期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
非晶SiO_2薄膜中氧双键缺陷电子及光学特性的第一性原理研究
被引量：
3
1
作者
刘新
单凡
+3 位作者
陈仙
陈帛雄
任旭升
张爱民
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期875-878,共4页
利用第一性原理对离子溅射沉积的非晶SiO2薄膜微观结构进行了分析、研究,结果表明,氧双键缺陷(SGs)可以作为体缺陷稳定存在于非晶SiO2中,SGs缺陷导致非晶SiO2薄膜材料禁带中引入了新的电子态,减小了禁带宽度;同时采用时相关密度泛函理论...
利用第一性原理对离子溅射沉积的非晶SiO2薄膜微观结构进行了分析、研究,结果表明,氧双键缺陷(SGs)可以作为体缺陷稳定存在于非晶SiO2中,SGs缺陷导致非晶SiO2薄膜材料禁带中引入了新的电子态,减小了禁带宽度;同时采用时相关密度泛函理论(TDDFT)对其光学特性进行了研究,得到非晶SiO2薄膜介电常数与入射光子能量间的关系曲线,从介电常数的虚部发现SGs缺陷在3.6eV处存在一个光学吸收峰.
展开更多
关键词
非晶SiO2薄膜
氧双键缺陷
第一性原理
吸收光谱
下载PDF
职称材料
题名
非晶SiO_2薄膜中氧双键缺陷电子及光学特性的第一性原理研究
被引量：
3
1
作者
刘新
单凡
陈仙
陈帛雄
任旭升
张爱民
机构
西安飞行自动控制研究所
西安交通大学
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期875-878,共4页
基金
总装预先研究项目(51318020101)
文摘
利用第一性原理对离子溅射沉积的非晶SiO2薄膜微观结构进行了分析、研究,结果表明,氧双键缺陷(SGs)可以作为体缺陷稳定存在于非晶SiO2中,SGs缺陷导致非晶SiO2薄膜材料禁带中引入了新的电子态,减小了禁带宽度;同时采用时相关密度泛函理论(TDDFT)对其光学特性进行了研究,得到非晶SiO2薄膜介电常数与入射光子能量间的关系曲线,从介电常数的虚部发现SGs缺陷在3.6eV处存在一个光学吸收峰.
关键词
非晶SiO2薄膜
氧双键缺陷
第一性原理
吸收光谱
Keywords
Amorphous
SiO2
thin
films
silanone
groups
First
principles
Absorption
spectrum
分类号
O484 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非晶SiO_2薄膜中氧双键缺陷电子及光学特性的第一性原理研究
刘新
单凡
陈仙
陈帛雄
任旭升
张爱民
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
