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纳米尺寸铁酸锌半导体催化剂的表征及催化性能研究 被引量：34
1
作者 李新勇 李树本 吕功煊 《分子催化》 EI CAS CSCD 1996年第3期187-193,共7页
采用改进的化学共沉淀法制备了不同平均粒径的ＺｎＦｅ２Ｏ４纳米晶体，利用Ｘ－射线衍射和透射电镜技术对其超微结构和表面形貌进行了研究．着重利用付里叶变换红外光谱和穆斯堡尔谱对其谱学特性（“量子尺寸效应”和“穆斯堡尔效应”... 采用改进的化学共沉淀法制备了不同平均粒径的ＺｎＦｅ２Ｏ４纳米晶体，利用Ｘ－射线衍射和透射电镜技术对其超微结构和表面形貌进行了研究．着重利用付里叶变换红外光谱和穆斯堡尔谱对其谱学特性（“量子尺寸效应”和“穆斯堡尔效应”）进行了研究，并详细探讨了纳米ＺｎＦｅ２Ｏ４催化剂对光催化性能的影响。 展开更多
关键词 铁酸锌 催化剂 催化性能 半导体催化剂 纳米晶体
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强激光辐照半导体材料的温升及热应力损伤的理论研究 被引量：19
2
作者 强希文 张建泉 +1 位作者 刘峰 陈雨生 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期709-713,共5页
分别采用数值方法与解析方法 ,研究了连续波激光辐照半导体材料时产生的温升及热应力 .讨论了不同激光参数 强度、波形、波长及脉冲持续时间 与温度及热应力之间的关系 ,以及造成半导体材料热应力损伤的激光阈值强度 .
关键词 激光辐照效应 半导体材料 热应力损伤 温升
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半导体制冷材料的发展 被引量：23
3
作者 高远 李杏英 +1 位作者 蒋玉思 王求新 《广东有色金属学报》 2003年第1期34-36,共3页
总结了目前二元固溶体、三元固溶体及一些新的半导体制冷材料的研究情况,较全面地介绍了现今性能较好的半导体制冷器材料,并简单总结了提高材料优值系数的方法。
关键词 珀耳帖效应 半导体制冷 半导体材料 优值系数 二元固溶体 三元固溶体
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磁场在晶体生长中的应用研究进展 被引量：9
4
作者 梁歆桉 金蔚青 潘志雷 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期833-839,共7页
综述了磁场影响晶体生长的两种机制，磁场的产生和构型，在半导体材料硅、砷化镓、磷化铟晶体生长中的应用，在蛋白质及氧化物晶体生长方面的新进展．
关键词 磁场 晶体生长 蛋白质 氧化物 半导体
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强激光对光电器件及半导体材料的破坏研究 被引量：11
5
作者 倪晓武 沈中华 陆建 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 1997年第6期487-490,共4页
本文综述了强激光对光电器件、半导体材料的破坏研究的进展、研究现状和尚未解决的问题。
关键词 强激光 光电子器件 半导体材料 损伤机制
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半导体ZnO晶体生长及其性能研究进展 被引量：10
6
作者 巩锋 臧竞存 杨敏飞 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第2期35-37,75,共4页
ZnO晶体是直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。其禁带宽度对应紫外光的波长,有望开发蓝绿光、蓝光、紫外光等多种发光器件。对ZnO晶体的生长方法及研究进展做了简要的叙述。
关键词 ZNO 晶体生长 性能 直接宽带隙材料 半导体材料 氧化锌
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连续波激光辐照半导体InSb材料的熔融破坏 被引量：12
7
作者 强希文 刘峰 +2 位作者 张建泉 陈雨生 黄流兴 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期372-376,共5页
