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声光晶体TeO_2的生长及缺陷研究 被引量：5
1
作者 季小红 桑文斌 +4 位作者 刘冬华 李冬梅 钱永彪 史伟民 闵嘉华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期93-98,共6页
本文研究了直拉TeO2 晶体中的主要晶体缺陷形成机理 ,讨论分析了TeO2 单晶生长的工艺参数对晶体缺陷的影响。结果表明 :晶体裂缝主要与温度梯度有关 ,温度梯度大于 2 0～ 2 5℃ /cm及出现界面翻转时 ,易造成晶体的开裂 ,位错密度增加 ;... 本文研究了直拉TeO2 晶体中的主要晶体缺陷形成机理 ,讨论分析了TeO2 单晶生长的工艺参数对晶体缺陷的影响。结果表明 :晶体裂缝主要与温度梯度有关 ,温度梯度大于 2 0～ 2 5℃ /cm及出现界面翻转时 ,易造成晶体的开裂 ,位错密度增加 ;晶体中的包裹体主要为气态包裹体 ,它的形成主要与籽晶的转速和晶体的提拉速度有关 ,转速 15～ 18r/min ,拉速 0 .55mm/h ,固液界面微凹 ,可以减少晶体中的气态包裹体 ;晶体台阶由晶体生长过程中温度和生长速度的起伏引起 ,当台阶间距较宽时 ,易形成包裹体。 展开更多
关键词 声光晶体 氧化碲晶体 晶体缺陷 工艺参数 单晶生长 直拉法
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Dy^(3+)掺杂TeO_2单晶的生长及其发光性能研究 被引量：2
2
作者 田甜 崔庆芝 +2 位作者 雷云 沈志杰 徐家跃 《中国照明电器》 2017年第9期15-19,共5页
通过坩埚下降法成功生长出直径为1inch、等径部分长度达到7cm的掺0.2mol%Dy^(3+)的TeO_2晶体,该晶体主体部分无色透明、无裂纹、无明显包裹物,但后半部有裂痕,且有灰白色析出物,在可见光波段透过率约为70%。测试了TeO_2:Dy晶体的荧光光... 通过坩埚下降法成功生长出直径为1inch、等径部分长度达到7cm的掺0.2mol%Dy^(3+)的TeO_2晶体,该晶体主体部分无色透明、无裂纹、无明显包裹物,但后半部有裂痕,且有灰白色析出物,在可见光波段透过率约为70%。测试了TeO_2:Dy晶体的荧光光谱,观察到了Dy^(3+)离子外层4f电子能级跃迁产生的特征激发峰和吸收峰,并给出了简单的能级跃迁发光机理图。结果表明,它在363nm近紫外光激发下,能够发射中性白光,在348nm和387nm近紫外光、453nm蓝光激发下,能够发射稳定的暖白光,从而实现通过改变激发光波长调节该晶体发射不同的白光。因此,TeO_2:Dy是一种能够实现可调谐白光发射的荧光单晶候选材料。 展开更多
关键词 Dy3+掺杂 二氧化碲单晶 坩埚下降法 白光LED
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氧化碲单晶热膨胀行为的实验研究 被引量：1
3
作者 陆昌伟 奚同庚 +3 位作者 陈云仙 杨雪华 徐一斌 浦志芬 《应用科学学报》 CAS CSCD 1994年第2期95-100,共6页
用热膨胀仪（Ｄｉｌａｔｏｍｅｔｅｒ）、热综合分析仪（Ｔｇ－ＤＴＡ）、Ｘ射线衍射仪（ＸＲＤ）对ＴｅＯ＿２单晶的热膨胀行为进行了实验研究。首次报道了用顶杆法测定３７０～５００℃、沿α和ｃ轴向的ＴｅＯ＿２单晶热膨胀系数α＿... 用热膨胀仪（Ｄｉｌａｔｏｍｅｔｅｒ）、热综合分析仪（Ｔｇ－ＤＴＡ）、Ｘ射线衍射仪（ＸＲＤ）对ＴｅＯ＿２单晶的热膨胀行为进行了实验研究。首次报道了用顶杆法测定３７０～５００℃、沿α和ｃ轴向的ＴｅＯ＿２单晶热膨胀系数α＿α和α＿ｃ；用Ｔｇ－ＤＴＡ法测定ＴｅＯ＿２的熔点并对其热膨胀系数和熔点的关系作了讨论；还从ＴｅＯ＿２单晶的晶体结构和解理特性以及α轴和ｃ轴的化学键键强比较对其热膨胀的各向异性行为作了进一步探讨。 展开更多
关键词 单晶 热膨胀 晶体结构 熔点 氧化碲
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直拉法生长大尺寸TeO_2单晶生长条纹的探讨 被引量：2
4
作者 钱叙法 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期381-381,共1页
ＴｅＯ２单晶体具有优良声光性能，生长大尺寸ＴｅＯ２单晶经常遇到的问题之一是晶体生长条纹，致使单晶质量下降，严重影响声光器件的正常使用。我们通过多年的探索，初步掌握了产生多种生长条纹的机理。根据直拉法晶体生长理论以及不... ＴｅＯ２单晶体具有优良声光性能，生长大尺寸ＴｅＯ２单晶经常遇到的问题之一是晶体生长条纹，致使单晶质量下降，严重影响声光器件的正常使用。我们通过多年的探索，初步掌握了产生多种生长条纹的机理。根据直拉法晶体生长理论以及不同的生长条纹，我们采取了以下措施：（１）选择合适的拉晶方向。对于ＴｅＯ２单晶来说［００１］方向生长，极易出现系属结构即表面出现竖向生长条纹。［００１］方向为粗糙界面，极易产生生长条纹。而［１１０］方向生长，晶体界面是光滑界面，不易产生生长条纹，这从结构上最大限度地消除了产生竖向表面生长条纹的问题。因此，我们选择［１１０］方向来生长单晶。（２）选用位错密度小的优质籽晶作晶种。ＴｅＯ２单晶生长，生长方向为［１１０］，发现仍然有些晶体表面有丝状条纹，以至延伸到晶体内部。我们认为主要是籽晶遗传所引起的。最好用不同方向生长的晶体来切［１１０］籽晶，或者用旋转的方向来切［１１０］籽晶，且每根籽晶必须经位错密度检查。（３）保持平界面或微凸界面生长。ＴｅＯ２单晶在生长过程中，我们采用变转速以及变拉速的方法，始终保持平界面或微凸界面生长，使得晶体始终从中心部位向边缘部位结晶，这样，晶体不易变形，避免发生平面及底面? 展开更多
关键词 氧化碲单晶 引上法晶体生长 晶体生长 直拉法
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