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GaN基紫外探测器及其研究进展
被引量:
45
1
作者
李向阳
许金通
+5 位作者
汤英文
李雪
张燕
龚海梅
赵德刚
杨辉
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2006年第3期276-280,共5页
宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用。GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器。对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了p...
宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用。GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器。对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了p型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等。最后,对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展及初步获得的32×32紫外焦平面探测器进行了简单介绍。
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关键词
紫外探测器
氮化镓
铝镓氮
紫外焦平面器件
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职称材料
快照模式紫外焦平面读出电路电容优化设计
被引量:
1
2
作者
贾寒昕
亢勇
李向阳
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2006年第2期238-243,共6页
快照模式焦平面读出电路的单元电路一般包括前置放大器、采样保持电路、多路开关传输器和缓冲跟随器。在有限的单元面积内完成较高性能的单元电路设计是快照模式焦平面读出电路的难点。考虑到积分电容、采样保持电容、运放补偿电容占据...
快照模式焦平面读出电路的单元电路一般包括前置放大器、采样保持电路、多路开关传输器和缓冲跟随器。在有限的单元面积内完成较高性能的单元电路设计是快照模式焦平面读出电路的难点。考虑到积分电容、采样保持电容、运放补偿电容占据了CMOS电路版图中较多的面积,通过分析计算读出电路各级噪声以及电路总的输出噪声,探讨了上述各种电容对于电路噪声的影响。考虑到紫外探测器的特点,同时在固定其他设计参数的基础上,通过调整电容面积的分配比例,计算了电路可以得到最佳噪声水平的电容大小。结果表明,在目前的工艺和版图限制等条件下,在上述三种电容分别取1.1、0.4、1.2 pF时,输出端噪声电压为最小,达172μV。
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关键词
读出电路
紫外焦平面
噪声
CMOS
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职称材料
紫外图像传感器技术研究进展
被引量:
10
3
作者
权利
王颖
+2 位作者
龙维刚
罗木昌
周勋
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期537-541,共5页
介绍了两类主要的紫外图像传感器技术的最新研究进展,根据其特点对它们在特定紫外成像应用需求中的优势和不足进行了简要分析,最后对这些紫外图像传感器技术的未来发展进行了展望。
关键词
紫外探测
图像传感器
紫外光阴极
像增强器
AlGaN紫外焦平面
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职称材料
GaN紫外焦平面CTIA结构读出电路小面积设计及仿真
被引量:
3
4
作者
谭俊
袁永刚
李向阳
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期597-601,共5页
随着GaN紫外焦平面的发展,焦平面的阵列规模越来越大,单元探测器的面积越来越小,对GaN紫外焦平面的读出电路进行设计,实现读出电路单元面积为37μm×37μm,阵列规模为8×8元。本设计采用电容反馈互阻抗放大器(CITA)结构作为输入...
随着GaN紫外焦平面的发展,焦平面的阵列规模越来越大,单元探测器的面积越来越小,对GaN紫外焦平面的读出电路进行设计,实现读出电路单元面积为37μm×37μm,阵列规模为8×8元。本设计采用电容反馈互阻抗放大器(CITA)结构作为输入级,列共用方式的采样保持电路,源级跟随器作为输出级,用移位寄存器来控制行、列选通并控制电路工作的时序。本文的整个电路设计基于Cadence设计平台,对电路进行了Spectre仿真,面阵的工作状况良好,保持良好的线性。
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关键词
GaN紫外焦平面
读出电路
CTIA
小面积
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职称材料
一种低功耗GaN基紫外焦平面读出电路设计
5
作者
叶柏松
袁永刚
+1 位作者
马丁
李向阳
《科学技术与工程》
北大核心
2013年第19期5482-5486,共5页
针对GaN基紫外焦平面,采用单端放大器的CTIA结构作为输入级,设计了一种小面积低功耗的读出电路,分析了电路的电荷增益、注入效率、功耗与噪声等性能指标。通过使用边积分边读出模式工作,电路功耗显著下降,当面阵大小为M×N时,仅与列...
