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卢瑟福背散射分析 被引量:20
1
作者 赵国庆 《理化检验(物理分册)》 CAS 2002年第1期41-46,共6页
对卢瑟福背散射分析的基本原理作了概要的介绍。论述了背散射分析的最佳实验条件、质量分辨率和分析灵敏度。
关键词 卢瑟福背散射 表面层分析 薄膜分析 质量分辨率 RBS 离子能量 靶原子
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分析薄膜厚度与成分的卢瑟福背散射技术 被引量:7
2
作者 刘超卓 《理化检验(物理分册)》 CAS 2010年第7期436-440,共5页
对卢瑟福背散射分析技术的基本原理、试验设备、样品要求及数据处理方法进行了介绍,并举例分析了硅衬底上钛膜厚度的测定,以及钼衬底上钛钼合金膜的实际组分以及氦离子注入杂质的分布范围和实际剂量测定。讨论了卢瑟福背散射技术的发展... 对卢瑟福背散射分析技术的基本原理、试验设备、样品要求及数据处理方法进行了介绍,并举例分析了硅衬底上钛膜厚度的测定,以及钼衬底上钛钼合金膜的实际组分以及氦离子注入杂质的分布范围和实际剂量测定。讨论了卢瑟福背散射技术的发展和应用,介绍了弹性反冲、高能非卢瑟福散射和沟道技术三种分析方法。 展开更多
关键词 卢瑟福背散射 金属薄膜 厚度 合金成分
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Instrumentation and application of the ion beam analysis line of the in situ ion beam system 被引量:1
3
作者 黄志宏 张早娣 +2 位作者 王泽松 王浪平 付德君 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2015年第1期19-24,共6页
An ion beam analysis system was established on a 1.7 MV tandem accelerator, enabling Rutherford backscattering(RBS), elastic recoil detection(ERD), nuclear reaction analysis(NRA) and channeling measurements. The syste... An ion beam analysis system was established on a 1.7 MV tandem accelerator, enabling Rutherford backscattering(RBS), elastic recoil detection(ERD), nuclear reaction analysis(NRA) and channeling measurements. The system was tested by performing qualitative and quantitative analysis of Si, Ni/Si, Bi Fe O3:La/Si,Mo C/Mo/Si and Ti BN/Si samples. RBS of a Bi Fe O3:La film was used as system calibration. Tested by ion beam channeling, a Si(100) is of good crystallinity(χmin= 3.01%). For thin film samples, the measured thickness agrees well with simulation results by SIMNRA. In particular, composition of a Mo C/Mo/Si and Ti BN film samples were analyzed by RBS and non-Rutherford elastic backscattering. 展开更多
关键词 离子束系统 应用程序 SI(100) 分析线 原位 仪器 弹性反冲探测 BIFEO3
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H_2^+,H_3^+团簇离子在沟道条件下的背散射质子产额测量 被引量:1
4
作者 杨朝文 V. A. Khodyrev V. S. Kulikauskas 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期1895-1900,共6页
