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电致变色材料及器件的研究进展 被引量:40
1
作者 冯博学 陈冲 +4 位作者 何毓阳 伞海生 王君 刘金良 唐为国 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期145-150,共6页
 电致变色材料被认为是目前最有应用前景的智能材料之一,在过去几十年里被广泛研究,相关的电致变色器件也已经上市。本文在总结了各种电致变色材料的变色机理及其成膜方法(重点介绍了本实验室采用射频溅射制备的WO3膜和NiOx膜)的基础上...  电致变色材料被认为是目前最有应用前景的智能材料之一,在过去几十年里被广泛研究,相关的电致变色器件也已经上市。本文在总结了各种电致变色材料的变色机理及其成膜方法(重点介绍了本实验室采用射频溅射制备的WO3膜和NiOx膜)的基础上,研究了材料的应用及器件的组装,并对器件组装中所需要的部分其它关键材料进行了介绍。最后对未来电致变色材料及其应用进行了展望。 展开更多
关键词 电致变色 灵巧窗 射频溅射 导电聚合物 离子导体 智能材料 电致变色器件
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射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜 被引量:8
2
作者 林洪峰 谢二庆 +3 位作者 马紫微 张军 彭爱华 贺德衍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期2780-2785,共6页
利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiC薄膜 ,并利用x射线衍射 (XRD)和红外 (IR)吸收谱对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析 .XRD结果表明 ,低温制备的SiC薄膜为非晶相 ,而在高温下 (>80 0℃ ) ,薄膜呈现 4H SiC和 3C SiC结晶相... 利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiC薄膜 ,并利用x射线衍射 (XRD)和红外 (IR)吸收谱对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析 .XRD结果表明 ,低温制备的SiC薄膜为非晶相 ,而在高温下 (>80 0℃ ) ,薄膜呈现 4H SiC和 3C SiC结晶相 .IR谱显示 ,溅射制备薄膜的吸收特性主要为Si—C键的吸收 .此外 ,还利用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了研究 。 展开更多
关键词 射频溅射法 3C-SiC薄膜 4H-SiC薄膜 X射线衍射分析 红外吸收谱分析 薄膜结构分析
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以LiCoO_2为阴极的全固态薄膜锂电池的研究 被引量:8
3
作者 刘文元 傅正文 秦启宗 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1043-1047,共5页
采用射频磁控溅射技术制备了非晶态和不同取向的多晶LiCoO2薄膜,利用XRD和SEM研究了不同温度退火后LiCoO2薄膜的结构和形貌.以具有不同结构的LiCoO2薄膜为阴极、含氮磷酸锂薄膜为电解质以及金属锂薄膜为阳极,成功地制备了电化学性能不... 采用射频磁控溅射技术制备了非晶态和不同取向的多晶LiCoO2薄膜,利用XRD和SEM研究了不同温度退火后LiCoO2薄膜的结构和形貌.以具有不同结构的LiCoO2薄膜为阴极、含氮磷酸锂薄膜为电解质以及金属锂薄膜为阳极,成功地制备了电化学性能不同的全固态薄膜锂电池.由电化学研究结果表明,LiCoO2薄膜的结构和多晶取向决定了薄膜电池的电化学性能.采用具有一定取向的多晶LiCoO2薄膜制备的全固态薄膜锂电池具有最佳的性能,稳定放电容量达到55.4μAh/cm2μm,充放电循环次数超过450次. 展开更多
关键词 LICOO2 磁控溅射 LIPON 全固态薄膜锂电池
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硫化钨薄膜制备方法的研究 被引量:9
4
作者 巴德纯 杜广煜 王晓光 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期73-77,共5页