采用数值方法 ,研究了半导体 In Sb材料受连续波激光辐照的熔融阈值 ,讨论了 In Sb材料的熔融阈值与入射激光波长、功率密度以及辐照时间的关系 ,同时考虑了载流子效应对靶内温升过程以及熔融阈值的影响 。
关键词 激光辐照效应 锑化铟 连续波激光
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热压法制备Bi_2Te_3基热电材料的组织与性能 被引量：11
8
作者 卢波辉 赵新兵 +1 位作者 倪华良 吉晓华 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2004年第3期13-16,共4页
采用真空单轴热压(HUP)方法制备了Bi_2Te_3基热电材料。结果表明,HUP试样的密度在原始区熔材料的97％以上。所有HUP试样的剪切强度都在21MPa以上,与区熔Bi_2Te_3基材料(001)解理面的强度相比,提高4倍左右。电学性能测试发现,HUP试样的... 采用真空单轴热压(HUP)方法制备了Bi_2Te_3基热电材料。结果表明,HUP试样的密度在原始区熔材料的97％以上。所有HUP试样的剪切强度都在21MPa以上,与区熔Bi_2Te_3基材料(001)解理面的强度相比,提高4倍左右。电学性能测试发现,HUP试样的电学性能低于区熔试样,其原因被认为主要是由于在材料粉碎和热压过程中,有效载流子浓度发生了变化。实验发现,相对于区熔试样,p型HUP试样的最佳工作温度向低温方向偏移,而n型HUP试样的最佳工作温度向高温方向移动。 展开更多
关键词 真空单轴热压 基热电材料 BI2TE3 组织 性能 半导体材料
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太阳能电池研究进展 被引量：13
9
作者 张敬爽 胡湛晗 +3 位作者 王美丽 张静 刘红云 刘婕 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期1-4,共4页
环境问题日益严重,太阳能作为一种蕴藏丰富、清洁安全的能源,被认为是解决能源衰竭和环境污染等一系列重大问题的关键。笔者通过对新型太阳能电池的概述,比较了不同类型太阳能电池的材料、制备方法和研究进展,指出了各类太阳能电池的限... 环境问题日益严重,太阳能作为一种蕴藏丰富、清洁安全的能源,被认为是解决能源衰竭和环境污染等一系列重大问题的关键。笔者通过对新型太阳能电池的概述,比较了不同类型太阳能电池的材料、制备方法和研究进展,指出了各类太阳能电池的限制因素,展望了其发展方向。 展开更多
关键词 太阳能电池 光电效应 半导体材料 异质结
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脉冲强激光辐照半导体材料损伤效应的解析研究 被引量：8
10
作者 强希文 刘峰 张建泉 《光电子技术》 CAS 2000年第1期52-58,共7页
研究了强激光辐照半导体材料Insb时的热输运、自由载流子输运和光子输运过程，探讨了激光对半导体材料的损伤机理。为半导体材料的辐射效应和抗辐射加固技术提供了一个理论证据。
关键词 强激光 半导体材料 辐照效应 损伤机理
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SiC半导体材料和工艺的发展状况 被引量：8
11
作者 崔晓英 《电子产品可靠性与环境试验》 2007年第4期58-62,共5页
碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,适用于制作高压、高功率和高温器件,并可以工作在直流到微波频率范围。阐述了SiC材料的性质,详细介绍了SiC器件工艺(掺杂、刻蚀、氧化及金属半导体接触)的最新进展,并指出了存在的问题及发展趋势。
关键词 碳化硅器件 器件工艺 半导体材料
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聚焦离子束研制半导体材料光子晶体 被引量：8
12
作者 许兴胜 熊志刚 +2 位作者 金爱子 陈弘达 张道中 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期916-921,共6页
