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100nm P型超浅结制作工艺研究 被引量：1
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作者 鲜文佳 刘玉奎 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期145-148,共4页
介绍了一种P型超浅结的制作工艺。该工艺通过F离子注入和快速热退火技术相结合,获得了比较先进的100nm以内的P型超浅结;重点研究了影响超浅结形成的沟道效应和瞬态增强扩散效应;详细介绍了制作过程中对沟道效应和瞬态增强扩散效应的抑制。
关键词 超浅结 离子注入 快速热退火 沟道效应 瞬态增强扩散效应
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