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延伸摩尔定律的应变硅技术
被引量：
4
1
作者
王敬
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期50-56,共7页
应变硅已成为延伸摩尔定律(Moore’s Law)的重要技术手段之一。综述了应变硅技术的发展及趋势。首先,从物理理论上分析了应变对硅沟道迁移率的影响;然后介绍了现有的各种应变硅技术;最后,分析了应变硅技术的发展趋势。
关键词
CMOS
应变硅
迁移率增强
源/漏工程
应力帽层
绝缘体上应变硅
下载PDF
职称材料
高性能绝缘层上应变硅动态阈值MOSFET的设计优化
被引量：
1
2
作者
李德斌
梁仁荣
+1 位作者
刘道广
许军
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期72-75,80,共5页
采用二维数值模拟的方法,研究了纳米尺度栅长的绝缘层上应变硅(SSOI)动态阈值(DT) MOSFET的特性,全面分析了台阶型沟道掺杂分布和沟道长度对器件开态和关态特性的影响。结果表明,通过调整轻掺杂的表面沟道和重掺杂的体杂质分布,DT SSOI...
采用二维数值模拟的方法,研究了纳米尺度栅长的绝缘层上应变硅(SSOI)动态阈值(DT) MOSFET的特性,全面分析了台阶型沟道掺杂分布和沟道长度对器件开态和关态特性的影响。结果表明,通过调整轻掺杂的表面沟道和重掺杂的体杂质分布,DT SSOI器件能在较低的电源电压下实现比非DT器件更优的性能,同时不会造成明显的器件关态漏电。从实验结果可以预测,相对于非DT器件而言,DT器件在性能上的这种优势能够保持到32 nm栅长的技术节点。
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关键词
绝缘层上应变硅
动态阈值
MOSFET
台阶掺杂
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职称材料
SOI技术及其设备
3
作者
翁寿松
《电子工业专用设备》
2006年第3期43-45,共3页
介绍了SOI技术的特点和制造方法、超薄SOI技术,应变硅SOI技术及其设备,如大束流专用氧离子注入机。
关键词
soi
技术
超薄
soi
应变硅
soi
大柬流
专用氧离子注入机
下载PDF
职称材料
题名
延伸摩尔定律的应变硅技术
被引量：
4
1
作者
王敬
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期50-56,共7页
文摘
应变硅已成为延伸摩尔定律(Moore’s Law)的重要技术手段之一。综述了应变硅技术的发展及趋势。首先,从物理理论上分析了应变对硅沟道迁移率的影响;然后介绍了现有的各种应变硅技术;最后,分析了应变硅技术的发展趋势。
关键词
CMOS
应变硅
迁移率增强
源/漏工程
应力帽层
绝缘体上应变硅
Keywords
CMOS
strained
silicon
Enhanced
mobility
Source/drain
engineering
Stressed
liner
strained
soi
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
高性能绝缘层上应变硅动态阈值MOSFET的设计优化
被引量：
1
2
作者
李德斌
梁仁荣
刘道广
许军
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期72-75,80,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60476017,60636010)
文摘
采用二维数值模拟的方法,研究了纳米尺度栅长的绝缘层上应变硅(SSOI)动态阈值(DT) MOSFET的特性,全面分析了台阶型沟道掺杂分布和沟道长度对器件开态和关态特性的影响。结果表明,通过调整轻掺杂的表面沟道和重掺杂的体杂质分布,DT SSOI器件能在较低的电源电压下实现比非DT器件更优的性能,同时不会造成明显的器件关态漏电。从实验结果可以预测,相对于非DT器件而言,DT器件在性能上的这种优势能够保持到32 nm栅长的技术节点。
关键词
绝缘层上应变硅
动态阈值
MOSFET
台阶掺杂
Keywords
strained
soi
Dynamic
threshold
MOSFET
Stepped
doping
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
SOI技术及其设备
3
作者
翁寿松
机构
无锡市罗特电子公司
出处
《电子工业专用设备》
2006年第3期43-45,共3页
文摘
介绍了SOI技术的特点和制造方法、超薄SOI技术,应变硅SOI技术及其设备,如大束流专用氧离子注入机。
关键词
soi
技术
超薄
soi
应变硅
soi
大柬流
专用氧离子注入机
Keywords
Silicon-on-Insulator
technology
Ultra-thin-
soi
strained
silicon
soi
Big
beam
flow
Private
oxygen
ion
injecting
equipment
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
延伸摩尔定律的应变硅技术
王敬
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
下载PDF
职称材料
2
高性能绝缘层上应变硅动态阈值MOSFET的设计优化
李德斌
梁仁荣
刘道广
许军
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
下载PDF
职称材料
3
SOI技术及其设备
翁寿松
《电子工业专用设备》
2006
0
下载PDF
职称材料
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