介绍了利用聚焦离子束设备在多种半导体材料上成功研制的近红外波段二维光子晶体,给出了相关微加工结果,发现微加工的尺寸和理论设计尺寸相吻合;测试了所加工的无源光子晶体光子带隙和有源光子晶体的发光谱.实验证明聚焦离子束可以研制... 介绍了利用聚焦离子束设备在多种半导体材料上成功研制的近红外波段二维光子晶体,给出了相关微加工结果,发现微加工的尺寸和理论设计尺寸相吻合;测试了所加工的无源光子晶体光子带隙和有源光子晶体的发光谱.实验证明聚焦离子束可以研制二维光子晶体及相关光子晶体器件. 展开更多
关键词 聚焦离子束 半导体材料 光子晶体
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InN材料及其应用 被引量：7
13
作者 谢自力 张荣 +9 位作者 毕朝霞 刘斌 修向前 顾书林 江若琏 韩平 朱顺明 沈波 施毅 郑有炓 《微纳电子技术》 CAS 2004年第12期26-32,共7页
由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一。本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向。最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景。
关键词 INN 带隙 半导体材料 晶格常数 晶格匹配
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关于LED新发展的探讨 被引量：9
14
作者 张磊 《电子质量》 2011年第1期68-70,76,共4页
LED作为第四代光源,是目前公认的"绿色光源"。该文结合LED光源的基本发光原理、主要优点,说明其在照明、显示、背光等领域的应用及发展。此外,该文也指出了LED光源在应用中的不足之处,最后对LED的现状和前景进行了总结和展望。
关键词 LED 绿色光源 半导体材料
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新一代半导体材料氧化镓单晶的制备方法及其超精密加工技术研究进展 被引量：10
15
作者 高尚 李洪钢 +2 位作者 康仁科 何宜伟 朱祥龙 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第9期213-232,共20页
氧化镓(β-Ga2O3)单晶是继碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)之后,制造超高压功率器件、深紫外光电子器件、高亮度LED等高性能半导体器件的新一代半导体材料,大尺寸低缺陷氧化镓单晶的制备方法以及高表面质量氧化镓晶片的超精密加工技术是实现... 氧化镓(β-Ga2O3)单晶是继碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)之后,制造超高压功率器件、深紫外光电子器件、高亮度LED等高性能半导体器件的新一代半导体材料,大尺寸低缺陷氧化镓单晶的制备方法以及高表面质量氧化镓晶片的超精密加工技术是实现氧化镓半导体器件工业应用的瓶颈之一。针对易产生结构缺陷的氧化镓单晶的制备,系统阐述焰熔法、提拉法、光浮区法、导模法、布里奇曼法等氧化镓单晶制备方法的国内外研究进展,通过对比不同方法制备氧化镓单晶的晶体生长速度、晶体尺寸和内部缺陷等,分析不同制备方法的优缺点,指出大尺寸低缺陷氧化镓单晶制备方法的未来发展趋势;针对硬度高、脆性大、各向异性大、极易解理破碎的氧化镓晶片的超精密加工技术,详细介绍国内外在超精密加工氧化镓晶片的表面材料去除机理、亚表面损伤产生机理与演变规律,以及氧化镓晶片超精密磨削、研磨和抛光工艺等方面的研究进展,分析氧化镓晶片在加工过程中极易解理破碎的原因和目前采用游离磨料研磨工艺加工氧化镓晶片的局限性,提出未来实现大尺寸氧化镓晶片高效率高表面质量加工的工艺方法。分析表明,在氧化镓单晶制备方面,导模法将是未来批量化制备大尺寸低缺陷氧化镓单晶的最佳方法,但生长过程中气氛的选择与调控、不同缺陷的产生机理与抑制方法以及p型氧化镓单晶的掺杂方法等问题亟需解决。在氧化镓晶片超精密加工方面,基于工件旋转磨削原理的金刚石砂轮超精密磨削技术将是实现大尺寸氧化镓晶片高效高表面质量加工的有效方法,但氧化镓单晶延性域去除和解理破碎的临界磨削条件、表面质量和加工效率约束下的砂轮参数和磨削参数的选择等问题还亟待系统研究,才能为氧化镓晶片的超精密磨削加工提供理论指导。 展开更多
关键词 半导体材料 氧化镓单晶 晶体生长 超精密加工
