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SiGe MOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究 被引量：3
1
作者 李竞春 杨沛峰 +3 位作者 杨谟华 谭开洲 何林 郑娥 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期192-194,共3页
为了获得电学性能良好的 Si Ge PMOS Si O2 栅介质薄膜 ,采用等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)工艺 ,对低温 30 0°C下薄膜制备技术进行了研究。实验表明 ,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面... 为了获得电学性能良好的 Si Ge PMOS Si O2 栅介质薄膜 ,采用等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)工艺 ,对低温 30 0°C下薄膜制备技术进行了研究。实验表明 ,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度。该技术用于 Si Ge PMOS研制 ,在30 0 K常温和 77K低温下 ,其跨导分别达到 45m S/mm和 92 .5m S/mm(W/L=2 0 μm/2 μm) 展开更多
关键词 栅介质薄膜 低温制备 锗化硅 MOS器件 二氧化硅
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新型SiO_2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器 被引量：1
2
作者 刘兴明 韩琳 刘理天 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第6期764-766,770,共4页
对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更... 对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更好的温度稳定性;在制作工艺方面具有更高的工艺重复性和栅介质淀积的均匀性。 展开更多
关键词 非晶硅薄膜晶体管 室温红外探测器 sio2栅介质
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