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嵌入式Linux下SRAM驱动程序的开发原理及应用 被引量：14
1
作者 王多智 《微计算机信息》 北大核心 2005年第5期73-74,166,共3页
嵌入式Linux是目前操作系统领域中的一个热点。其要点与难点是驱动程序的开发。本文简要论述了基于现代公司嵌入式Arm处理器芯片的嵌入式Linux的SRAM驱动程序的开发原理及流程。
关键词 嵌入式LINUX ARM 驱动程序 sram 设备文件
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相变型半导体存储器研究进展 被引量：20
2
作者 刘波 宋志棠 封松林 《物理》 CAS 北大核心 2005年第4期279-286,共8页
文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电... 文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品. 展开更多
关键词 半导体存储器 相变型 研究进展 抗电子干扰 FLASH 相变材料 结构设计 非易失性 工艺问题 研究现状 循环寿命 多级存储 耐高低温 制造工艺 sram DRAM 抗辐照 抗振动 器件
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PCI 9054局部总线设计及应用 被引量：14
3
作者 戴紫彬 孙万忠 张永福 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第8期122-124,共3页
文章以高速数据采集系统的主机数据通信卡为例,分析了PCI9054局部总线时序和局部配置寄存器的配置方法,研究了基于PCI9054的高速数据通信卡的设计和局部总线状态机的状态转换过程,并给出了最终的设计方案。
关键词 PCI9054 局部总线 数据总线 设计 高速数据采集系统
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一种实时自适应图像二值化方法 被引量：15
4
作者 王延杰 宋建中 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1994年第5期17-21,共5页
本文介绍一种用单片机和高速静态ＲＡＭ统计直方图数据，并利用直方图数据和图像变换的原理来计算图像二值化的切割阈值的方法。这种方法实现了实时自适应图像二值化，并具有二值化速度快、效果好、电路简单、成本低廉的特点，适用于实... 本文介绍一种用单片机和高速静态ＲＡＭ统计直方图数据，并利用直方图数据和图像变换的原理来计算图像二值化的切割阈值的方法。这种方法实现了实时自适应图像二值化，并具有二值化速度快、效果好、电路简单、成本低廉的特点，适用于实时图像处理。 展开更多
关键词 图像二值化 保矩切割 直方图叠积 实时图像处理
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基于CMOS图像传感器的视频采集系统设计 被引量：24
5
作者 丁昊杰 刘敬彪 盛庆华 《现代电子技术》 2012年第14期178-181,188,共5页
提出了一种采用Altera公司CycloneⅡ系列的FPGA作为主控芯片,采用OV7670这款CMOS图像传感器作为视频信号源并采用SRAM(静态随机存储器)作为数据缓存的实用方案,实现了对图像传感器寄存器配置、图像传感器输出信号采集、图像数据格式转... 提出了一种采用Altera公司CycloneⅡ系列的FPGA作为主控芯片,采用OV7670这款CMOS图像传感器作为视频信号源并采用SRAM(静态随机存储器)作为数据缓存的实用方案,实现了对图像传感器寄存器配置、图像传感器输出信号采集、图像数据格式转换、图像数据缓存及最终在VGA显示器上进行图像显示的一系列过程。该视频采集系统设计能够很好地满足实时图像的输出需求。 展开更多
关键词 视频采集 OV7670 FPGA sram VGA
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基于RS485的数据通信协议的设计与实现 被引量：22
6
作者 鄢涛 杜小丹 +1 位作者 刘永红 胡庆 《电子设计工程》 2013年第17期19-22,共4页
基于现场可编程门阵列(FPGA),设计了采用RS485标准的数据通信协议。其中,高速信号接收,采用同步485通信协议,高速接口包括时钟和数据两个信号,时钟速率3.6864 MHz,利用同步时钟上升沿检测数据。低速信号接收采用异步485通信协议,波特率1... 基于现场可编程门阵列(FPGA),设计了采用RS485标准的数据通信协议。其中,高速信号接收,采用同步485通信协议,高速接口包括时钟和数据两个信号,时钟速率3.6864 MHz,利用同步时钟上升沿检测数据。低速信号接收采用异步485通信协议,波特率115.2 kbps,每字节1个起始位,8个数据位,1个截止位。针对高速数据接收时的情况,加入1 MB容量的静态存储器SRAM作为缓存,保证接收数据的可靠性。 展开更多
