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退火温度对ZnO薄膜结构和发光特性的影响 被引量：47
1
作者 孙成伟 刘志文 张庆瑜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期430-436,共7页
采用反应射频磁控溅射法在Si(100)基片上制备了高c轴择优取向的ZnO薄膜,研究了退火温度对ZnO薄膜的晶粒尺度、应力状态、成分和发光光谱的影响,探讨了ZnO薄膜的紫外发光光谱和可见发光光谱与薄膜的微观状态之间的关系.研究结果显示,在60... 采用反应射频磁控溅射法在Si(100)基片上制备了高c轴择优取向的ZnO薄膜,研究了退火温度对ZnO薄膜的晶粒尺度、应力状态、成分和发光光谱的影响,探讨了ZnO薄膜的紫外发光光谱和可见发光光谱与薄膜的微观状态之间的关系.研究结果显示,在600—1000℃退火温度范围内,退火对薄膜的织构取向的影响较小,但薄膜的应力状态和成分有比较明显的变化.室温下光致发光光谱分析发现,薄膜的近紫外光谱特征与薄膜的晶粒尺度和缺陷状态之间存在着明显的对应关系;而近紫外光谱随退火温度升高所呈现的整体峰位红移是各激子峰相对比例变化的结果.此外,研究结果显示,薄膜的可见发光光谱对退火温度极为敏感. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 退火 光致发光 射频反应磁控溅射 可见光发射
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结构色织物的光学性能 被引量：19
2
作者 叶丽华 杜文琴 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期83-88,共6页
为探究结构色在纺织染整行业应用的可操作性,采用磁控溅射法,以白色涤纶非织造布和桑蚕丝织物为基布,溅射Si O2、Ti O2周期薄膜制备织物结构色。通过使用VHX-1000C型超景深三维显微镜观察织物镀膜前后的表面形貌和色彩,利用分光光度计... 为探究结构色在纺织染整行业应用的可操作性,采用磁控溅射法,以白色涤纶非织造布和桑蚕丝织物为基布,溅射Si O2、Ti O2周期薄膜制备织物结构色。通过使用VHX-1000C型超景深三维显微镜观察织物镀膜前后的表面形貌和色彩,利用分光光度计量化描述镀膜前后织物的色度差,并利用R1宏观角分辨仪得到织物结构色的多角度反射光谱图和散射光谱图。结果发现:在相同工艺条件下,镀膜后的非织造布和桑蚕丝织物均出现了色彩,但出色效果不同,存在色度差;通过对光谱及呈现的色彩特性的分析得到镀膜后织物上的色彩是结构色,产生于薄膜对光的干涉和散射。 展开更多
关键词 磁控溅射法 周期薄膜 结构色 薄膜干涉 散射
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导电玻璃上室温沉积钛膜及TiO_2纳米管阵列的制备与表征 被引量：9
3
作者 汤育欣 陶杰 +3 位作者 张焱焱 吴涛 陶海军 包祖国 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2191-2197,共7页
在掺氟的SnO2(FTO)导电玻璃衬底上采用射频磁控溅射的方法室温沉积纯Ti薄膜,以NH4F/甘油为电解液,经电化学阳极氧化得到结构有序、微米级的TiO2纳米管阵列/FTO复合结构,并通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)以及光电化学... 在掺氟的SnO2(FTO)导电玻璃衬底上采用射频磁控溅射的方法室温沉积纯Ti薄膜,以NH4F/甘油为电解液,经电化学阳极氧化得到结构有序、微米级的TiO2纳米管阵列/FTO复合结构,并通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)以及光电化学的方法对纳米管阵列进行了表征.