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外势场中粒子的态密度和玻色—爱因斯坦凝聚 被引量:3
1
作者 金绍维 缪胜清 易佑民 《安徽大学学报(自然科学版)》 CAS 2000年第1期60-65,共6页
以简单的幂函数势为例讨论了在外势场中的粒子态密度 ,以及理想玻色气体实现玻色—爱因斯坦凝聚的条件和性质。
关键词 态密度 玻色-爱因斯坦凝聚 临界温度
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水分子在伊利石表面的吸附作用机理分析 被引量:5
2
作者 邱鸿鑫 陈浙锐 王光辉 《矿产综合利用》 CAS 北大核心 2020年第3期197-202,196,共7页
作为煤炭分选的重要化工分离技术,浮选过程中伊利石的水化会对分选效果造成极大影响。为研究伊利石(001)面和(001)面对水分子的吸附机理,使用Materials Studio软件对水分子在伊利石表面吸附位点预测与模拟计算,应用Multiwfn软件得到了... 作为煤炭分选的重要化工分离技术,浮选过程中伊利石的水化会对分选效果造成极大影响。为研究伊利石(001)面和(001)面对水分子的吸附机理,使用Materials Studio软件对水分子在伊利石表面吸附位点预测与模拟计算,应用Multiwfn软件得到了水分子吸附前后伊利石表面静电势,并对吸附前后的电子态密度进行分析。结果表明:在伊利石表面硅氧环上,氧原子附近含有大量静电势极值点,水分子中的氢原子易于受到电负性更大的氧原子吸引,从而形成氢键,且更易吸附到IN-K-001面,水分子的吸附提升了伊利石表面静电势,吸附后体系能量降低,且为后续水化提供了更多吸附活性位点。 展开更多
关键词 分子模拟 浮选 吸附 表面 分子静电势 态密度
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a-Si TFT亚阈特征参数与有源层的厚度效应 被引量:4
3
作者 宋跃 邹雪城 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期20-25,共6页
从异质界面处的有效界面态出发 ,研究了 a-Si Nx:H/a-Si:H异质结 a-Si:H TFT的亚阈特征参数的界面效应和有源层的厚度效应 ,发现 a-Si:H的特性不仅与材料、工艺有关 ,而且其几何结构参数对 a-Si:H TFT的特性也有明显的影响。实验结果表... 从异质界面处的有效界面态出发 ,研究了 a-Si Nx:H/a-Si:H异质结 a-Si:H TFT的亚阈特征参数的界面效应和有源层的厚度效应 ,发现 a-Si:H的特性不仅与材料、工艺有关 ,而且其几何结构参数对 a-Si:H TFT的特性也有明显的影响。实验结果表明 :亚阈特征参数主要由异质界面的有效界面态密度决定 ,当 NH3/Si H4 比增加时亚阈特征参数下降 ,增加 a-Si Nx 材料的淀积温度 ,可使亚阈特性得到明显的改善 ,a-Si:H有源层的厚度减小 ,抑制了亚阈参数的增加 ,阈值电压也减小并趋于稳定 ,且 TFT的 ION/IOF F随有源层厚度呈现近似抛物线状变化规律。文中从理论上分析了有源层厚度与 TFT特性的关系 ,计算的最佳有源层的厚度约为 2 0 0 nm,这与实验结果基本一致。 展开更多
关键词 界面效应 厚度效应 亚阈特征参数 异质界面 TFT
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基于密度泛函理论的团簇Co_(2)Mo_(2)P_(3)催化性质研究
4
作者 吴庭慧 方志刚 +2 位作者 刘立娥 宋静丽 宋嘉 《广西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第5期141-149,共9页
基于拓扑学原理和密度泛函理论,本文探究团簇Co_(2)Mo_(2)P_(3)的催化反应作用机理及其活性产生的原因,使用Gaussian09程序,在B3LYP/Lanl2dz水平下,对团簇的初始构型进行全参数优化和运算分析。对Co_(2)Mo_(2)P_(3)中各个原子对其HOMO和... 基于拓扑学原理和密度泛函理论,本文探究团簇Co_(2)Mo_(2)P_(3)的催化反应作用机理及其活性产生的原因,使用Gaussian09程序,在B3LYP/Lanl2dz水平下,对团簇的初始构型进行全参数优化和运算分析。对Co_(2)Mo_(2)P_(3)中各个原子对其HOMO和LUMO轨道的贡献进行研究,得到Co对其前线轨道的贡献率为53.511%、59.013%,Co原子在该团簇中是潜在的活性位点。通过观察态密度图和HOMO-LUMO图,发现Co原子是引起费米能量级两边峰值的主要因素。进一步的能隙差和库普曼斯定理分析显示,构型1(4)和3(4)具有较强的得失电子能力,并且拥有比其他构型更强的催化活性,这些结果为深入理解团簇Co_(2)Mo_(2)P_(3)的催化性能提供了有力支持。本研究的发现为团簇Co_(2)Mo_(2)P_(3)在催化反应中的应用机制和活性产生的原因提供了重要理论依据,为进一步优化催化性能,设计高效催化剂提供了有益参考。 展开更多