关键词 RS485 现场可编程门阵列（FPGA） 同步通信 异步通信 sram
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CMOS SRAM单粒子翻转效应的解析分析 被引量：19
7
作者 贺朝会 李国政 +1 位作者 罗晋生 刘恩科 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期174-178,共5页
分析了影响ＣＭＯＳＳＲＡＭ 单粒子翻转效应的时间因素，指出不能仅根据临界电荷来判断发生单粒子翻转效应与否，必须考虑器件的恢复时间、反馈时间和电荷收集过程．给出了恢复时间和反馈时间的计算方法，提出了器件抗单粒子翻转的加... 分析了影响ＣＭＯＳＳＲＡＭ 单粒子翻转效应的时间因素，指出不能仅根据临界电荷来判断发生单粒子翻转效应与否，必须考虑器件的恢复时间、反馈时间和电荷收集过程．给出了恢复时间和反馈时间的计算方法，提出了器件抗单粒子翻转的加固措施．对电荷收集过程中截止管漏极电位的变化进行了分析，提出了临界电荷新定义。 展开更多
关键词 CMOS sram 单粒子翻转
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视频图像捕获系统SRAM控制器的FPGA实现 被引量：4
8
作者 朱鹏飞 赵雅兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期18-22,共5页
介绍了视频图像捕获系统中用SRAM直接接收一帧数字图像信号的实现方案。图像数据采集频率可达13.5MHz,信号数据用FPGA芯片实现的SRAM控制器接收,然后直接存入到处理器的外部SRAM中。
关键词 视频图像捕获系统 sram 控制器 FPGA
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基于ARM和DSP的可重构数控系统 被引量：18
9
作者 徐跃 王太勇 +2 位作者 赵艳菊 董靖川 李波 《吉林大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期848-851,共4页
针对柔性化制造的要求,构建了以ARM、DSP为基础的数控系统平台。该平台集成度高、稳定性强,能实现生产过程的高速度、高精度要求;同时巧妙利用SRAM解决了现场可编程门阵列(FPGA)动态重构中的重建时隙问题,实现了基于FOGA的可重构设计,... 针对柔性化制造的要求,构建了以ARM、DSP为基础的数控系统平台。该平台集成度高、稳定性强,能实现生产过程的高速度、高精度要求;同时巧妙利用SRAM解决了现场可编程门阵列(FPGA)动态重构中的重建时隙问题,实现了基于FOGA的可重构设计,提高了系统的柔性。在硬件基础上引入嵌入式实时操作系统RT-Linux,采用层次化软件设计,提高了数控系统运行的稳定性和任务调度的实时性。试验结果证明该方案是可行的。 展开更多
关键词 机床 数控系统 可重构 ARM DSP 实时操作系统 现场可编程门阵列 sram
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基于STM32和CPLD的TFT-LCD显示控制器设计 被引量：19
10
作者 尤卫卫 冒建亮 叶桦 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期444-450,共7页
为了实现对TFT-LCD的控制,本文以STM32和CPLD作为核心控制器,SRAM作为显示缓存,介绍了一种TFTLCD控制器设计方法。首先,对设计总体架构进行了分析,STM32内部实现了Intel8080总线协议的制定,CPLD内部实现了通讯协议的解析、LCD显示时序... 为了实现对TFT-LCD的控制,本文以STM32和CPLD作为核心控制器,SRAM作为显示缓存,介绍了一种TFTLCD控制器设计方法。首先,对设计总体架构进行了分析,STM32内部实现了Intel8080总线协议的制定,CPLD内部实现了通讯协议的解析、LCD显示时序的驱动、以及SRAM的读写控制。最后,对LCD显示时序和SRAM的读写进行了仿真,并给出了实现效果图。结果表明,该设计方法能够控制TFT-LCD准确地显示出图文。结构简单,性价比高,具有较高应用价值。 展开更多
关键词 STM32 LCD时序 STM3 2
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FRAM铁电存储器的应用 被引量：9
11
作者 赵培宇 李其华 《江汉大学学报（自然科学版）》 2004年第3期51-54,共4页
介绍了铁电存储器的特点,详细阐述了在51系统中应用铁电存储器的原理及接口技术,给出了应用实例.