研究表明,在氩气气压为0.5Pa,功率为150W,时间为0.5h条件下在导电玻璃上室温沉积获得钛膜的结构为晶带T型组织,表面均匀性好且致密度较高;在电压为30V下,随着阳极氧化时间从1h延长至3h,纳米管的管径从50nm增加到75nm,纳米管的长度从750nm增至1100nm后减至800nm,管壁由平滑变为波纹状;随氧化电压的升高,纳米管管径逐渐增大,而表面覆盖物逐渐减少,可通过在稀的HF溶液(0.05%(w,质量分数))中超声清洗去除;此外,瞬态光电流测试表明结晶的电极表现出更好的光电转换性能,紫外光照射下能促进TiO2光生载流子有效分离,在热处理温度为450℃时,具有较高的光电化学性能. 展开更多
关键词 射频磁控溅射 室温 FTO导电玻璃 TIO2纳米管阵列 NH4F/甘油
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射频磁控溅射法制备TiB_2涂层及其性能分析 被引量：10
4
作者 孙荣幸 张同俊 +1 位作者 戴伟 李松 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期249-251,257,共4页
利用射频磁控溅射技术在硅和钢片上沉积了TiB2涂层。采用场发射电子扫描显微镜(FESEM),小掠射角x射线衍射(GAXRD)及X射线光电子能谱(XPS)分别研究了涂层的横截面形貌,晶体结构以及涂层中的元素和化学状态。同时,对涂层的显微硬度和残余... 利用射频磁控溅射技术在硅和钢片上沉积了TiB2涂层。采用场发射电子扫描显微镜(FESEM),小掠射角x射线衍射(GAXRD)及X射线光电子能谱(XPS)分别研究了涂层的横截面形貌,晶体结构以及涂层中的元素和化学状态。同时,对涂层的显微硬度和残余应力进行了表征。结果表明,利用射频磁控溅射法制备的TiB2涂层平整光滑,结构致密,沿[001]晶向择优生长,具有纳米晶结构,硬度显著提高,而且残余压应力较低。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 TIB2涂层 GAXRD 残余应力
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p型ZnO薄膜的制备及特性 被引量：11
5
作者 王楠 孔春阳 +4 位作者 朱仁江 秦国平 戴特力 南貌 阮海波 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期5974-5978,共5页
采用射频磁控溅射在Si片上制备ZnO薄膜,通过离子注入对样品进行N掺杂,在不同温度下进行退火并实现了p型转变.用扫描电子显微镜、X射线衍射和Hall测量对薄膜进行了表征,结果表明薄膜具有良好的表面形貌和高度c轴择优取向,退火后p型ZnO薄... 采用射频磁控溅射在Si片上制备ZnO薄膜,通过离子注入对样品进行N掺杂,在不同温度下进行退火并实现了p型转变.用扫描电子显微镜、X射线衍射和Hall测量对薄膜进行了表征,结果表明薄膜具有良好的表面形貌和高度c轴择优取向,退火后p型ZnO薄膜的最高载流子浓度和最低电阻率分别为1.68×1016cm-3和41.5Ω.cm.讨论并分析了退火温度和时间对ZnO薄膜p型转变的影响. 展开更多
关键词 离子注入 P型ZNO薄膜 退火 射频磁控溅射
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RF溅射钕掺杂ZnO薄膜的结构与发光特性 被引量：12
6
作者 文军 陈长乐 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期856-860,共5页