关键词 团簇Co_(2)Mo_(2)P_(3) 密度泛函理论 前线轨道 催化性质 态密度 能隙差 库普曼斯定理
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Schwarzschild-de Sitter黑洞宇宙视界量子态的熵 被引量:4
5
作者 韩亦文 洪云 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期3270-3273,共4页
采用由广义不确定关系得到的新的态密度方程 ,研究了Schwarzchild deSitter时空背景下黑洞宇宙视界的熵 .利用新的态密度方程 ,克服了用brick wall模型方法计算黑洞熵 ,在消除紫外发散需取截断的不完善之处 ,以此揭示了黑洞熵与其视界... 采用由广义不确定关系得到的新的态密度方程 ,研究了Schwarzchild deSitter时空背景下黑洞宇宙视界的熵 .利用新的态密度方程 ,克服了用brick wall模型方法计算黑洞熵 ,在消除紫外发散需取截断的不完善之处 ,以此揭示了黑洞熵与其视界面积成正比这一内在联系 。 展开更多
关键词 黑洞熵 视界 宇宙 BRICK-WALL模型 广义不确定关系 时空 量子态 态密度 发散 紫外
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基于状态空间的EEG信号分析 被引量:3
6
作者 游荣义 徐慎初 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期736-740,共5页
为寻求脑电(Electroencephalogram,EEG)分析的新途径,提出了一种基于状态空间的脑电分析的新方法.利用状态空间点间的欧氏距离来计算脑电状态空间的态密度和态方差.实验结果表明,态密度和态方差不仅计算简单,而且与脑电的关联维数和Lyap... 为寻求脑电(Electroencephalogram,EEG)分析的新途径,提出了一种基于状态空间的脑电分析的新方法.利用状态空间点间的欧氏距离来计算脑电状态空间的态密度和态方差.实验结果表明,态密度和态方差不仅计算简单,而且与脑电的关联维数和Lyapunov指数相比,更能有效地反映混沌系统非线性动力学的特征.此外,还计算了基于距离协方差的脑电信号的奇异谱,并对结果作了分析. 展开更多
关键词 状态空间 EEG信号 脑电信号分析 态密度 奇异谱 SS
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表面掺杂增强金刚石/铜复合材料界面结合的计算研究
7
作者 李跃 杨雪峰 +4 位作者 韩金江 孟汝浩 左宏森 栗正新 汪勇杰 《超硬材料工程》 CAS 2024年第3期25-31,共7页
采用基于密度泛函理论的材料模拟程序CASTEP模块,研究B、N、Si掺杂对金刚石表面结构的影响。结果表明,B、N、Si的掺杂可以改变金刚石表面的电子状态,其中硼原子会与碳原子形成强的键合作用,而硅和氮原子则形成弱的键合作用。并以B、N、S... 采用基于密度泛函理论的材料模拟程序CASTEP模块,研究B、N、Si掺杂对金刚石表面结构的影响。结果表明,B、N、Si的掺杂可以改变金刚石表面的电子状态,其中硼原子会与碳原子形成强的键合作用,而硅和氮原子则形成弱的键合作用。并以B、N、Si封端金刚石作为增强体,分析掺杂金刚石对金刚石/铜复合材料的影响,结果表明,对金刚石进行表面掺氮和掺硅可以提高金刚石/铜界面的结合强度,其中掺氮的效果最好。电子态密度表明,掺杂金刚石表面第一层原子在费米能级附近的电子状态分布对电子-声子耦合有利。 展开更多
关键词 金刚石/铜 表面掺杂 封端金刚石 结合强度 态密度
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利用广义不确定关系计算Gibbons-Maeda黑洞的统计力学熵 被引量:3
8
作者 贺锋 赵凡 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期740-743,共4页