采用卢瑟福背散射方法 ,测得了每质子能量为 6 5 0keV的H+2 ,H+3团簇离子在Si晶体 <10 0 >和 <110 >沟道条件下的质子背散射能谱 .结果发现 ,由于H+2 ,H+3团簇在晶体中的库仑爆炸和团簇效应 ,H+2 的背散射质子产额大于H+ ... 采用卢瑟福背散射方法 ,测得了每质子能量为 6 5 0keV的H+2 ,H+3团簇离子在Si晶体 <10 0 >和 <110 >沟道条件下的质子背散射能谱 .结果发现 ,由于H+2 ,H+3团簇在晶体中的库仑爆炸和团簇效应 ,H+2 的背散射质子产额大于H+ 的背散射产额 ,而H+3的背散射质子产额又大于H+2 的背散射质子产额 .通过计算 ,分别得到了H+2 ,H+3在<10 0 >和 <110 >沟道方向的背散射质子产额相对于随机方向背散射产额之比随深度的分布 . 展开更多
关键词 团簇离子 H2^+ H3^+ 沟道效应 质子产额测量 库仑爆炸 卢瑟福背散射 碰撞
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金(Au)的背散射截面测量
5
作者 唐煌 《江苏技术师范学院学报》 2002年第4期77-82,共6页
在0.4~2.0MeV的能区中 ,对质子轰击金靶、散射角为160°时的卢瑟福背散射离子能谱进行分析 ,并且测量出其微分散射截面 ,与计算出的理论值进行比较。发现在1.0~2.0MeV的能区中 ,实验与理论的σ—E曲线符合得很好。
关键词 AU 背散射截面 测量 离子能谱 卢瑟福背散射 微分散射截面 原子核物理 粒子能量 探测器
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硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响 被引量:1
6
作者 多新中 刘卫丽 +3 位作者 张苗 高剑侠 符晓荣 林成鲁 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期145-149,共5页
用X射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线,分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程。并与离子背散射沟道分析进行了比较。结果表明,在400℃左右,氢注入形成的氢复合体分解;形成氢分子,氢分子在... 用X射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线,分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程。并与离子背散射沟道分析进行了比较。结果表明,在400℃左右,氢注入形成的氢复合体分解;形成氢分子,氢分子在晶格中聚集,生成氢气,在高温下膨胀,引起晶格形变,并产生缺陷;当退火温度达到500℃以后,氢气的膨胀已超过晶体的屈服强度,产生了大量的缺陷、位错,同时在硅晶体内形成气泡,并在硅晶体表面造成砂眼、剥离等现象。 展开更多
关键词 X射线多晶衍射 背散射沟道分析 氢离子注入 热退火 应力 晶体结构
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GaN基异质外延膜中Al组分含量测试方法综述
7
作者 王雪蓉 郑会保 +2 位作者 魏莉萍 刘运传 孟祥艳 《化学分析计量》 CAS 2010年第4期93-96,共4页
介绍了目前可用于AlGaN半导体异质外延膜中Al组分含量测定的多种测试技术,包括高分辨X射线衍射技术、光致发光法、紫外-可见光透射光谱法、电子探针法、卢瑟福背散射法等,并对各种测试技术的原理和优缺点进行了概述。
关键词 AlGaN外延膜 高分辨X射线衍射 光致发光 电子探针 卢瑟福背散射
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注入温度对氧注入制成的SOI膜质量的影响
8
作者 董顺乐 丛培杰 《山东大学学报(自然科学版)》 CSCD 1990年第2期161-165,共5页
选择不同的靶温进行高能大剂量氧离子注入,并进行了高温退火。利用离子背散射技术、透射电子显微镜和掠角 x 射线衍射分析样片,发现:低温下注入能产生非晶层,退火后有多晶硅生成。提高靶温能有效地减小损伤,特别是440℃注入的样片经过... 选择不同的靶温进行高能大剂量氧离子注入,并进行了高温退火。利用离子背散射技术、透射电子显微镜和掠角 x 射线衍射分析样片,发现:低温下注入能产生非晶层,退火后有多晶硅生成。提高靶温能有效地减小损伤,特别是440℃注入的样片经过退火表面硅层很接近未注入硅片。 展开更多
关键词 SOI 离子注入 温度 背散射 氧离子
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Study of doping uniformity of a 200 kV ion implanter by RBS and sheet resistance measurements
9