关键词 FRAM铁电存储器 sram DRAM EPROM E^2PROM FLASH
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单粒子效应辐射模拟实验研究进展 被引量：18
12
作者 贺朝会 李永宏 杨海亮 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期347-351,共5页
应用质子直线加速器进行了静态随机存取存储器(SRAM)的单粒子效应模拟实验研究。采用金箔散射法降低质子束流,研制了弱流质子束测量系统,测量散射后的质子束流,实验测得SRAM质子单粒子翻转截面为10-14cm2/bit量级。利用重离子加速器和... 应用质子直线加速器进行了静态随机存取存储器(SRAM)的单粒子效应模拟实验研究。采用金箔散射法降低质子束流,研制了弱流质子束测量系统,测量散射后的质子束流,实验测得SRAM质子单粒子翻转截面为10-14cm2/bit量级。利用重离子加速器和锎源进行了SRAM的单粒子效应实验。研究其单粒子翻转截面与重离子线性能量传输(LET)值的关系,得到了单粒子翻转阈值和饱和截面。实验表明252Cf源单粒子翻转截面与串列加速器的重离子单粒子翻转截面一致,说明对于SRAM,可以用252Cf源替代重离子加速器测量单粒子翻转饱和截面。与中国原子能研究院、东北微电子研究所合作开展了国内首次重离子微束单粒子效应实验。建立了大规模集成电路重离子微束单粒子效应实验方法,找到了国产SRAM的单粒子翻转敏感区。应用14MeV强流中子发生器进行了SRAM单粒子效应实验,测得了64K位至4M位SRAM器件14MeV中子单粒子翻转截面。用α源进行SRAM单粒子效应辐照实验,模拟封装材料中的232Th和238U杂质发射出的α粒子导致的单粒子翻转。测量α粒子射入SRAM导致的单粒子翻转错误数,计算单粒子翻转截面和失效率,比较三种器件的抗单粒子翻转能力,为器件的选型提供依据。并开展了路由器的α粒子辐照实验,复演了路由器在自然环境中的出错情况,为路由器的设计改进提供了依据。 展开更多
关键词 单粒子效应 静态随机存取存储器 加速器 辐射源
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单粒子锁定极端敏感器件的试验及对我国航天安全的警示 被引量：18
13
作者 韩建伟 张振龙 +1 位作者 封国强 马英起 《航天器环境工程》 2008年第3期263-268,199,共6页
随着半导体特征工艺尺寸减小、集成度提高,静态存储器(SRAM)对单粒子锁定呈现出极其敏感的现象和趋势,为此国际航天界开展了大量的试验评估工作,剔除和杜绝了一些极端敏感器件在空间的应用。结合国内外空间应用背景,文章利用脉冲激光实... 随着半导体特征工艺尺寸减小、集成度提高,静态存储器(SRAM)对单粒子锁定呈现出极其敏感的现象和趋势,为此国际航天界开展了大量的试验评估工作,剔除和杜绝了一些极端敏感器件在空间的应用。结合国内外空间应用背景,文章利用脉冲激光实验装置和重离子加速器,分别对三星公司新旧两种型号的4M位SRAM芯片进行了单粒子锁定试验评估。试验测得两型号芯片的单粒子锁定阈值差异巨大,新型号芯片的锁定阈值低于1.5MeV·cm2/mg,而老型号芯片的锁定阈值高于39.6MeV.cm2/mg。这种对单粒子锁定极端敏感的芯片若应用于空间,将会发生0.008～0.04次/天的频繁锁定事件,极大地威胁航天器的安全和可靠。为应对这种单粒子锁定极端敏感的现象和趋势,提出了加强我国航天产品设计、元器件采购、筛选、试验等的规范、技术和条件的建议。 展开更多
关键词 单粒子锁定 锁定阈值 静态存储器 航天器
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FPGA/CPLD可编程逻辑器件的在系统配置方法 被引量：9
14
作者 何伟 唐仁圣 张玲 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期125-128,共4页
讨论了基于SRAM技术的CPLD/FPGA可编程逻辑器件的编程方法 ,并以ALTERA公司FLEX10系列器件为例 ,提出了一种利用微处理器对可编程逻辑器件进行在系统多方案配置的实用方法。该方法成本低廉、简单易行 ,能在系统复位或上电时自动对器件编... 讨论了基于SRAM技术的CPLD/FPGA可编程逻辑器件的编程方法 ,并以ALTERA公司FLEX10系列器件为例 ,提出了一种利用微处理器对可编程逻辑器件进行在系统多方案配置的实用方法。该方法成本低廉、简单易行 ,能在系统复位或上电时自动对器件编程 ,不仅有效的解决了基于SRAM的CPLD/FPGA器件掉电易失性的问题 ,而且使单一芯片可以具有多种逻辑功能 ,实现了该类器件逻辑功能的在系统多方案的灵活配置。 展开更多
关键词 复杂可编程逻辑器件 现场可编程门阵列 被动串行配置PS 静态存贮器 电子设计自动化 在系统配置
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SRAM单元单粒子翻转效应的电路模拟 被引量：12
15
作者 刘征 孙永节 +1 位作者 李少青 梁斌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期138-141,共4页
在三维器件数值模拟的基础上,以经典的双指数模型为原型通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式,在理论分析的基础上,引入了描述晶体管偏压和瞬态电流关系的方程,并将其带入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转... 在三维器件数值模拟的基础上,以经典的双指数模型为原型通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式,在理论分析的基础上,引入了描述晶体管偏压和瞬态电流关系的方程,并将其带入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转效应的电路模拟,最后分别使用电路模拟和混合模拟两种方法得到了存储单元的LET阈值,通过在精度和时间开销上的对比,验证了这种模拟方法的实用性. 展开更多
关键词 单粒子翻转 双指数模型 电路模拟 器件模拟 sram