针对GaN基紫外焦平面,采用单端放大器的CTIA结构作为输入级,设计了一种小面积低功耗的读出电路,分析了电路的电荷增益、注入效率、功耗与噪声等性能指标。通过使用边积分边读出模式工作,电路功耗显著下降,当面阵大小为M×N时,仅与列数N有关。仿真结果表明,电路工作正常,电荷增益为1.6μV/e,注入效率可达96.8%,输出线性度大于99%,对噪声具有很好的抑制作用。
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关键词
紫外焦平面
读出电路
功耗
面积
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职称材料
日盲紫外焦平面探测器的抗辐射加固设计
被引量:
2
6
作者
申志辉
罗木昌
+2 位作者
叶嗣荣
樊鹏
周勋
《半导体光电》
CAS
北大核心
2019年第2期157-160,165,共5页
设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器,重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器件工艺开展了抗辐射加固设计。对加固样品开展了γ总剂量和中子辐照试验和测试,试验结果表明样品的抗...
设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器,重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器件工艺开展了抗辐射加固设计。对加固样品开展了γ总剂量和中子辐照试验和测试,试验结果表明样品的抗电离辐照总剂量达到150krad(Si),抗中子辐照注量达到1×1013 n/cm2(等效1MeV中子),验证了抗辐射加固措施的有效性。
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关键词
紫外焦平面探测器
读出电路
抗辐射加固
总剂量效应
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职称材料
题名
GaN基紫外探测器及其研究进展
被引量:
45
1
作者
李向阳
许金通
汤英文
李雪
张燕
龚海梅
赵德刚
杨辉
机构
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
中国科学院半导体研究所
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2006年第3期276-280,共5页
文摘
宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用。GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器。对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了p型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等。最后,对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展及初步获得的32×32紫外焦平面探测器进行了简单介绍。
关键词
紫外探测器
氮化镓
铝镓氮
紫外焦平面器件
Keywords
Ultraviolet detector
GaN
A1GaN
UV FPA
分类号
TN23 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
快照模式紫外焦平面读出电路电容优化设计
被引量:
1
2
作者
贾寒昕
亢勇
李向阳
机构
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2006年第2期238-243,共6页
基金
山东省自然科学基金资助项目(Y2005G08)
文摘
快照模式焦平面读出电路的单元电路一般包括前置放大器、采样保持电路、多路开关传输器和缓冲跟随器。在有限的单元面积内完成较高性能的单元电路设计是快照模式焦平面读出电路的难点。考虑到积分电容、采样保持电容、运放补偿电容占据了CMOS电路版图中较多的面积,通过分析计算读出电路各级噪声以及电路总的输出噪声,探讨了上述各种电容对于电路噪声的影响。考虑到紫外探测器的特点,同时在固定其他设计参数的基础上,通过调整电容面积的分配比例,计算了电路可以得到最佳噪声水平的电容大小。结果表明,在目前的工艺和版图限制等条件下,在上述三种电容分别取1.1、0.4、1.2 pF时,输出端噪声电压为最小,达172μV。
关键词
读出电路
紫外焦平面
噪声
CMOS
Keywords
ROIC
UV FPA
Noise
CMOS
分类号
TN386.5 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
紫外图像传感器技术研究进展
被引量:
10
3
作者
权利
王颖
龙维刚
罗木昌
周勋
机构
中国国防科技信息中心
上海传输线研究所
重庆光电技术研究所
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期537-541,共5页
文摘
介绍了两类主要的紫外图像传感器技术的最新研究进展,根据其特点对它们在特定紫外成像应用需求中的优势和不足进行了简要分析,最后对这些紫外图像传感器技术的未来发展进行了展望。
关键词
紫外探测
图像传感器