通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了未掺杂ZnO薄膜和Nd掺杂ZnO薄膜。应用XRD分析了ZnO:Nd薄膜的晶格结构,通过AFM观察了ZnO:Nd薄膜的表面形貌。结果表明,Nd掺入了ZnO晶格中,由于Nd原子半径大于Zn原子半径,Nd以替位原子的形式存... 通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了未掺杂ZnO薄膜和Nd掺杂ZnO薄膜。应用XRD分析了ZnO:Nd薄膜的晶格结构,通过AFM观察了ZnO:Nd薄膜的表面形貌。结果表明,Nd掺入了ZnO晶格中,由于Nd原子半径大于Zn原子半径,Nd以替位原子的形式存在于ZnO晶格中。ZnO:Nd薄膜为纳米多晶薄膜,表面形貌粗糙。ZnO:Nd薄膜的室温光致发光谱表明,相同条件下制备的未掺杂ZnO薄膜和Nd掺杂ZnO薄膜都出现了395nm的强紫光带和495nm的弱绿光带。我们认为,紫光发射峰窄而锐且强度远大于绿光峰,源于薄膜中激子复合;绿光峰强度较弱,源于薄膜中的氧空位(VO)及氧反位锌缺陷(OZn)。Nd掺杂没有影响ZnO:Nd薄膜的PL谱的发射峰的峰位。由于Nd3+离子电荷数与Zn2+离子电荷数不相等,为了保持ZnO薄膜的电中性,间隙锌(VZn)可以作为Nd替位补偿性的受主杂质而存在,影响ZnO薄膜的激子浓度。同时,Nd掺入使ZnO的晶格畸变缺陷浓度改变增强,因而发射峰的强度随Nd掺杂浓度不同而变化。 展开更多
关键词 ND掺杂 ZNO薄膜 射频磁控溅射 光致发光
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HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能 被引量：10
7
作者 任丙彦 刘晓平 +2 位作者 许颖 王敏花 廖显伯 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期504-507,共4页
采用射频磁控溅射技术在不同射频功率下沉积了ITO薄膜,并将其应用于HIT太阳电池.分析了薄膜的结构、光电特性.结果表明,在120W时制备的薄膜很好地兼顾了电阻率和光透过率,其电阻率为3.48×10^-4Ω·cm、在350～800 nm波段的平... 采用射频磁控溅射技术在不同射频功率下沉积了ITO薄膜,并将其应用于HIT太阳电池.分析了薄膜的结构、光电特性.结果表明,在120W时制备的薄膜很好地兼顾了电阻率和光透过率,其电阻率为3.48×10^-4Ω·cm、在350～800 nm波段的平均光透过率为87.1%,将其应用于HIT太阳电池上,电池的转换效率可达13.38%. 展开更多
关键词 氧化铟锡薄膜 射频磁控溅射 陶瓷靶 HIT太阳电池
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负载纳米TiO_2的纯棉抗菌织物 被引量：10
8
作者 徐阳 魏取福 +2 位作者 汪莹莹 黄锋林 李鸥 《江南大学学报（自然科学版）》 CAS 2007年第4期474-477,共4页
在室温条件下采用射频磁控溅射方法,在纯棉机织物表面沉积TiO2功能纳米结构层.利用原子力显微镜和X射线衍射仪分别分析其表面形貌和晶态结构,同时对负载纳米TiO2织物的抗菌性和耐洗性进行了初步研究.实验表明,在拟定的溅射工艺条件下,... 在室温条件下采用射频磁控溅射方法,在纯棉机织物表面沉积TiO2功能纳米结构层.利用原子力显微镜和X射线衍射仪分别分析其表面形貌和晶态结构,同时对负载纳米TiO2织物的抗菌性和耐洗性进行了初步研究.实验表明,在拟定的溅射工艺条件下,纯棉机织物表面沉积了晶粒较为均匀、粒径较小的锐钛矿型纳米TiO2功能结构层,这一功能层使负载织物呈现出优良的抗菌性能;同时负载织物具有良好的耐洗性,经30次洗涤后,其抗菌性能仍保持在很高的水平. 展开更多
关键词 射频磁控溅射 二氧化钛 棉织物 抗菌
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磁控溅射制备掺银TiO_2薄膜的光催化特性研究 被引量：5
9
作者 邱成军 曹茂盛 +3 位作者 张辉军 刘红梅 田风军 刘鑫 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期35-37,46,共4页