层状物固体润滑薄膜是固体润滑薄膜中最常用的形式,这种薄膜都具有优良的减摩、耐磨、抗擦伤性能。本文介绍了目前主要的硫化钨薄膜的制备方法,并通过射频溅射方法和硫化法制备了硫化钨薄膜,对各种制备方法进行了对比。通过溅射方法获... 层状物固体润滑薄膜是固体润滑薄膜中最常用的形式,这种薄膜都具有优良的减摩、耐磨、抗擦伤性能。本文介绍了目前主要的硫化钨薄膜的制备方法,并通过射频溅射方法和硫化法制备了硫化钨薄膜,对各种制备方法进行了对比。通过溅射方法获得的硫化钨薄膜的化学成分会随工作压力和溅射功率发生变化,同时薄膜的结晶率不高,而非晶态WS2薄膜的摩擦性能具有不确定性。但目前溅射方法仍是固态硫化钨薄膜最主要的制备方法。而通过硫化WO3薄膜获得的WS2薄膜,可以通过调整硫化温度和保温时间来获得具有较好的结晶性和有利的晶粒取向,从而提高薄膜的摩擦学性能。通过这种方法获得的WS2薄膜的一些其它性能,尚需作进一步研究。 展开更多
关键词 二硫化钨 制备方法 磁控溅射 射频溅射 硫化法
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用于LCD的氧化铝阻挡层的射频反应溅射沉积及其特性 被引量:6
5
作者 茅昕辉 张浩康 陈国平 《光电子技术》 CAS 1998年第2期134-137,共4页
用金属铝靶射频反应溅射制备了Al2O3薄膜,用作LCD基片玻璃的钠离子阻挡层。报道了射频溅射参数对薄膜沉积速率和折射率的影响。测试结果表明,所沉积的Al2O3薄膜满足LCD器件阻挡层的要求。
关键词 射频溅射 反应溅射 LCD 阻挡层 液晶显示器件
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溅射法制备高取向Pt薄膜的工艺研究 被引量:6
6
作者 鲁健 吴建华 +2 位作者 赵刚 王海 褚家如 《微细加工技术》 EI 2004年第1期41-46,共6页
采用射频磁控溅射工艺在SiO2/Si衬底上成功制备了适用于PZT铁电薄膜底电极的180nm厚、沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。厚约50nm的Ti膜被用作过渡层,以增强Pt薄膜与衬底之间的黏着性。实验表明,在Pt薄膜的制备过程中,较高的衬底温度有利... 采用射频磁控溅射工艺在SiO2/Si衬底上成功制备了适用于PZT铁电薄膜底电极的180nm厚、沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。厚约50nm的Ti膜被用作过渡层,以增强Pt薄膜与衬底之间的黏着性。实验表明,在Pt薄膜的制备过程中,较高的衬底温度有利于薄膜晶化,促使Pt薄膜沿(111)晶向择优取向生长。而在薄膜沉积后加入适当的热处理工艺,能有效地提高Pt薄膜的择优取向性,同样可以得到沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。原子力显微镜分析表明,制得的薄膜结构相对致密,结晶状况良好,晶粒尺寸约为50nm。 展开更多
关键词 Pt薄膜 射频磁控溅射工艺 PZT铁电薄膜 微机电系统 热处理工艺
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后退火温度对溅射沉积Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3铁电薄膜结构和性能的影响 被引量:6
7
作者 赖珍荃 李新曦 +3 位作者 俞进 王根水 郭少令 褚君浩 《南昌大学学报(理科版)》 CAS 北大核心 2003年第1期26-28,44,共4页
在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-... 在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。 展开更多
关键词 PZT铁电薄膜 薄膜结构 铁电性能 介电性能 后退火温度 射频磁控溅射 Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜
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RF磁控溅射制备TiO_2薄膜及其性能讨论 被引量:5
8
作者 赵丽特 叶勤 刘应亮 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》 CAS CSCD 2004年第3期285-288,共4页
用RF磁控溅射法制备了TiO2薄膜,考察了工作压强、靶与基片距离对薄膜沉积速率、均匀性的影响以及靶材料、基片及退火温度对薄膜晶体结构的影响.获得的TiO2薄膜在很宽的温度范围(400~900℃)内保持锐钛矿型晶体结构.