作者 Hui Li Ze-Song Wang +5 位作者 Sheng-Jun Zhang Vasiliy O.Pelenovich Feng Ren De-Jun Fu Chuan-Sheng Liu Zhi-Wei Ai 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2016年第3期40-44,共5页
The ion implantation uniformity is of vital importance for an ion implanter.In this paper,we report the,uniformity measurement for a large current ion implanter(LC-16 type) by implanting of 190-keV Ar ions into Si to ... The ion implantation uniformity is of vital importance for an ion implanter.In this paper,we report the,uniformity measurement for a large current ion implanter(LC-16 type) by implanting of 190-keV Ar ions into Si to 3×1016 atoms/cm2,followed by Rutherford backscattering spectroscopy(RBS) and sheet resistance measurement providing quantitative information on spatial distribution of dopants.The implant doses obtained from RBS at selected points of the sample give a spatial uniformity of <5%,which are confirmed by the sheet resistance measurement.While sheet resistance is an indirect method for dose evaluation of ion-implanted samples,RBS provides a competent technique for calibration of the ion implantation system.And both measurements show that good uniformity can be achieved for the ion implanter by tuning of the scanning process. 展开更多
关键词 均匀性测量 离子注入机 薄层电阻 掺杂分布 RBS 卢瑟福背散射 离子注入系统 剂量评价
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RBS法测量重元素衬底上轻元素薄靶厚度的方法研究
10
作者 吴笛 仇猛淋 +9 位作者 王乃彦 郭冰 贺创业 王广甫 樊启文 党永乐 刘伏龙 付光永 杨婉莎 魏继红 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期348-352,共5页
在核反应实验中,靶厚的精度往往会直接影响实验结果的可靠性。为精确测量重元素衬底上轻元素薄靶的厚度,本文通过卢瑟福背散射(RBS)法,使用能量1.5 MeV的质子束对蒸镀在300μm厚181 Ta衬底上薄74 Ge靶的厚度进行了测量。RBS法测量结果... 在核反应实验中,靶厚的精度往往会直接影响实验结果的可靠性。为精确测量重元素衬底上轻元素薄靶的厚度,本文通过卢瑟福背散射(RBS)法,使用能量1.5 MeV的质子束对蒸镀在300μm厚181 Ta衬底上薄74 Ge靶的厚度进行了测量。RBS法测量结果与称重法相差较小,但信噪比从1∶2000提升到1∶12,靶厚相对不确定度由10%减少到5%左右。同时采用SIMNRA软件对测量结果进行了模拟验证,模拟能谱与实验能谱符合较好。通过RBS法测量重元素衬底上轻元素薄靶的厚度,尤其当重元素衬底的质量远大于靶物质时,可有效提高测量结果的信噪比及不确定度,为核反应实验的分析提供了较好的依据。 展开更多
关键词 卢瑟福背散射 薄靶 厚度 金硅面垒探测器
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离子注入微生物的生物效应研究 被引量:32
11
作者 陈宇 林梓鑫 +4 位作者 张峰 柳襄怀 汤建中 朱卫民 黄勃 《中国抗生素杂志》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期415-419,共5页
