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AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管直流特性研究 被引量：1
1
作者 李冰寒 刘文超 +1 位作者 周健 夏冠群 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第3期327-332,共6页
制备了大尺寸AlGaInP/GaAsSHBT和DHBT,对其直流特性进行了测试,并分析了AlGaInP/GaAs单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(DHBT)的直流特性差异,深入研究了影响AlGaInP/GaAsHBT开启电压(Voffset)的各个因素。结果表明:AlGaInP/GaAsHB... 制备了大尺寸AlGaInP/GaAsSHBT和DHBT,对其直流特性进行了测试,并分析了AlGaInP/GaAs单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(DHBT)的直流特性差异,深入研究了影响AlGaInP/GaAsHBT开启电压(Voffset)的各个因素。结果表明:AlGaInP/GaAsHBT开启电压与外加基极电流密切相关,采用宽发射区可大大降低器件的开启电压。 展开更多
关键词 AlGaInP/GaAs 异质结双极晶体管 直流特性 开启电压 shbt DHBT
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基于InGaAs/InP SHBT技术的10Gb/s单片跨阻放大器研究 被引量：1
2
作者 蔡道民 李献杰 +3 位作者 赵永林 曾庆明 刘跳 郝跃 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期701-703,共3页
介绍了采用传统的三台面工艺,利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极性晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。其中SHBT获得了在Ic=10mA,Vce=2V时,fT和fmax分别为60、75GHz,电流密度为100kA/cm2,... 介绍了采用传统的三台面工艺,利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极性晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。其中SHBT获得了在Ic=10mA,Vce=2V时,fT和fmax分别为60、75GHz,电流密度为100kA/cm2,击穿电压大于3V;跨阻放大器的跨阻增益为58dBΩ,灵敏度为-23dBm,3dB带宽为8.2GHz。该单片跨阻放大器可广泛应用于光纤通信。 展开更多
关键词 单异质结双极性晶体管 发射极-基极自对准 隔离基极压点 跨阻放大器
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InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现
3
作者 李献杰 蔡道民 +3 位作者 赵永林 王全树 周州 曾庆明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期136-139,共4页
从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工... 从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径. 展开更多
关键词 INP shbt 自对准工艺 湿法腐蚀
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InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)
4
作者 齐志华 李献杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期721-725,共5页
InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与... InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与生长、器件结构设计、器件制造工艺与优化以及国内外发展情况研究水平、发展趋势和商业化情况进行了系统的回顾和展望。指出结合垂直方向材料结构优化缩小器件尺寸和采用微空气桥隔离基极电极结构是InP/GaAsSb/InPDHBT向THz截止频率发展的最重要的技术路线。 展开更多
关键词 GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管 单异质结双极晶体管 Ⅱ型双异质结双极晶体管 微空气桥
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一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型
5
作者 葛霁 金智 +4 位作者 刘新宇 程伟 王显泰 陈高鹏 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1799-1803,共5页
从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系,通过加入表示温度的参数和简化电场计算,得到一种改进的碰撞电离模型.同时针对自有工艺和器件特性,采用SDD(symbolically defined device)技术建立了一个包括碰撞电离和... 从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系,通过加入表示温度的参数和简化电场计算,得到一种改进的碰撞电离模型.同时针对自有工艺和器件特性,采用SDD(symbolically defined device)技术建立了一个包括碰撞电离和自热效应的InP/InGaAs SHBT的直流模型.模型内嵌入HP-ADS中仿真并与测试结果进行比较,准确地拟合了InP/InGaAs SHBT的器件特性. 展开更多
关键词 碰撞电离 温度依赖 超高速InP基shbt SDD模型
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钝化边沿的制作及其对GaInP/GaAs SHBT性能的影响
6
作者 杜鹏搏 蔡克理 蔡树军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期213-216,共4页
利用光刻胶形成保护侧墙,用湿法腐蚀来形成发射极钝化边沿。这种方法工艺简单,不需要额外的绝缘介质作为掩膜,也不需要双层腐蚀终止层。研发出了带发射极钝化边沿的GaInP/GaAs单异质结双极型晶体管(SHBT),并对不同尺寸有无钝化边沿的器... 利用光刻胶形成保护侧墙,用湿法腐蚀来形成发射极钝化边沿。这种方法工艺简单,不需要额外的绝缘介质作为掩膜,也不需要双层腐蚀终止层。研发出了带发射极钝化边沿的GaInP/GaAs单异质结双极型晶体管(SHBT),并对不同尺寸有无钝化边沿的器件特性进行对比,结果表明钝化边沿能有效改善小尺寸器件的直流特性,对器件的高频特性无明显影响。 展开更多
关键词 侧墙 发射极钝化边沿 单异质结双极型晶体管
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