利用交流磁控溅射设备采用金属Ti靶在石英和硅衬底制备掺银TiO2薄膜,并利用SEM,XRD及吸收光谱等方法分析测试TiO2薄膜的性质,探讨了掺银对TiO2薄膜吸收光谱的影响。并通过对甲基橙溶液浓度变化研究了掺银TiO2薄膜光催化特性,分析了掺银... 利用交流磁控溅射设备采用金属Ti靶在石英和硅衬底制备掺银TiO2薄膜,并利用SEM,XRD及吸收光谱等方法分析测试TiO2薄膜的性质,探讨了掺银对TiO2薄膜吸收光谱的影响。并通过对甲基橙溶液浓度变化研究了掺银TiO2薄膜光催化特性,分析了掺银对TiO2薄膜增强光催化作用的工作机理,研究结果表明掺银有利于TiO2薄膜对有机物的降解作用。 展开更多
关键词 薄膜 锐钛矿相 射频磁控溅射 光催化活性
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溅射气压对ZnO透明导电薄膜光电性能的影响 被引量：7
10
作者 周继承 李莉 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1278-1283,共6页
采用射频磁控溅射方法,在普通玻璃上制备了具有高度c轴取向的ZnO薄膜,研究了溅射气压(0.2～1.5Pa)对ZnO薄膜的微观结构和光电性能的影响。AFM、XRD、UV-Vis分光光度计及四探针法研究表明:随着溅射气压的增大,ZnO薄膜沿c轴方向的结晶质... 采用射频磁控溅射方法,在普通玻璃上制备了具有高度c轴取向的ZnO薄膜,研究了溅射气压(0.2～1.5Pa)对ZnO薄膜的微观结构和光电性能的影响。AFM、XRD、UV-Vis分光光度计及四探针法研究表明:随着溅射气压的增大,ZnO薄膜沿c轴方向的结晶质量提高,晶粒细化,薄膜表面更加致密,晶粒大小更加均匀;ZnO薄膜在400～900nm范围内的平均透过率均高于85%,其中在0.5～1.5Pa范围内其透过率高于90%;样品在高纯氮气气氛中经350℃,300s退火后,电阻率最低达到10-2Ω·cm量级。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 ZNO薄膜 溅射气压 透明导电薄膜
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带隙可调的Al,Mg掺杂ZnO薄膜的制备 被引量：9
11
作者 高立 张建民 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期7199-7203,共5页
利用射频磁控溅射(RF-MS)方法,固定Al2O3掺杂量2wt%,Mg掺杂量分别为1wt%,3wt%和5wt%,在玻璃基底上制备了Al掺杂和Al,Mg共掺杂的ZnO薄膜,在500℃空气中退火2h后,测量并比较了它们的光学和电学性质.结果表明,Al,Mg共掺杂的ZnO薄膜结晶质... 利用射频磁控溅射(RF-MS)方法,固定Al2O3掺杂量2wt%,Mg掺杂量分别为1wt%,3wt%和5wt%,在玻璃基底上制备了Al掺杂和Al,Mg共掺杂的ZnO薄膜,在500℃空气中退火2h后,测量并比较了它们的光学和电学性质.结果表明,Al,Mg共掺杂的ZnO薄膜结晶质量良好,具有ZnO纤锌矿结构,具有较强的(002)面衍射峰,表明薄膜晶体沿c轴优先生长;与Al掺杂ZnO薄膜相比蓝端光透射率增加,1wt%和3wt%Mg掺杂薄膜在可见光区域的平均透射率大于85%;随着Mg掺杂量的增加,薄膜禁带宽度增大并在3.44—3.51eV范围内可调;Mg掺杂量为1wt%,3wt%和5wt%时,电阻率分别为1.2×10-3,3.7×10-3和8.5×10-3Ω.cm;实验中观察到的Al,Mg共掺杂的ZnO薄膜的Stokes位移分别为20,14和50meV;另外发现当Mg掺杂量达到5wt%时,Al,Mg共掺杂的ZnO薄膜晶体逐步产生畸变,透光率下降,电阻增大. 展开更多
关键词 射频磁控溅射 ZNO薄膜 AL Mg共掺杂