用40keV、60keV的N+离子束对红霉素产生菌进行了离子注入,发现菌株存活率随注入剂量的增加呈指数衰减,并拟合了存活率—剂量公式。扫描电镜观察发现离子注入导致了红霉产生菌孢子的表面损伤。用100keVAs+注入大... 用40keV、60keV的N+离子束对红霉素产生菌进行了离子注入,发现菌株存活率随注入剂量的增加呈指数衰减,并拟合了存活率—剂量公式。扫描电镜观察发现离子注入导致了红霉产生菌孢子的表面损伤。用100keVAs+注入大肠埃希氏菌和枯草芽孢杆菌,对注入离子在其体内分布进行了Rutherford背散射测量和理论估算。 展开更多
关键词 微生物 离子注入 存活率 红霉素
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Nb 在空气中的氧化动力学及成膜机制的研究 被引量:16
12
作者 白新德 邱钦伦 +2 位作者 甘东文 蔡学军 孙辉 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期71-73,共3页
研究了Nb在空气中(温度低于500℃)的氧化动力学规律。用离子注入惰性气体(Xe离子)作为标记、用卢瑟福背散射(RBS)分析研究了Nb氧化膜的成膜区域及离子迁移机制。利用椭偏仪测量了氧化膜厚度,用X射线分析、X射线电... 研究了Nb在空气中(温度低于500℃)的氧化动力学规律。用离子注入惰性气体(Xe离子)作为标记、用卢瑟福背散射(RBS)分析研究了Nb氧化膜的成膜区域及离子迁移机制。利用椭偏仪测量了氧化膜厚度,用X射线分析、X射线电子能谱(XPS)分析研究了氧化膜的成分及价态,最后探讨了温度对标记原子的影响。 展开更多
关键词 氧化 动力学 航空材料 氧化膜
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InGaN/GaN多量子阱的组分确定和晶格常数计算 被引量:11
13
作者 丁志博 王琦 +4 位作者 王坤 王欢 陈田祥 张国义 姚淑德 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期2873-2877,共5页
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在n型GaN单晶层上生长了InGaN/GaN多量子阱结构外延薄膜,利用高分辨X射线衍射(HRXRD),卢瑟福背散射/沟道(RBS/channeling),以及光致发光(PL)技术对InGaN/GaN多量子阱结构薄膜分别进... 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在n型GaN单晶层上生长了InGaN/GaN多量子阱结构外延薄膜,利用高分辨X射线衍射(HRXRD),卢瑟福背散射/沟道(RBS/channeling),以及光致发光(PL)技术对InGaN/GaN多量子阱结构薄膜分别进行了平均晶格常数计算、In原子替位率计算和In组分的定量分析.研究表明:InGaN/GaN多量子阱的水平和垂直方向平均晶格常数分别为aepi=0.3195nm,cepi=0.5198nm,In原子的替位率为99.3%,利用HRXRD和RBS/channeling两种分析技术计算In的组分分别是0.023和0.026,并与样品生长时设定的预期目标相符合,验证了两种实验方法的准确性;而用室温条件下的光致发光谱(PL)来计算InGaN/GaN多量子阱中In的组分是与HRXRD和RBS/channeling的实验结果相差很大,说明用PL测试In组分的方法是不适宜的. 展开更多
关键词 INGAN/GAN多量子阱 高分辨X射线衍射 卢瑟福背散射/沟道 光致发光
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Si(111)衬底上生长有多缓冲层的六方GaN晶格常数计算和应变分析 被引量:12
14
作者 丁志博 姚淑德 +1 位作者 王坤 程凯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期2977-2981,共5页
利用卢瑟福背散射/沟道技术和高分辨率X射线衍射技术对在Si(111)衬底上利用金属有机化合物气相外延技术(MOVPE)生长有多缓冲层的六方GaN外延膜进行结晶品质计算、晶格常数计算和应变分析.实验结果表明:GaN外延膜的结晶品质为χmin=1... 利用卢瑟福背散射/沟道技术和高分辨率X射线衍射技术对在Si(111)衬底上利用金属有机化合物气相外延技术(MOVPE)生长有多缓冲层的六方GaN外延膜进行结晶品质计算、晶格常数计算和应变分析.实验结果表明:GaN外延膜的结晶品质为χmin=1·54%,已达到完美晶体的结晶品质(χmin=1%—2%);GaN外延膜的水平方向和垂直方向晶格常数分别为:aepi=0·31903nm,cepi=0·51837nm,基本达到GaN单晶的理论晶格常数(a0=0·3189nm,c0=0·5186nm);通过计算GaN外延膜及各缓冲层的水平应变、垂直应变和四方畸变沿深度的变化,可得出弹性应变由衬底及各缓冲层向表面逐渐释放,并由拉应变转为压应变,最后在GaN外延层应变基本达到完全释放(eT=0). 展开更多