利用广义不确定关系修正的态密度方程并采用WKB近似方法,计算了Gibbons-Maeda黑洞时空中标量场的统计力学熵.所得的统计力学熵与该黑洞的视界面积成正比,与Brick-Wall方法所得的结果相同,但不需要取任何截断就能避免Brick-Wall方法的发... 利用广义不确定关系修正的态密度方程并采用WKB近似方法,计算了Gibbons-Maeda黑洞时空中标量场的统计力学熵.所得的统计力学熵与该黑洞的视界面积成正比,与Brick-Wall方法所得的结果相同,但不需要取任何截断就能避免Brick-Wall方法的发散问题. 展开更多
关键词 广义不确定关系 Gibbons-Maeda黑洞 态密度 统计力学熵
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Ⅲ-V族半导体材料组成光子晶体能态密度特性 被引量:4
9
作者 陈士芹 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期23-24,共2页
应用平面波展开法研究Ⅲ-V族半导体材料组成光子晶体能态密度特性,得到填充率f随晶格半径a之间的变化对应的能态密度分布,当f=0.2a时归一化频率存在最大光子带隙。通过比较化合物半导体材料为AIP、AIAs、AISb和GaP构成二维方形光子晶体... 应用平面波展开法研究Ⅲ-V族半导体材料组成光子晶体能态密度特性,得到填充率f随晶格半径a之间的变化对应的能态密度分布,当f=0.2a时归一化频率存在最大光子带隙。通过比较化合物半导体材料为AIP、AIAs、AISb和GaP构成二维方形光子晶体得出GaP有较宽的光子禁带,随着填充率的增加光子晶体带隙增加。研究结果为光子晶体器件的研究提供理论依据。 展开更多
关键词 半导体材料 光子晶体 平面波展开法 能态密度
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N与过渡金属共掺杂TiO_2理论模型的设计 被引量:3
10
作者 于慧 于美燕 +2 位作者 张玥 孙伟伟 刘盈 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1058-1063,共6页
利用CASTEP软件包,采用密度泛函方法计算设计了N与过渡金属共掺杂TiO2的模型并进行了结构优化,通过对共掺杂结构进行能带结构、态密度、能量分析和模拟紫外-可见吸收光谱分析,可知N/V共掺杂体系有效地减小了TiO2禁带宽度,降低了光子跃... 利用CASTEP软件包,采用密度泛函方法计算设计了N与过渡金属共掺杂TiO2的模型并进行了结构优化,通过对共掺杂结构进行能带结构、态密度、能量分析和模拟紫外-可见吸收光谱分析,可知N/V共掺杂体系有效地减小了TiO2禁带宽度,降低了光子跃迁所需要的能量,使吸收光谱红移,能够很好的提高光利用率和光生载流子的利用率。另外,间隙位N掺杂和替代位N掺杂共同存在时,由于互补效应,共掺杂体系能够很好地吸收紫外-可见光。 展开更多
关键词 密度泛函 共掺杂 态密度
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Ag-S共掺杂锐钛矿相TiO_2的电子结构及光催化性能研究 被引量:3
11
作者 谭永前 曾凡菊 +1 位作者 张颂 杨永亮 《凯里学院学报》 2018年第3期23-27,共5页
采用Ag,S对锐钛矿相TiO_2进行了替位掺杂,构建了Ag,S单掺杂以及Ag-S共掺杂锐钛矿相TiO_2三种杂质体系,并采用第一性原理计算了杂质体系的电子结构、差分电荷密度、能带结构、态密度以及光学性质.研究结果表明:Ag,S单掺杂或Ag-S共掺杂Ti... 采用Ag,S对锐钛矿相TiO_2进行了替位掺杂,构建了Ag,S单掺杂以及Ag-S共掺杂锐钛矿相TiO_2三种杂质体系,并采用第一性原理计算了杂质体系的电子结构、差分电荷密度、能带结构、态密度以及光学性质.研究结果表明:Ag,S单掺杂或Ag-S共掺杂TiO_2后,杂质体系的总能比未掺杂时低,杂质体系结构稳定;Ag,S单掺杂TiO_2后由于分别在杂质体系中引入了Ag-4d电子轨道与S-3p电子轨道,在带隙中形成了浅杂质能级,导致吸收光红移;Ag-S共掺杂TiO_2后,在Ag与S之间形成了稳定的共价键,结构更稳定,且由于Ag-4d与S-3p电子轨道的协同作用,使得带隙间形成了三条明显的浅杂质能级,吸收光谱红移最明显.证明了Ag-S共掺杂锐钛矿相TiO_2后,结构更稳定,提高TiO_2电子迁移率的同时拓展了TiO_2的光吸收范围. 展开更多
关键词 Ag-S共掺杂TiO2 差分电荷密 能带结构 态密度 光学吸收性质
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基于第一性原理的Mn-AlN和Cr-AlN的半金属性质 被引量:3
12
作者 樊玉勤 何阿玲 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第10期2801-2806,共6页
