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低温下单根In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究
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作者 李铭杰 李江禄 李凯 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2012年第6期41-44,共4页
采用化学气相沉积(CVD)的方法合成了In掺杂ZnO纳米带,并且用简单、廉价的微栅模板法为单根纳米带制作了微电极,研究了在室温到20 K低温范围内单根In掺杂ZnO纳米带电阻随温度的变化.结果表明,在140～290 K区间单根ZnO∶In纳米带电子输运... 采用化学气相沉积(CVD)的方法合成了In掺杂ZnO纳米带,并且用简单、廉价的微栅模板法为单根纳米带制作了微电极,研究了在室温到20 K低温范围内单根In掺杂ZnO纳米带电阻随温度的变化.结果表明,在140～290 K区间单根ZnO∶In纳米带电子输运机制符合热激活输运机制. 展开更多
关键词 In掺杂ZnO 纳米带 低温 输运机制
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