关键词 GAN 高分辨X射线衍射 卢瑟福背散射/沟道 弹性应变
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卢瑟福散射虚拟仿真实验设计与教学实践 被引量:2
15
作者 田立朝 张湘 +3 位作者 姜静 杨晓虎 吕中良 赵子甲 《实验科学与技术》 2024年第1期68-75,共8页
卢瑟福散射实验是核物理学发展史中的经典实验之一。基于实验放射源使用安全的考虑,国内外高校多以理论讲授为主,少有实验教学,限制了学生对原子核微观结构及射线与物质的微观相互作用的深入理解。针对以上问题,开发了基于Unity3D的卢... 卢瑟福散射实验是核物理学发展史中的经典实验之一。基于实验放射源使用安全的考虑,国内外高校多以理论讲授为主,少有实验教学,限制了学生对原子核微观结构及射线与物质的微观相互作用的深入理解。针对以上问题,开发了基于Unity3D的卢瑟福散射虚拟仿真实验,真实再现实验场景,通过蒙特卡罗模拟保证了实验数据的真实可靠性。实验内容涵盖半导体α谱仪的使用、卢瑟福微分散射截面公式的验证、卢瑟福背散射在材料分析中的应用等内容。该虚拟仿真实验的开发为高校近代物理实验、核物理实验、材料表征等专业实验教学提供了参考,丰富了核物理实验教学的内容。 展开更多
关键词 卢瑟福散射 卢瑟福背散射 虚拟仿真实验 实验教学
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金属有机化学汽相沉积生长InGaN薄膜的研究 被引量:5
16
作者 江风益 李述体 +2 位作者 王立 彭学新 熊传兵 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1463-1466,共4页
以Al2 O3 为衬底 ,采用金属有机汽相沉积 (MOCVD)技术在GaN膜上生长了InxGa1 -xN薄膜。以卢瑟福背散射 沟道技术和光致发光技术对InxGa1 -xN GaN Al2 O3 样品进行了分析。研究表明 ,金属有机汽相沉积生长高In组分InxGa1 -xN薄膜有一最... 以Al2 O3 为衬底 ,采用金属有机汽相沉积 (MOCVD)技术在GaN膜上生长了InxGa1 -xN薄膜。以卢瑟福背散射 沟道技术和光致发光技术对InxGa1 -xN GaN Al2 O3 样品进行了分析。研究表明 ,金属有机汽相沉积生长高In组分InxGa1 -xN薄膜有一最佳TMIn TEGa摩尔流量比。在一定范围内 ,降低其摩尔流量比 ,合金的生长速率增高 ,In组分提高 ;进一步降低TMIn TEGa摩尔流量比 ,导致In组分下降。研究还表明 ,InGaN薄膜的结晶品质随In组分的增大而下降 ,InGaN薄膜的In组分由 0 0 4增大到 0 10 ,其最低沟道产额比由 4 1%增至 11 0 %。 展开更多
关键词 金属有机化学汽相沉积 INGAN 卢瑟福背散射/沟道技术 光致发光 薄膜生长 氮镓甸三元化合物
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用卢瑟福背散射/沟道技术及高分辨X射线衍射技术分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的应变 被引量:6
17
作者 王欢 姚淑德 +1 位作者 潘尧波 张国义 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期3350-3354,共5页
利用卢瑟福背散射/沟道技术对在蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积方法生长的有GaN缓冲层(>2μm)的一系列不同Al和In含量的AlInGaN薄膜进行组分及结晶品质的测量;并结合高分辨X射线衍射技术,通过对AlInGaN的对称(0002)面,及非对称(... 利用卢瑟福背散射/沟道技术对在蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积方法生长的有GaN缓冲层(>2μm)的一系列不同Al和In含量的AlInGaN薄膜进行组分及结晶品质的测量;并结合高分辨X射线衍射技术,通过对AlInGaN的对称(0002)面,及非对称(1015)面的θ—2θ扫描及倒空间扫描,可以精确测定AlInGaN外延层的晶格常数及水平和垂直方向的应变.实验结果表明AlInGaN薄膜中不同含量Al和In对其应变有较大的影响,结合Vegard定理,对这一现象给出了理论的解释. 展开更多
关键词 ALINGAN 高分辨X射线衍射 卢瑟福背散射/沟道 弹性应变