基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下研究了纤锌矿Mn-AlN和Cr-AlN的能带结构、态密度与磁学等性质.结果表明,Mn-AlN和Cr-AlN的半金属能隙都随着杂质浓度的增大而减小.原因可能是随着Mn/Cr掺杂浓度的增大,杂质... 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下研究了纤锌矿Mn-AlN和Cr-AlN的能带结构、态密度与磁学等性质.结果表明,Mn-AlN和Cr-AlN的半金属能隙都随着杂质浓度的增大而减小.原因可能是随着Mn/Cr掺杂浓度的增大,杂质原子间相互作用增强,Mn/Cr 3d与N 2p杂化减弱,使得自旋交换劈裂变小,从而半金属能隙变窄.在同等掺杂浓度下,Mn-AlN比Cr-AlN的半金属能隙大.这是因为Mn 3d态能级比Cr 3d态能级低,Mn 3d与N 2p杂化更强,导致自旋交换劈裂更大,自旋向下子带的导带底相对远离费米能级,因此Mn-AlN的半金属能隙较大. 展开更多
关键词 ALN 过渡金属掺杂 半金属 能带结构 态密度
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空穴浓度、基底和温度对金属基外延石墨烯态密度的影响 被引量:3
13
作者 高君华 刘炜 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第5期1067-1072,共6页
以吸附在金属铜基底上的外延石墨烯为例,研究了空穴浓度随温度的变化,探讨了空穴浓度和基底以及温度对金属基外延石墨烯态密度的影响.结果表明:(1)空穴浓度随温度升高而非线性增大,铜基底外延石墨烯的空穴浓度随温度的变化率小于石墨烯... 以吸附在金属铜基底上的外延石墨烯为例,研究了空穴浓度随温度的变化,探讨了空穴浓度和基底以及温度对金属基外延石墨烯态密度的影响.结果表明:(1)空穴浓度随温度升高而非线性增大,铜基底外延石墨烯的空穴浓度随温度的变化率小于石墨烯的相应值;(2)与石墨烯相比,基底的存在使铜基外延石墨烯的空穴浓度随温度的变化要迅速增大,态密度在电子能量为0时的值要增大,而态密度极大值相应的电子能量(称为最可几能量)变小;(3)铜基外延石墨烯的态密度随空穴浓度α的增大和温度的升高而减小,其中,随空穴浓度α的变化为线性,而随温度的变化为非线性. 展开更多
关键词 铜基外延石墨烯 态密度 空穴浓度 温度
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密度泛函理论研究KB_n(n=1-9)团簇的结构和性质 被引量:2
14
作者 孙凌涛 郭朝中 石东平 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期977-982,共6页
在密度泛函理论的框架下,采用广义梯度近似(GGA)研究了KB_n(n=1-9)团簇的基态几何结构,系统计算了平均结合能Eb、二阶能量差分△2E、劈裂能D(n,n-1)、最高占据轨道(HOMO)与最低未占据轨道(LUMO)之间的能隙,研究表明:KB_n(n=1-9)团簇,随... 在密度泛函理论的框架下,采用广义梯度近似(GGA)研究了KB_n(n=1-9)团簇的基态几何结构,系统计算了平均结合能Eb、二阶能量差分△2E、劈裂能D(n,n-1)、最高占据轨道(HOMO)与最低未占据轨道(LUMO)之间的能隙,研究表明:KB_n(n=1-9)团簇,随着团簇尺寸的变化,其稳定性逐渐增强,其中KB_3和KB_5为幻数团簇;KB_n(n=1-9)团簇的能隙随团簇总原子数的增加呈现振荡变化,态密度分析得到能隙振荡变化的原因是团簇带隙的差异. 展开更多
关键词 团簇 稳定结构 密度泛函理论 态密度
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Density Functional Theory Study of Oxygen Atom Adsorption on Different Surfaces of Pyrite 被引量:1
15
作者 黄腾 雷绍民 +2 位作者 JI Mengjiao LIU Yuanyuan FAN Yanming 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2017年第6期1464-1469,共6页
