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含有缺口的Co纳米环的微磁学模拟
被引量：
5
1
作者
苗秀娟
王学凤
蓝志环
《磁性材料及器件》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期24-26,77,共4页
以Nipun Agarwal等人的实验结果为依据,用微磁学理论对外径为300nm、内径50nm、厚度不同、含有不同角度缺口的Co纳米环在不同方向(垂直和平行于盘的缺口方向)磁场作用下的磁化反转过程进行模拟。从剩磁态、剩磁比和矫顽力三个方面对模...
以Nipun Agarwal等人的实验结果为依据,用微磁学理论对外径为300nm、内径50nm、厚度不同、含有不同角度缺口的Co纳米环在不同方向(垂直和平行于盘的缺口方向)磁场作用下的磁化反转过程进行模拟。从剩磁态、剩磁比和矫顽力三个方面对模拟的结果进行分析比较。当磁场的方向垂直于缺口方向时,Co纳米环具有稳定的剩磁态,这与已有的研究结果一致。剩磁比随缺口角度的增大而增高,随厚度的增大无明显变化;矫顽力与磁体厚度和缺口角度的关系较为复杂。
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关键词
Co纳米环
微磁学
剩磁态
剩磁比
矫顽力
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职称材料
具有扇形缺口的Co纳米盘的微磁学模拟
被引量：
1
2
作者
苗秀娟
李丹丹
陈玉芳
《内蒙古民族大学学报（自然科学版）》
2010年第5期495-498,共4页
以H.Wang等人的实验结果为依据,用微磁学理论对直径为400 nm,具有不同缺口角度的Co纳米盘在不同方向(垂直和平行于盘的缺口方向)磁场作用下的磁化反转过程进行模拟.从剩磁态、剩磁和矫顽力三个方面考察了不同缺口角度的引入对磁体磁性...
以H.Wang等人的实验结果为依据,用微磁学理论对直径为400 nm,具有不同缺口角度的Co纳米盘在不同方向(垂直和平行于盘的缺口方向)磁场作用下的磁化反转过程进行模拟.从剩磁态、剩磁和矫顽力三个方面考察了不同缺口角度的引入对磁体磁性能的影响.比较模拟结果发现:当磁场垂直于盘的缺口方向时,获得的剩磁态均为磁通闭合磁畴结构,且此时剩磁和矫顽力都随缺口角度的增加呈增加趋势.
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关键词
微磁学
缺口
纳米盘
剩磁态
剩磁
矫顽力
磁存储
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职称材料
不同初始磁状态U75V钢变形阶段的磁记忆参数表征
被引量：
1
3
作者
付美礼
包胜
+1 位作者
柏树壮
楼煌杰
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第6期866-870,共5页
通过对经退磁处理和未消磁的U75V钢光滑试件进行静载拉伸试验研究了初始磁状态对试件表面磁信号的影响。结果表明:消磁试件长度范围内的表面磁场在弹性阶段呈现很好的线性分布。进入塑性后,切向磁场出现局部弯曲。利用切向磁场均值和法...