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钛合金表面磁控溅射制备HA／YSZ梯度涂层 被引量：9
12
作者 林东洋 赵玉涛 +2 位作者 甘俊旗 程晓农 戴起勋 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期34-38,共5页
采用射频磁控溅射法在Ti6Al4V基体上制备了HA/YSZ生物梯度涂层。借助于XRD,SEM,EDS等对溅射涂层的相组成、微观形貌和界面状态进行了研究。实验结果表明:磁控溅射的生物梯度涂层呈非晶态,经过退火处理,可以使其转化为晶态,恢复缺失的OH... 采用射频磁控溅射法在Ti6Al4V基体上制备了HA/YSZ生物梯度涂层。借助于XRD,SEM,EDS等对溅射涂层的相组成、微观形貌和界面状态进行了研究。实验结果表明:磁控溅射的生物梯度涂层呈非晶态,经过退火处理,可以使其转化为晶态,恢复缺失的OH-1;梯度涂层的微观表面凹凸不平,并呈现网状结构和较多的孔隙,后处理仍保持梯度涂层利于新骨生长的表面形貌,并使其转变为针状结晶。HA/YSZ梯度涂层与基体结合紧密,在涂层与基体界面结合处约5.0μm范围内存在Ti,Ca,P,Zr的相互扩散层,梯度涂层与基体的界面结合强度达60.5MPa。 展开更多
关键词 HA梯度涂层 射频磁控溅射 微结构 结合强度
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太阳盲MgZnO光电探测器 被引量：7
13
作者 蒋大勇 张吉英 +8 位作者 单崇新 吕有明 赵延民 韩舜 姚斌 张振中 赵东旭 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期743-746,共4页
利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构。在室温下,实现了太阳盲MgZnO光电探测器,器件的探测峰值位于225 nm,截止边为230 nm。
关键词 MgZnO合金薄膜 太阳盲光电探测器 射频磁控溅射
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基于柔性显示器件的氧化铝介电层室温制备 被引量：7
14
作者 姚日晖 郑泽科 +10 位作者 曾勇 胡诗犇 刘贤哲 陶瑞强 陈建秋 蔡炜 宁洪龙 徐苗 王磊 兰林锋 彭俊彪 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期367-372,共6页
在室温环境下采用射频磁控溅射方法制备了氧化铝(A_l2O_3)薄膜,通过调节溅射气压实现了对薄膜特性的优化控制。当溅射功率为120 W、Ar气压强为0.13Pa时,制备的A_l2O_3薄膜具有最好的厚度均匀性,薄膜中Al和O的原子比为1∶1.67,密度为3.21... 在室温环境下采用射频磁控溅射方法制备了氧化铝(A_l2O_3)薄膜,通过调节溅射气压实现了对薄膜特性的优化控制。当溅射功率为120 W、Ar气压强为0.13Pa时,制备的A_l2O_3薄膜具有最好的厚度均匀性,薄膜中Al和O的原子比为1∶1.67,密度为3.21g/cm^3,粗糙度为0.62nm。这种平滑、致密的薄膜结构能够有效地减少缺陷的形成,获得高击穿电压、高相对介电常数和低漏电等性能。利用优化后的A_l2O_3薄膜作为栅极绝缘层,在聚酰亚胺树脂(PI)基板上室温制备了柔性非晶态铟镓锌氧化物-薄膜晶体管(α-IGZO-TFT),其迁移率为2.19cm2/(V·s),开关比达到105,亚阈值摆幅为0.366V/decade,阈值电压为3.01V。 展开更多
关键词 薄膜 柔性薄膜晶体管 氧化铝 介电层 射频磁控溅射 室温制备
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射频磁控溅射含氟羟基磷灰石涂层的研究 被引量：3
15
作者 盛敏 赵康 井晓天 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期440-442,447,共4页