We discussed the oxidation differential and mechanisms on different planes of pyrite. The experimental results show that the oxidation priority is:(222) plane〉(200) plane〉(200) plane, and there is no direct c... We discussed the oxidation differential and mechanisms on different planes of pyrite. The experimental results show that the oxidation priority is:(222) plane〉(200) plane〉(200) plane, and there is no direct correlation between the crystal plane index, the atom numbers, and the oxidation priority. However, with more exchanged charge among atoms, the oxidation could be conducted more easily, and the distribution rule of the electric charge conforms with the variation trend of adsorption energy, which will provide more overall cognition on the oxidation mechanism of pyrite from the atomic scale. 展开更多
关键词 DFT PYRITE adsorption energy chai e analysis state density
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基于第一性原理的静水压下CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)的电子结构 被引量:2
16
作者 王丹 成鹏飞 党子妍 《西安工程大学学报》 CAS 2021年第1期102-107,共6页
基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势平面波方法,研究静水压对CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(以下简称CCTO)能带结构、态密度及介电性能的影响,建立介电性能与晶胞畸变之间的内在关系。能带结构计算表明:价带顶主要由O-2p和Cu-3d态电子贡献,... 基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势平面波方法,研究静水压对CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(以下简称CCTO)能带结构、态密度及介电性能的影响,建立介电性能与晶胞畸变之间的内在关系。能带结构计算表明:价带顶主要由O-2p和Cu-3d态电子贡献,导带底主要由Ti-4d态电子贡献,且带隙随着压强的增加而增大;费米能级附近,O-2p态电子和Cu-3d态电子起主要作用,即CuO4正方形结构对CCTO的介电性能产生重要影响。介电性能分析表明:当压力不断增大时,CCTO晶格内原子间的相互距离,相互作用的强度和方式发生改变,促使电子结构发生变化,光频介电常数增大。因此,晶胞调控是优化CCTO介电性能的有效途径。 展开更多
关键词 CaCu_(3)Ti_(4)O_(12) 第一性原理 电子结构 态密度 能带结构 介电函数
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不同Mg掺杂位置对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响 被引量:2
17
作者 毛彩霞 黄海铭 胡永红 《华中师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2016年第2期190-195,共6页
通过第一性原理计算,研究了替代位和间隙位Mg掺杂对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响.结果表明,替代位Mg掺杂导致ZnO带隙展宽,而间隙位Mg掺杂ZnO形成n型半导体.比较了纯ZnO和不同Mg掺杂位置MgZnO体系的分波和总电子态密度,并解释了... 通过第一性原理计算,研究了替代位和间隙位Mg掺杂对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响.结果表明,替代位Mg掺杂导致ZnO带隙展宽,而间隙位Mg掺杂ZnO形成n型半导体.比较了纯ZnO和不同Mg掺杂位置MgZnO体系的分波和总电子态密度,并解释了相应的电子结构和光学性质的差别.发现替代位Mg掺杂和纯ZnO体系的光学特性差别较小,而间隙位Mg掺杂导致ZnO光吸收边蓝移,折射率减小,而且在可见到近紫外光区域(0到4.2eV),具有比纯ZnO更好的光透过性. 展开更多