紫外光阴极
像增强器
AlGaN紫外焦平面
Keywords
UV detection
image sensor
UV photocathode
image intensi{ier
AIGaN-based UV FPA
分类号
TN23 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
GaN紫外焦平面CTIA结构读出电路小面积设计及仿真
被引量:
3
4
作者
谭俊
袁永刚
李向阳
机构
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期597-601,共5页
文摘
随着GaN紫外焦平面的发展,焦平面的阵列规模越来越大,单元探测器的面积越来越小,对GaN紫外焦平面的读出电路进行设计,实现读出电路单元面积为37μm×37μm,阵列规模为8×8元。本设计采用电容反馈互阻抗放大器(CITA)结构作为输入级,列共用方式的采样保持电路,源级跟随器作为输出级,用移位寄存器来控制行、列选通并控制电路工作的时序。本文的整个电路设计基于Cadence设计平台,对电路进行了Spectre仿真,面阵的工作状况良好,保持良好的线性。
关键词
GaN紫外焦平面
读出电路
CTIA
小面积
Keywords
GaN UV FPA
ROIC
CTIA
small pixel area design
分类号
TN23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种低功耗GaN基紫外焦平面读出电路设计
5
作者
叶柏松
袁永刚
马丁
李向阳
机构
中国科学院上海技术物理研究所红外成像与器件重点实验室
中国科学院大学
出处
《科学技术与工程》
北大核心
2013年第19期5482-5486,共5页
基金
国家自然科学基金(61204134
61106097)
+3 种基金
江苏省产学研与常州市科技支撑项目(SBY201120177
CM20103004
CE20110025)
中国科学院院地合作项目(BE2010056)共同资助
文摘
针对GaN基紫外焦平面,采用单端放大器的CTIA结构作为输入级,设计了一种小面积低功耗的读出电路,分析了电路的电荷增益、注入效率、功耗与噪声等性能指标。通过使用边积分边读出模式工作,电路功耗显著下降,当面阵大小为M×N时,仅与列数N有关。仿真结果表明,电路工作正常,电荷增益为1.6μV/e,注入效率可达96.8%,输出线性度大于99%,对噪声具有很好的抑制作用。
关键词
紫外焦平面
读出电路
功耗
面积
Keywords
restrained remarkably UV FPA readout circuit power area
分类号
TN23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
日盲紫外焦平面探测器的抗辐射加固设计
被引量:
2
6
作者
申志辉
罗木昌
叶嗣荣
樊鹏
周勋
机构
重庆光电技术研究所
出处
《半导体光电》
CAS
北大核心
2019年第2期157-160,165,共5页
基金
国防基础科研计划项目(JCKY2017210A003)
国家安全重大基础研究项目(61328403)
文摘
设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器,重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器件工艺开展了抗辐射加固设计。对加固样品开展了γ总剂量和中子辐照试验和测试,试验结果表明样品的抗电离辐照总剂量达到150krad(Si),抗中子辐照注量达到1×1013 n/cm2(等效1MeV中子),验证了抗辐射加固措施的有效性。
关键词
紫外焦平面探测器
读出电路
抗辐射加固
总剂量效应
Keywords
UV-FPA
readout circuit
radiation hardening
TID effects
分类号
TN23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN基紫外探测器及其研究进展
李向阳
许金通
汤英文
李雪
张燕
龚海梅
赵德刚
杨辉
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2006
45
下载PDF
职称材料
2
快照模式紫外焦平面读出电路电容优化设计
贾寒昕
亢勇
李向阳
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2006
1
下载PDF
职称材料
3
紫外图像传感器技术研究进展
权利
王颖
龙维刚
罗木昌
周勋
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013
10
下载PDF
职称材料
4
GaN紫外焦平面CTIA结构读出电路小面积设计及仿真
谭俊
袁永刚
李向阳
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
下载PDF
职称材料
5
一种低功耗GaN基紫外焦平面读出电路设计
叶柏松
袁永刚
马丁
李向阳
《科学技术与工程》
北大核心
2013
0
下载PDF
职称材料
6
日盲紫外焦平面探测器的抗辐射加固设计
申志辉
罗木昌
叶嗣荣
樊鹏
周勋
《半导体光电》
CAS
北大核心
2019
2
下载PDF
职称材料
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