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超深亚微米SOI NMOSFET中子辐照效应数值模拟 被引量：5
1
作者 胡志良 贺朝会 +1 位作者 张国和 郭达禧 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期456-460,共5页
考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理,数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SOI NMOSFET的影响... 考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理,数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SOI NMOSFET的影响。数值模拟部分结果与反应堆中子辐照实验结果一致。 展开更多
关键词 中子辐照 超深亚微米 soi nmosfet 数值模拟
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沟道热载流子导致的SOI NMOSFET's的退化特性 被引量：2
2
作者 刘红侠 郝跃 朱建纲 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期65-69,共5页
研究了沟道热载流子效应引起的 SOI NMOSFET's的退化 .在中栅压应力 (Vg≈ Vd/ 2 )条件下 ,器件退化表现出单一的幂律规律 ;而在低栅压应力 (Vgs≈ Vth)下 ,由于寄生双极晶体管 (PBT)效应的影响 ,多特性的退化规律便会表现出来 ,漏... 研究了沟道热载流子效应引起的 SOI NMOSFET's的退化 .在中栅压应力 (Vg≈ Vd/ 2 )条件下 ,器件退化表现出单一的幂律规律 ;而在低栅压应力 (Vgs≈ Vth)下 ,由于寄生双极晶体管 (PBT)效应的影响 ,多特性的退化规律便会表现出来 ,漏电压的升高、应力时间的延续都会导致器件退化特性的改变 .对不同应力条件下的退化特性进行了详细的理论分析 ,对 SOI NMOSFET'S器件退化机理提出了新见解 . 展开更多
关键词 soi nmosfet's 沟道热载流子 寄生双极晶体管 场效应晶体管
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基于高温抗辐照SOI CMOS工艺的器件特性研究 被引量：1
3
作者 张庆东 吴建伟 +5 位作者 李金航 宋帅 纪旭明 顾祥 洪根深 李冰 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期2151-2156,共6页
绝缘体上硅(SOI)技术因其独特的优势而广泛应用于辐射和高温环境中,研究不同顶层硅膜厚度(t_(Si))的器件特性,对进一步提升高温抗辐照SOI CMOS器件的性能至关重要。本工作首先通过工艺级仿真构建了N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NM... 绝缘体上硅(SOI)技术因其独特的优势而广泛应用于辐射和高温环境中,研究不同顶层硅膜厚度(t_(Si))的器件特性,对进一步提升高温抗辐照SOI CMOS器件的性能至关重要。本工作首先通过工艺级仿真构建了N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的模型,并对其进行了分析,基于仿真结果,采用0.15μm抗辐照SOI CMOS工艺制备出具有不同硅膜厚度的实际器件,该工艺针对高温应用引入了设计与材料的优化。结果表明,薄硅膜和厚硅膜NMOSFET在150 krad(Si)总剂量辐射下表现出相近的抗辐照加固性能,而前者在225℃高温下具有较小的漏电流,因此具有较薄硅膜的NMOSFET更适用于高温电子器件的制造。 展开更多
关键词 soi nmosfet 高温 辐射加固 顶层硅厚度
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PD SOI NMOSFET翘曲效应的温度模型 被引量：2
4
作者 张海鹏 魏同立 +2 位作者 冯耀兰 姚炜 宋安飞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1320-1324,共5页
报道了一个部分耗尽 (PD) SOI NMOSFET翘曲效应的温度解析模型 .该模型从 PD SOI NMOSFET器件的物理结构 ,即由顶部的 NMOSFET和底部的寄生 BJT构成这一特点出发 ,以一定温度下 PD SOI NMOSFET体-射结电流与漏 -体结电流的动态平衡为核... 报道了一个部分耗尽 (PD) SOI NMOSFET翘曲效应的温度解析模型 .该模型从 PD SOI NMOSFET器件的物理结构 ,即由顶部的 NMOSFET和底部的寄生 BJT构成这一特点出发 ,以一定温度下 PD SOI NMOSFET体-射结电流与漏 -体结电流的动态平衡为核心 ,采用解析迭代方法求解 ,得出漏 -体结碰撞电离产生的空穴在体区中近源端积累达到饱和时的体 -射结电压 ,及漏 -体结和体 -射结电流的各主要分量 ,进而得到了 PD SOI NMOSFET翘曲效应漏电流的温度解析模型 ,并将一定条件下的模拟结果与实验结果进行了比较 。 展开更多
关键词 PD soi nmosfet 翘曲效应 温度解析模型 场效应晶体管
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