关键词 第一性原理计算 电子结构 态密度 光学性质 MGZNO
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ZnS掺杂Fe^(2+)电子结构第一性原理计算及对矿物浸出的影响 被引量:2
18
作者 凡杰 谢刚 +3 位作者 田林 俞小花 王冰冰 王品杰 《有色金属科学与工程》 CAS 北大核心 2021年第2期1-7,共7页
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了闪锌矿结构在纯净ZnS和掺杂Fe^(2+)后ZnS的晶体结构和电子结构,分析了掺杂Fe^(2+)对ZnS晶体的能带结构、电子态密度的影响,并进行布局分析。计算分析结果表明:掺杂体系... 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了闪锌矿结构在纯净ZnS和掺杂Fe^(2+)后ZnS的晶体结构和电子结构,分析了掺杂Fe^(2+)对ZnS晶体的能带结构、电子态密度的影响,并进行布局分析。计算分析结果表明:掺杂体系费米能级附近的电子态密度主要来源于Fe 3d态电子的贡献;S原子上失电子作用增强,结果是加快Zn-S键解体。在酸性体系中,ZnS通过化学和电化学2种方法溶解,在杂质铁含量较低时主要是以化学方式为主,随着杂质铁含量提高(铁含量<20%),电化学溶解作用增强,2种方式共同促进硫化锌矿物的溶解,提高锌的浸出效率。 展开更多
关键词 掺杂Fe^(2+) 第一性原理 能级 态密度 催化
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钙钛矿电子结构的密度泛函理论研究 被引量:1
19
作者 徐明 孙兆林 +2 位作者 陈永昌 王凌涛 宋丽娟 《石油化工高等学校学报》 CAS 2011年第2期40-46,46,共7页
应用密度泛函理论(DFT)计算方法,优化了K2Ti2O5的稳定几何构型,并计算了此钙钛矿体系的能带结构和态密度等基态物理性质。结果表明,K2Ti2O5属于间接绝缘体氧化物,其理论带隙宽度为2.6 eV。Ti原子处于氧原子的中心,其d轨道分裂为能量较高... 应用密度泛函理论(DFT)计算方法,优化了K2Ti2O5的稳定几何构型,并计算了此钙钛矿体系的能带结构和态密度等基态物理性质。结果表明,K2Ti2O5属于间接绝缘体氧化物,其理论带隙宽度为2.6 eV。Ti原子处于氧原子的中心,其d轨道分裂为能量较高的eg和能量较低的t2g轨道,各轨道都靠近费米能级变为占据或半占据状态,而这对Ti原子的催化性能起着重要作用。分析了K2Ti2O5各个轨道电子转移的情况,为合成K2Ti2O5催化剂提供了一定的理论指导。 展开更多
关键词 密度泛函理论 钙钛矿 催化 态密度
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小直径螺旋型单壁碳纳米管电子结构的计算 被引量:1
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作者 郭连权 冷利 +4 位作者 刘嘉慧 宋开颜 马贺 李大业 张平 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 2011年第5期506-509,515,共5页
针对结构参数(m,n)为(4,1)、(4,2)和(5,2)等小直径螺旋型单壁碳纳米管的电子结构,采用密度泛函理论、第一性原理以及AB INIT软件进行了理论计算,得到了上述管的电子能带及其态密度曲线,并分析了这些管的导电性能.计算结果表明:(4,1)和(5... 针对结构参数(m,n)为(4,1)、(4,2)和(5,2)等小直径螺旋型单壁碳纳米管的电子结构,采用密度泛函理论、第一性原理以及AB INIT软件进行了理论计算,得到了上述管的电子能带及其态密度曲线,并分析了这些管的导电性能.计算结果表明:(4,1)和(5,2)这两种单壁碳纳米管无能量禁带,均属于金属型;而(4,2)管有能量禁带,属于半导体型.此结论与用金属型单壁碳纳米管的判据m-n=3J(J=0,1,2,3,…)给出的结果一致. 展开更多
关键词 小直径 单壁碳纳米管 螺旋型 密度泛函理论 第一性原理 ABINIT软件 能带 态密度
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