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题名磁阻随机存取存储器(MRAM)的原理与研究进展
被引量：5
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作者
吴晓薇
郭子政
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机构
内蒙古农业大学理学院
内蒙古师范大学物理与电子信息学院
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出处
《信息记录材料》
2009年第2期52-57,共6页
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基金
国家自然科学基金资助(10765003)
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文摘
磁阻式随机存取存储器(MRAM)已被公认为一种前景非常广阔的存储器。本文综述了MRAM的概念和原理,以及它和目前常见的静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)、闪存(FLASH)等类型的存储器的差别。实用型MRAM主要利用隧道磁阻(TMR)效应,所以目前MRAM的研究重点之一就是如何提高传统的TMR材料的性能。MRAM的另外一个研究方向是发展新原理和新结构的MRAM。本文重点介绍了目前2种主要的MRAM,即toggle-MRAM和SST-MRAM的发展情况。
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关键词
MRAM
tmr效应
自旋转矩效应
旋档切换开关
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Keywords
MRAM
tmr effect
spin-transfer torques
toggle-mode switching
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分类号
TQ581
[化学工程—精细化工]
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题名TMR传感器阵列抗干扰测量电流新方法
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作者
武新章
樊珂
李深旺
孟志杰
郭平辉
张冬冬
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机构
广西大学计算机与电子信息学院
广西大学电气工程学院
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出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2024年第6期113-116,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(5210071288)
广西科技基地人才专项资助(2021AC19120)。
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文摘
隧道磁阻(TMR)传感器测量电流时易被其他磁场干扰,导致测量失准。为了解决这个问题,本文提出了一种三传感器阵列设计。通过对磁场表达式进行空间离散傅里叶变换,建立超越方程组求解测量电流。对该方法进行了数学建模、数值模拟实验、有限元分析和实验分析。实验结果表明:当测量电流为100 A、干扰电流为700 A时,数值模拟的最大误差为2.98×10^(-15);有限元分析阵列各种角度下的最大误差小于1%;在80 A的量程范围内,实验分析的最大误差为2.02%。这验证了该方法的有效性。
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关键词
电流测量
隧道磁阻效应
传感器阵列
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Keywords
current measurement
tunnelmagneto-resistance(tmr)effect
sensor array
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名基于3D打印的隧道磁阻加速度计研究
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作者
陈新茹
杨波
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机构
东南大学仪器科学与工程学院
东南大学微惯性仪表与先进导航技术教育部重点实验室
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出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2023年第12期25-28,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61874025)。
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文摘
由于隧道磁阻(TMR)效应具有高灵敏度优势,被用于加速度的检测,设计了一种基于3D打印的TMR加速度计。首先,根据线性加速度计的工作原理,推导出输入加速度与输出位移的关系,同时通过对永磁体数学模型的分析得出永磁体周围磁场强度变化率与位移变化的关系;接着,根据TMR效应的原理,设计加速度计整体架构,实现加速度—位移—磁场—电压的转换;随后,设计加速度计机械结构,进行机械结构仿真优化与磁场仿真分析,确定结构参数和布局方式;最后,设计了TMR加速度计测控电路,进行电路仿真和实验验证。实验测试数据显示,该TMR加速度计标度因数为161.1 mV/gn。
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关键词
隧道磁阻效应
加速度计
永磁体
测控电路
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Keywords
tunnel magnetoresistance(tmr)effect
accelerometer
permanent magnet
measurement and control circuit
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分类号
TP212.1
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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