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SiC和GaN电子材料和器件的几个科学问题 被引量：6
16
作者 李效白 《微纳电子技术》 CAS 2004年第11期1-6,共6页
扼要地叙述了宽禁带半导体SiC和GaN电子材料和器件的发展状况,介绍了SiC多形体、AlGaN/GaN异质结极化效应、GaN器件的电流塌陷效应和陷阱效应、SiC和GaN器件的特征工艺问题(离子注入、金属化等)以及温度升高时SiC载流子的冻析效应等。
关键词 宽禁带 SIC GAN 半导体材料 多形体 电流塌陷效应 陷阱效应 冻析效应 离子注入
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半导体材料的发展及现状 被引量：2
17
作者 周立军 《半导体情报》 2001年第1期12-15,共4页
介绍了半导体材料近 1 0年来的开发、研制状况及其在半导体器件和电路中的应用 ;对其中一些材料进行了分析比较 ;描述了半导体新型材料的发展前景。
关键词 半导体材料 HEMT MESFET 硅 砷化镓 半导体器件
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PECVD氮化硅薄膜性质及工艺研究 被引量：9
18
作者 李攀 张倩 +1 位作者 夏金松 卢宏 《光学仪器》 2019年第3期81-86,共6页
为了制备高质量氮化硅薄膜,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)进行氮化硅的气相沉积,讨论了工艺参数对薄膜性能的影响,验证设备工艺均匀性和批次间一致性。通过高低频交替生长低应力氮化硅薄膜,并检测薄膜应力,对工艺进行了优化,探... 为了制备高质量氮化硅薄膜,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)进行氮化硅的气相沉积,讨论了工艺参数对薄膜性能的影响,验证设备工艺均匀性和批次间一致性。通过高低频交替生长低应力氮化硅薄膜,并检测薄膜应力,对工艺进行了优化,探索最佳的高低频切换时间。研究了PECVD氮化硅薄膜折射率、致密性、表面形貌等性质,制备出了致密的氮化硅薄膜。研究结果表明,PECVD氮化硅具有厚度偏差小、折射率稳定等特点,为其在光学等领域的应用打下了基础。 展开更多
关键词 半导体材料 氮化硅薄膜 等离子增强化学气相沉积(PECVD)
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Si片多线切割技术与设备的发展现状与趋势 被引量：9
19
作者 任丙彦 王平 +2 位作者 李艳玲 李宁 罗晓英 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期301-304,387,共5页
介绍了Si片的多线切割宏观切割机理与微观切割机理,指出控制钢线张力减少钢线震动是切割工艺的重要指标。讨论了切割过程主要影响因素,钢线的外包Cu会造成Si片表面金属残留,钢线磨损影响Si片厚度,砂浆喷嘴和线网角度在形成水平薄膜层时... 介绍了Si片的多线切割宏观切割机理与微观切割机理,指出控制钢线张力减少钢线震动是切割工艺的重要指标。讨论了切割过程主要影响因素,钢线的外包Cu会造成Si片表面金属残留,钢线磨损影响Si片厚度,砂浆喷嘴和线网角度在形成水平薄膜层时能够获得好的表面质量。分析了钢线带动砂浆进行切割的核心工艺,给出了Si片切割工艺理论切片量的计算方法。并简要概括了目前多线切割技术及设备的国内外发展形势和未来发展趋势,指出未来多线切割技术将朝着提高加工精度与加工效率、降低成本、改良切割用钢线这几个方向迈进。 展开更多
关键词 多线切割 硅片 半导体材料 钢线张力 砂浆
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我国切割设备的现状与展望 被引量：4
20
作者 靳永吉 《电子工业专用设备》 2001年第2期11-13,44,共4页
简述了国内外切割设备的最高水平和发展趋势 ,比较了国内与国外切割设备的差距及我国切割设备发展中存在的问题 ,提出了面对WTO发展我国切割设备应采取的措施和对策。
关键词 大直径切割 线锯 半导体材料 可靠性 中国 切割设备 远景
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