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退火对TiO_2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响
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作者 杨峰 蔡芳共 +2 位作者 柯川 赵勇 程翠华 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期2581-2585,共5页
采用阳极氧化法制备了TiO2纳米管/线复合阵列.利用表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)研究了退火对TiO2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响.结果表明,TiO2纳米管/线复合阵列在晶化前后的导带边缘均出现了束缚激子态,晶化... 采用阳极氧化法制备了TiO2纳米管/线复合阵列.利用表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)研究了退火对TiO2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响.结果表明,TiO2纳米管/线复合阵列在晶化前后的导带边缘均出现了束缚激子态,晶化前由于自建场较弱,束缚激子态能在正负电场作用下发生不对称偏转;晶化后,晶体结构从非晶态变为晶态,自建场增强,束缚激子态对正电场敏感并表现出明显的光伏响应,而在负电场作用下束缚激子态没有任何光伏响应. 展开更多
关键词 表面光伏 场诱导表面光电压谱 tio2纳米管/线复合阵列 束缚激子
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