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铒离子注入晶体硅的射程分布和离散研究
1
作者
秦希峰
季燕菊
+2 位作者
王凤翔
付刚
赵优美
《山东建筑大学学报》
2009年第3期212-214,共3页
用400 keV能量的铒离子垂直注入晶体硅(Si)样品中。利用卢瑟福背散射技术研究了能量为400 keV、剂量为5×1015ions/cm2的铒离子注入Si晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布。测出的实验值和TRIM 98得到的理论模拟值进行了比较,...
用400 keV能量的铒离子垂直注入晶体硅(Si)样品中。利用卢瑟福背散射技术研究了能量为400 keV、剂量为5×1015ions/cm2的铒离子注入Si晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布。测出的实验值和TRIM 98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM 98模拟计算的理论值符合较好。
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关键词
离子注入
卢瑟福背散射技术
射程分布
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职称材料
题名
铒离子注入晶体硅的射程分布和离散研究
1
作者
秦希峰
季燕菊
王凤翔
付刚
赵优美
机构
山东建筑大学理学院
出处
《山东建筑大学学报》
2009年第3期212-214,共3页
基金
山东省中青年科学家科研奖励基金项目(2006BSB01447)
山东建筑大学校内基金项目(XN070109)
文摘
用400 keV能量的铒离子垂直注入晶体硅(Si)样品中。利用卢瑟福背散射技术研究了能量为400 keV、剂量为5×1015ions/cm2的铒离子注入Si晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布。测出的实验值和TRIM 98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM 98模拟计算的理论值符合较好。
关键词
离子注入
卢瑟福背散射技术
射程分布
Keywords
ion
implantation
rutherford
backseattering
technique
range
distribution
分类号
O471.4 [理学—半导体物理]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铒离子注入晶体硅的射程分布和离散研究
秦希峰
季燕菊
王凤翔
付刚
赵优美
《山东建筑大学学报》
2009
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