本文采用射频磁控溅射技术在钛合金(Ti6Al4V)基体上制备出含氟羟基磷灰石(FHA)生物涂层,探讨该涂层组织结构,不同氟含量和温度对涂层晶化程度的影响。利用扫描电镜(SEM)观察FHA生物涂层的表面形貌,采用X射线衍射仪(XRD)分析涂层相结构,... 本文采用射频磁控溅射技术在钛合金(Ti6Al4V)基体上制备出含氟羟基磷灰石(FHA)生物涂层,探讨该涂层组织结构,不同氟含量和温度对涂层晶化程度的影响。利用扫描电镜(SEM)观察FHA生物涂层的表面形貌,采用X射线衍射仪(XRD)分析涂层相结构,利用能量分散谱仪(EDS)分析涂层的Ca/P比。结果表明,随着氟含量的增加可大大提高涂层的晶化程度,制备的FHA涂层致密、均匀。700℃晶化处理的涂层结晶度较高。 展开更多
关键词 含氟羟基磷灰石 生物涂层 射频磁控溅射 钛合(Ti6Al4V)
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衬底及压强对磁控溅射ZnO薄膜表面形貌的影响 被引量：5
16
作者 霍庆松 张宁玉 +4 位作者 付刚 李爽 刘小村 韩利新 张玉华 《山东建筑大学学报》 2010年第4期382-385,共4页
在压强为0.5Pa和0.7Pa的情况下,采用磁控溅射法分别在Si及石英玻璃衬底上生长ZnO薄膜。利用原子力显微镜对ZnO薄膜的表面形貌进行观察,研究了压强及衬底对薄膜表面形貌的影响。研究表明:在Si衬底上生长的ZnO薄膜,压强为0.7Pa时比压强为0... 在压强为0.5Pa和0.7Pa的情况下,采用磁控溅射法分别在Si及石英玻璃衬底上生长ZnO薄膜。利用原子力显微镜对ZnO薄膜的表面形貌进行观察,研究了压强及衬底对薄膜表面形貌的影响。研究表明:在Si衬底上生长的ZnO薄膜,压强为0.7Pa时比压强为0.5Pa时表面粗糙度要大;在相同溅射气压(0.7Pa)下,Si衬底上得到的ZnO薄膜质量明显优于石英玻璃衬底上的。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 磁控溅射 原子力显微镜 表面形貌
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常温下ZnO/Ag/ZnO复合薄膜的制备及其光电特性 被引量：6
17
作者 郭凯 于涛 +2 位作者 宋斌斌 李新连 赵树利 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2017年第10期463-468,共6页
采用射频磁控溅射与电子束蒸发的方式,制备了ZnO/Ag/ZnO三层复合薄膜,研究了Ag薄膜厚度以及电子束蒸发的沉积速率对复合薄膜光电性能的影响。实验结果表明,当Ag薄膜厚度为8nm、电子束蒸发的沉积速率为0.5nm·s^(-1)时,复合薄膜的性... 采用射频磁控溅射与电子束蒸发的方式,制备了ZnO/Ag/ZnO三层复合薄膜,研究了Ag薄膜厚度以及电子束蒸发的沉积速率对复合薄膜光电性能的影响。实验结果表明,当Ag薄膜厚度为8nm、电子束蒸发的沉积速率为0.5nm·s^(-1)时,复合薄膜的性能最优,其方块电阻为6.01Ω,波长400~800nm范围内的光平均透过率为91.39%。优化后的ZnO/Ag/ZnO复合薄膜具有良好的光电特性。 展开更多
关键词 薄膜 ZnO/Ag/ZnO复合薄膜 电子束蒸发 射频磁控溅射 光电特性
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射频磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟锡透明导电薄膜性能的影响 被引量：2
18
作者 许阳晨 张群 《复旦学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期169-177,共9页
