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掺碲InSb单晶的垂直温度梯度凝固生长法研究 被引量：2
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作者 康俊勇 黄启圣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第2期113-117,共5页
本工作成功地建立一套垂直温度梯度凝固晶体生长设备，并在无氢气的气氛下生长了掺碲ＩｎＳｂ体单晶。通过霍尔效应、原子吸收谱和腐蚀等方法对掺碲ＩｎＳｂ晶体中的缺陷在宏观、微尺度上的分布进行分析。研究结果表明，在宏观尺度上碲... 本工作成功地建立一套垂直温度梯度凝固晶体生长设备，并在无氢气的气氛下生长了掺碲ＩｎＳｂ体单晶。通过霍尔效应、原子吸收谱和腐蚀等方法对掺碲ＩｎＳｂ晶体中的缺陷在宏观、微尺度上的分布进行分析。研究结果表明，在宏观尺度上碲杂质沿生长方向的分布与准静态生长的溶质分布接近，在微尺度上缺陷分布均匀，无观察到生长条纹。 展开更多
关键词 晶体生长 掺碲 半导体 单晶 锑化铟 凝固生长
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