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退火对高阻AZO薄膜结构及紫外光电导特性的影响 被引量：1
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作者 曹东 蒋向东 +1 位作者 李大伟 孙继伟 《电子器件》 CAS 2010年第6期651-654,共4页
在石英衬底上采用射频磁控溅射的方法制备高电阻AZO薄膜,其中高电阻由高氧氩比环境得到。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行表征,重点研究了不同退火温度对薄膜的结构及紫外光电导特性的影响。结... 在石英衬底上采用射频磁控溅射的方法制备高电阻AZO薄膜,其中高电阻由高氧氩比环境得到。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行表征,重点研究了不同退火温度对薄膜的结构及紫外光电导特性的影响。结果表明:适当温度的退火有助于薄膜结构的优化,而随着退火温度的增加,薄膜的紫外光电导特性呈现出先增加后减小的变化趋势,并在400℃条件下达到最优紫外响应效果。 展开更多
关键词 AZO薄膜 高温退火 紫外光电导特性
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AZO晶种层对ZnO纳米线生长及紫外光电导性能的影响
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作者 曹东 蒋向东 +1 位作者 李大伟 孙继伟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第20期81-85,共5页
采用溶液化学法实现了在Zn(NO3)2/C6H12N4混合溶液中ZnO纳米线在AZO薄膜修饰过衬底上生长。AZO薄膜由射频磁控溅射法制备,通过溅射时间和基底温度的变化改变薄膜形态,重点研究了不同薄膜形态对ZnO纳米线形貌和结构的影响,最终在溅射2h... 采用溶液化学法实现了在Zn(NO3)2/C6H12N4混合溶液中ZnO纳米线在AZO薄膜修饰过衬底上生长。AZO薄膜由射频磁控溅射法制备,通过溅射时间和基底温度的变化改变薄膜形态,重点研究了不同薄膜形态对ZnO纳米线形貌和结构的影响,最终在溅射2h、基底温度250℃晶种上得到垂直于衬底、高度平行取向的ZnO纳米线阵列。在此基础上研究了不同形貌ZnO纳米线阵列的紫外光电导性能差异。结果表明,垂直生长的纳米线较倒伏纳米线紫外响应迅速,分析认为是紫外光照下曝光面积不同造成的。 展开更多
关键词 AZO ZNO纳米线 溶液化学法 紫外光电导性能
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