ITO薄膜是目前应用最为广泛的透明导电薄膜,通过在ITO中掺杂其他金属可以进一步改善ITO薄膜的光学和电学性能。本文采用射频(RF)磁控溅射法制备了掺钨氧化铟锡(ITO∶W)透明导电薄膜,研究了薄膜厚度、表面形貌、晶体结构以及光学和电学... ITO薄膜是目前应用最为广泛的透明导电薄膜,通过在ITO中掺杂其他金属可以进一步改善ITO薄膜的光学和电学性能。本文采用射频(RF)磁控溅射法制备了掺钨氧化铟锡(ITO∶W)透明导电薄膜,研究了薄膜厚度、表面形貌、晶体结构以及光学和电学性能与各溅射参数之间的关系。当溅射功率大于40 W时,制备的ITO∶W薄膜为方铁锰矿结构的多晶薄膜,此时薄膜表面光滑平整而且具有良好的结晶性。在基板温度320℃、溅射功率80 W、溅射时间15 min、工作气压0.6 Pa条件下得到了光学和电学性能优良的ITO∶W薄膜,其方块电阻为10.5Ω/、电阻率为4.41×10^(-4)Ω·cm,对应的载流子浓度为2.23×10^(20)cm^(-3)、迁移率为27.3 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)、可见光(400~700 nm)范围内平均透射率为90.97%。此外,本研究还发现通过调节基板温度影响氧元素的状态可以改变ITO∶W薄膜的电学性能。 展开更多
关键词 ITO薄膜 掺钨 透明导电氧化物 射频磁控溅射
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ITO透明导电薄膜的射频磁控溅射制备 被引量：6
19
作者 丁景兵 蔡长龙 邵雨 《西安工业大学学报》 CAS 2018年第3期226-231,共6页
为保证氧化铟锡(ITO)薄膜良好的导电性和很高的可见光透过率,通过射频磁控溅射在光学玻璃基底上制备了ITO薄膜,采用分光光度计和四探针测试仪测试了ITO薄膜电阻率和在可见光范围内的透过率,X射线衍射(XRD)测试薄膜晶相结构.研究基底温... 为保证氧化铟锡(ITO)薄膜良好的导电性和很高的可见光透过率,通过射频磁控溅射在光学玻璃基底上制备了ITO薄膜,采用分光光度计和四探针测试仪测试了ITO薄膜电阻率和在可见光范围内的透过率,X射线衍射(XRD)测试薄膜晶相结构.研究基底温度、氧气和氩气流量比和退火时间等工艺对ITO薄膜光电特性的影响.研究结果表明:在氧气和氩气流量比为1∶99、基片温度200℃、溅射功率150W、250℃退火60min条件下,沉积的ITO薄膜厚度约为1.4μm,ITO薄膜光电特性最佳,电阻率为3.42×10^(-3)Ω·cm,可见光范围内峰值透过率为89.27%. 展开更多
关键词 射频磁控溅射 快速热退火 ITO薄膜 光电特性
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溅射时间对Sb薄膜负极材料循环性能的影响 被引量：4
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作者 赖新方 赵灵智 +1 位作者 汝强 田琴 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期379-381,共3页
采用射频磁控溅射法在300W功率下分别镀膜15、30、45min,制备了三种锂离子电池用Sb薄膜负极材料。通过XRD、SEM、ICP、恒电流充放电对三种薄膜材料的结构、形貌及循环性能等进行了表征。实验结果表明,当溅射时间为30min时,Sb薄膜电极具... 采用射频磁控溅射法在300W功率下分别镀膜15、30、45min,制备了三种锂离子电池用Sb薄膜负极材料。通过XRD、SEM、ICP、恒电流充放电对三种薄膜材料的结构、形貌及循环性能等进行了表征。实验结果表明,当溅射时间为30min时,Sb薄膜电极具有最好的循环性能,首次嵌锂容量高达640mAh/g,20次循环后容量维持在323mAh/g,容量保持率为51%。 展开更多
关键词 锂离子电池 负极 射频磁控溅射 锑 溅射时间
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