCSEL)的高速光模块在现代光通信系统中的应用己越来越广泛。本文在简单介绍光收发模块和VCSEL器件的基础上,着重讨论了GBIC模块的总体设计和主要技术关键。
关键词 高速光通信 vcsel 收发模块 GBIC
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VCSEL的研究进展及应用前景 被引量:5
19
作者 赵英杰 李轶华 +5 位作者 李林 张永明 郝永琴 晏长岭 姜晓光 钟景昌 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2005年第1期23-26,共4页
介绍了垂直腔面发射半导体激光器的发展过程、器件结构、工作原理和新型的氧化限制型垂直腔面发射半导体激光器和晶片熔合工艺,同时展望了该器件的应用及发展前景。
关键词 垂直腔面发射激光器 液相外延技术 晶片熔合 波分复用
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垂直腔面发射激光器温度特性的研究 被引量:7
20
作者 渠红伟 郭霞 +4 位作者 董立闽 邓军 达小丽 徐遵图 沈光地 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期83-86,共4页
借助于SV-32低温恒温器及LD2002C5 VCSEL测试系统,对内腔接触式氧化物限制型垂直腔面发射激光器进行了变温实验研究,测得在-10℃~70℃温度范围内,器件输出光功率、电压、斜率效率、发射波长和阈值电流随温度变化的实验曲线,并结合不同... 借助于SV-32低温恒温器及LD2002C5 VCSEL测试系统,对内腔接触式氧化物限制型垂直腔面发射激光器进行了变温实验研究,测得在-10℃~70℃温度范围内,器件输出光功率、电压、斜率效率、发射波长和阈值电流随温度变化的实验曲线,并结合不同温度下VCSEL反射谱和增益谱的模拟结果,对实验曲线进行了很好的分析和解释.估算了连续工作状态下研制的InGaAs/GaAs垂直腔面发射激光器内部温升值,而且还得到了现有工艺条件下满足最低室温工作阈值的谐振腔谐振波长与增益谱峰值波长. 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 增益谱 谐振腔 反射谱 温度
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