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FPGA的配置及接口电路 被引量：4
16
作者 房磊 张焕春 胡银彪 《电子质量》 2004年第1期J002-J003,共2页
介绍了FPGA配置的原理和过程以及配置模式和相应的接口电路,详细介绍了CPLD+并行EPROM 对Virtex系列FPGA的配置方法以及串行菊花链的配置方法。
关键词 FPGA 接口电路 配置模式 sram 引脚
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静态随机存取存储器质子单粒子效应实验研究 被引量：12
17
作者 贺朝会 杨海亮 +4 位作者 耿斌 陈晓华 李国政 刘恩科 罗晋生 《核电子学与探测技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期253-257,共5页
描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。采用金箔散射法可以降低加速器质子束流五六个量级 ,从而满足半导体器件质子单粒子效应的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的注量均匀性测量方法解决了质子注量的准... 描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。采用金箔散射法可以降低加速器质子束流五六个量级 ,从而满足半导体器件质子单粒子效应的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。提高了存储器单粒子效应长线测量系统的性能 ,保证了翻转数的准确测量。实验测得静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面为 1 0 - 1 4 cm2 / bit量级 ,随质子能量的增大略有增大。 展开更多
关键词 静态随机存取存储器 质子 单粒子效应 束流测量
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浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析 被引量：13
18
作者 贺朝会 耿斌 +3 位作者 杨海亮 陈晓华 李国政 王燕萍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期1260-1262,共3页
比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同 ,分析了其不同的原因 .与SRAM相比 ,浮栅ROM器件出错时的 14MeV中子注量阈值高 5个量级 ;31.9MeV质子注量阈值高 4个量级 ;总剂量损伤阈值相差不大 ,都在 10 4rad(Si)量级左右 .这... 比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同 ,分析了其不同的原因 .与SRAM相比 ,浮栅ROM器件出错时的 14MeV中子注量阈值高 5个量级 ;31.9MeV质子注量阈值高 4个量级 ;总剂量损伤阈值相差不大 ,都在 10 4rad(Si)量级左右 .这些都是由二者存储单元的结构和辐射效应机制决定的 .在空间辐射环境中 ,不需经常擦写数据的情况下 ,应该选用浮栅ROM器件 . 展开更多
关键词 FLASH ROM EEPROM sram 单粒子效应 总剂量效应
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14MeV中子引发SRAM器件单粒子效应实验研究 被引量：10
19
作者 范辉 郭刚 +9 位作者 沈东军 刘建成 陈红涛 赵芳 陈泉 何安林 史淑廷 惠宁 蔡莉 王贵良 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期171-175,共5页
在中国原子能科学研究院的高压倍加器装置上开展了SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应实验研究。介绍了中子的产生、中子注量率的测量和调节以及中子单粒子效应的测试等的实验方法,获得了HM628512BLP型和R1LV1616HSA型SRAM器件的14 MeV中... 在中国原子能科学研究院的高压倍加器装置上开展了SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应实验研究。介绍了中子的产生、中子注量率的测量和调节以及中子单粒子效应的测试等的实验方法,获得了HM628512BLP型和R1LV1616HSA型SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应截面。前者与文献的单粒子效应截面在误差范围内一致,验证了实验方法的科学性和可行性。后者与由效应机制出发获得的理论分析结果在量级上一致,对实验结果给出了定性的解释。 展开更多
关键词 高压倍加器 sram 单粒子效应 截面
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用于ADC测试的数据采集系统的设计 被引量：11
20
作者 张丛丛 谭博 《电子测量技术》 2016年第10期162-165,170,共5页
介绍了一种可用于百兆级采样率模数转换器(ADC)测试的数据采集系统,给出其硬件设计原理与方法,并简要介绍了上位机软件工作流程。该系统主要用于进行8位或16位100 MHz采样率ADC的动态参数的测试,采用FPGA+USB的形式。其中,FPGA负责对采... 介绍了一种可用于百兆级采样率模数转换器(ADC)测试的数据采集系统,给出其硬件设计原理与方法,并简要介绍了上位机软件工作流程。该系统主要用于进行8位或16位100 MHz采样率ADC的动态参数的测试,采用FPGA+USB的形式。其中,FPGA负责对采集的数据进行缓存和传输,然后通过USB将数据上传到上位机中,最后利用上位机软件的控制算法实现对待测ADC参数的计算与显示,从而得出电路的测试结果。该系统性目前已用于日常电路测试,并取得了良好的效果。 展开更多
关键词 动态参数 FPGA sram FIFO 数据采集 USB
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