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InGaAs探测器的盲元分析及P电极优化
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作者 邓洪海 杨波 +8 位作者 夏辉 邵海宝 王强 王志亮 朱友华 黄静 李雪 邵秀梅 龚海梅 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期101-106,共6页
采用扫描电容显微镜分析了平面型PIN In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As短波红外探测器盲元产生的原因,利用半导体器件仿真工具Sentaurus TCAD对探测器中的盲元特性进行了模拟,并利用制备的Au/P-In_(0.52... 采用扫描电容显微镜分析了平面型PIN In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As短波红外探测器盲元产生的原因,利用半导体器件仿真工具Sentaurus TCAD对探测器中的盲元特性进行了模拟,并利用制备的Au/P-In_(0.52)Al_(0.48)As传输线结构芯片对P电极的欧姆接触进行优化.研究结果表明,P电极与扩散区外的N^--In_(0.52)Al_(0.48)As帽层形成导电通道导致了盲元的产生,优化后Au与P-In_(0.52)Al_(0.48)As帽层之间具有更低的比接触电阻为3.52×10^(-4)Ω·cm^(-2),同时Au在高温快速热退火过程中的流动被抑制,从而降低了盲元产生的概率. 展开更多
关键词 短波红外探测器 INGAAS 盲元 比接触电阻 AU
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