通过对经退磁处理和未消磁的U75V钢光滑试件进行静载拉伸试验研究了初始磁状态对试件表面磁信号的影响。结果表明:消磁试件长度范围内的表面磁场在弹性阶段呈现很好的线性分布。进入塑性后,切向磁场出现局部弯曲。利用切向磁场均值和法向磁场斜率变化可以区分弹塑性阶段以及确定弹性阶段的应力幅值;未消磁试件随着载荷增加其表面磁场波动幅度减小,由初始无规律分布逐渐转向磁有序状态。利用未消磁试件长度范围外的磁记忆信号曲线的磁场均值及斜率变化可以有效表征不同的变形阶段。
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关键词
初始磁状态
变形阶段
磁记忆参数
拉伸试验
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职称材料
题名
含有缺口的Co纳米环的微磁学模拟
被引量：
5
1
作者
苗秀娟
王学凤
蓝志环
机构
内蒙古民族大学物理与电子信息学院
吉林大学物理学院
空军航空大学航空军械工程系
出处
《磁性材料及器件》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期24-26,77,共4页
基金
内蒙古民族大学科研基金资助项目(MDX2010048)
文摘
以Nipun Agarwal等人的实验结果为依据,用微磁学理论对外径为300nm、内径50nm、厚度不同、含有不同角度缺口的Co纳米环在不同方向(垂直和平行于盘的缺口方向)磁场作用下的磁化反转过程进行模拟。从剩磁态、剩磁比和矫顽力三个方面对模拟的结果进行分析比较。当磁场的方向垂直于缺口方向时,Co纳米环具有稳定的剩磁态,这与已有的研究结果一致。剩磁比随缺口角度的增大而增高,随厚度的增大无明显变化;矫顽力与磁体厚度和缺口角度的关系较为复杂。
关键词
Co纳米环
微磁学
剩磁态
剩磁比
矫顽力
Keywords
Co
nanoring
micromagnetic
simulation
remanent
state
reman
ence
ratio
coercive
force
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
O482.5 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
具有扇形缺口的Co纳米盘的微磁学模拟
被引量：
1
2
作者
苗秀娟
李丹丹
陈玉芳
机构
内蒙古民族大学物理与电子信息学院
出处
《内蒙古民族大学学报（自然科学版）》
2010年第5期495-498,共4页
文摘
以H.Wang等人的实验结果为依据,用微磁学理论对直径为400 nm,具有不同缺口角度的Co纳米盘在不同方向(垂直和平行于盘的缺口方向)磁场作用下的磁化反转过程进行模拟.从剩磁态、剩磁和矫顽力三个方面考察了不同缺口角度的引入对磁体磁性能的影响.比较模拟结果发现:当磁场垂直于盘的缺口方向时,获得的剩磁态均为磁通闭合磁畴结构,且此时剩磁和矫顽力都随缺口角度的增加呈增加趋势.
关键词
微磁学
缺口
纳米盘
剩磁态
剩磁
矫顽力
磁存储
Keywords
Micromagnetic
Slotted
angle
Nanodisks
remanent
state
reman
ence
magnetic
Coercive
force
Magnetic
storage
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
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职称材料
题名
不同初始磁状态U75V钢变形阶段的磁记忆参数表征
被引量：
1
3
作者
付美礼
包胜
柏树壮
楼煌杰
机构
浙江大学结构工程研究所
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第6期866-870,共5页
基金
浙江省自然科学基金资助项目(LZ12E08003)
中央大学基础研究基金资助项目(2015QNA4028)
文摘
通过对经退磁处理和未消磁的U75V钢光滑试件进行静载拉伸试验研究了初始磁状态对试件表面磁信号的影响。结果表明:消磁试件长度范围内的表面磁场在弹性阶段呈现很好的线性分布。进入塑性后,切向磁场出现局部弯曲。利用切向磁场均值和法向磁场斜率变化可以区分弹塑性阶段以及确定弹性阶段的应力幅值;未消磁试件随着载荷增加其表面磁场波动幅度减小,由初始无规律分布逐渐转向磁有序状态。利用未消磁试件长度范围外的磁记忆信号曲线的磁场均值及斜率变化可以有效表征不同的变形阶段。
关键词
初始磁状态
变形阶段
磁记忆参数
拉伸试验
Keywords
initial
remanent
state
deformation
stage
magnetic
memory
parameters
tensile
test
分类号
TG115.28 [金属学及工艺—物理冶金]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
含有缺口的Co纳米环的微磁学模拟
苗秀娟
王学凤
蓝志环
《磁性材料及器件》
CAS
CSCD
北大核心
2012
5
下载PDF
职称材料
2
具有扇形缺口的Co纳米盘的微磁学模拟
苗秀娟
李丹丹
陈玉芳
《内蒙古民族大学学报（自然科学版）》
2010
1
下载PDF
职称材料
3
不同初始磁状态U75V钢变形阶段的磁记忆参数表征
付美礼
包胜
柏树壮
楼煌杰
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017
1
下载PDF
职称材料
已选择
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