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低应变SiGe/Si异质结构的应变弛豫与界面扩散
1
作者 马通达 屠海令 +2 位作者 王敬 陈长春 黄文韬 《矿业研究与开发》 CAS 2003年第S1期194-195,共2页
利用透射电子显微镜(TEM)和同步辐射X射线白光形貌术研究了低应变SiGe/Si异质结构应变弛豫和界面扩散。观察到SiGe外延层未发生应变弛豫,Si缓冲区和Si衬底中有颗粒状析出物。
关键词 透射电子显微镜 同步辐射x射线白光形貌术 应变弛豫和界面扩散
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DKDP晶体的柱面形貌与缺陷分析
2
作者 郝秀红 常新安 +2 位作者 臧和贵 陈学安 田玉莲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期894-897,共4页
采用原子力显微镜观测全方位生长的DKDP晶体的{100}面形貌,发现有螺旋位错,由此推断DKDP晶体{100}面以螺旋位错机制生长;利用同步辐射X射线白光形貌术观测了DKDP晶体缺陷,探讨了不同生长条件及生长阶段对晶体完整性的影响。
关键词 DKDP晶体 螺旋位错 同步辐射白光形貌术
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