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Al_xGa_(1-x)N晶体薄膜中铝含量的卢瑟福背散射精确测定 被引量:6
18
作者 刘运传 周燕萍 +3 位作者 王雪蓉 孟祥艳 段剑 郑会保 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第16期70-74,共5页
采用金属有机化合物气相淀积法在(0001)取向的蓝宝石衬底上生长一层大约20nm厚的AlN缓冲层,在缓冲层上生长大约2μm厚、晶体质量良好的AlxGa1-xN外延层,通过深紫外光致发光法测量发光峰的能量Eg判断外延层中铝含量的均匀性,取样品均匀... 采用金属有机化合物气相淀积法在(0001)取向的蓝宝石衬底上生长一层大约20nm厚的AlN缓冲层,在缓冲层上生长大约2μm厚、晶体质量良好的AlxGa1-xN外延层,通过深紫外光致发光法测量发光峰的能量Eg判断外延层中铝含量的均匀性,取样品均匀性良好的氮铝镓外延片进行卢瑟福背散射(RBS)实验,通过两个高能离子束实验室分别进行RBS随机谱分析,每个实验室测量六个样品,由分析软件拟合随机谱获得外延层中的xAl.并对样品的均匀性、堆积校准、计数统计、散射角、离子束能量与阻止截面等影响测量结果准确性的不确定度来源进行分析.结果表明,采用入射离子4He,能量为2000keV,散射角为165时,氮铝镓外延片中铝含量(x=0.8)的测量不确定度为2.0%,包含扩展因子k=2. 展开更多
关键词 氮铝镓 卢瑟福背散射 测量不确定度 金属有机化合物气相淀积法
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蓝宝石衬底上生长的Ga_(2+x)O_(3-x)薄膜的结构分析 被引量:6
19
作者 潘惠平 成枫锋 +2 位作者 李琳 洪瑞华 姚淑德 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期509-514,共6页
利用卢瑟夫背散射/沟道技术和金属有机化学气相沉积方法,对蓝宝石衬底上在不同温度、压强下生长的Ga2+xO3-x薄膜进行结构和结晶品质的测量与分析;并结合高分辨X射线衍射分析技术,通过对其对称(02)面的θ—2θ及ω扫描,确定了其结构类... 利用卢瑟夫背散射/沟道技术和金属有机化学气相沉积方法,对蓝宝石衬底上在不同温度、压强下生长的Ga2+xO3-x薄膜进行结构和结晶品质的测量与分析;并结合高分辨X射线衍射分析技术,通过对其对称(02)面的θ—2θ及ω扫描,确定了其结构类型及结晶品质.实验表明:在相同的生长温度(500°C)下,结晶品质随压强的下降而变好,生长压强为15Torr(1Torr=133.322Pa)的样品其结晶品质最好,沿轴入射之比χmin值为14.5%;在相同的生长压强(15Torr)下,结晶品质受生长温度的影响不大,所以,生长温度不是改变结晶品质的主要因素;此外,在相同的生长条件下制备的样品,分别经过700,800和900°C退火后,其结晶品质随退火温度的变化而变化.退火温度为800°C的样品的结晶品质最好,χmin值为11.1%;当退火温度达到900°C时,样品部分分解;经热处理的样品其X射线衍射谱中有一个强的Ga2O3(02)面衍射峰,其半峰全宽为0.5,表明该Ga2O3外延膜是(02)择优取向. 展开更多
关键词 氧化镓 卢瑟夫背散射 X射线衍射 结晶品质
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Si衬底上ZnO外延膜结构性质的比较 被引量:2
20
作者 王坤 姚淑德 +2 位作者 丁志博 朱俊杰 傅竹西 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1386-1390,共5页
采用连通式双反应室高温MOCVD系统在Si衬底上外延ZnO薄膜,通过卢瑟福背散射/沟道(RBS/C)及高分辨X射线衍射(HR-XRD)技术对不同衬底条件的ZnO外延膜进行了组分及结构分析,结果表明在采用SiC缓冲层后,Si(111)衬底上ZnO(0002)面衍射峰半高... 采用连通式双反应室高温MOCVD系统在Si衬底上外延ZnO薄膜,通过卢瑟福背散射/沟道(RBS/C)及高分辨X射线衍射(HR-XRD)技术对不同衬底条件的ZnO外延膜进行了组分及结构分析,结果表明在采用SiC缓冲层后,Si(111)衬底上ZnO(0002)面衍射峰半高宽明显减小,缺陷密度降低,单晶质量显著变好,c轴方向应变由0·49%变为-0·16%,即由拉应变变为压应变且应变值变小,说明SiC缓冲层可以有效地减小ZnO与Si衬底晶格失配带来的应变,改善外延膜质量,实现Si衬底上单晶ZnO的生长. 展开更多
关键词 ZnO/SiC/Si 卢瑟福背散射/沟道 高分辨X射线衍射 结构性质
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