关键词 TIO2薄膜 磁控溅射 晶体结构
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Ti/Ni过渡层对WS2薄膜摩擦学性能影响 被引量:6
9
作者 杜广煜 巴德纯 王晓光 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期146-151,共6页
采用射频溅射法,通过预先制备Ti和Ni 2种过渡层的工艺在3Cr13马氏体不锈钢基片上制备了硫化钨薄膜,通过与无过渡层的射频溅射WS2薄膜对比,研究了2种过渡层对薄膜性能的影响.3种样品的物相分析,表面形貌观察,微区化学成分测定,膜基结合... 采用射频溅射法,通过预先制备Ti和Ni 2种过渡层的工艺在3Cr13马氏体不锈钢基片上制备了硫化钨薄膜,通过与无过渡层的射频溅射WS2薄膜对比,研究了2种过渡层对薄膜性能的影响.3种样品的物相分析,表面形貌观察,微区化学成分测定,膜基结合力和薄膜摩擦系数测试等结果表明,Ti过渡层对硫化钨薄膜结构和S/W原子比没有明显的影响,对膜层的摩擦系数影响也不大,但薄膜耐磨性有所提高.而Ni过渡层虽对S/W原子比无明显影响,但却明显地提高薄膜Ⅱ型织构(基面取向)的强度,从而降低了薄膜的摩擦系数,提高了薄膜耐磨性. 展开更多
关键词 射频溅射 WS2 过渡层 物相分析 摩擦系数
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银包覆TiO_2纳米薄膜的光催化杀菌性能 被引量:6
10
作者 唐晓山 李达 《中国生物医学工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期615-619,共5页
采用射频反应溅射法在玻璃衬底上制得均匀透明的TiO2纳米薄膜,通过离子溅射仪在纯TiO2薄膜上制备银包覆TiO2复合薄膜。利用X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等表征技术研究了银包覆TiO2薄膜的晶体结构和表面形貌。XRD和SEM观测... 采用射频反应溅射法在玻璃衬底上制得均匀透明的TiO2纳米薄膜,通过离子溅射仪在纯TiO2薄膜上制备银包覆TiO2复合薄膜。利用X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等表征技术研究了银包覆TiO2薄膜的晶体结构和表面形貌。XRD和SEM观测结果显示:射频功率为250 W时,薄膜表面光滑平整,颗粒均匀,大小在30~80 nm之间,属于锐钛矿型TiO2结构。杀菌性能测试表明:在光催化杀菌范围、速度和效率上,银包覆TiO2纳米复合薄膜较纯TiO2纳米薄膜及纯Ag薄膜明显提高,近紫外光催化10 min时,银包覆TiO2纳米复合薄膜对金黄色葡萄球菌、大肠杆菌的杀菌率均达到90%以上。 展开更多
关键词 射频溅射 TIO2薄膜 银包覆 光催化杀菌
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High Potential Columnar Nanocrystalline AlN Films Deposited by RF Reactive Magnetron Sputtering 被引量:4
11
作者 Chengzhang Han Da Chen +4 位作者 Yaozhong Zhang Dong Xu Yijian Liu Eric Siu-Wai Kong Yafei Zhang 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2012年第1期40-44,共5页
Columnar nanocrystalline aluminum nitride(cnc-AlN) thin films with(002) orientation and uniform texture have been deposited successfully on large silicon wafers by RF reactive magnetron sputtering.At the optimum sputt... Columnar nanocrystalline aluminum nitride(cnc-AlN) thin films with(002) orientation and uniform texture have been deposited successfully on large silicon wafers by RF reactive magnetron sputtering.At the optimum sputtering parameters, the deposited cnc-AlN thin films show a c-axis preferred orientation with a crystallite size of about 28 nm and surface roughness(RMS) of about 1.29 nm. The cnc-AlN thin films were well transparent with an optical band gap about 4.8 e V, and the residual compressive stress and the defect density in the film have been revealed by Ramon spectroscopy. Moreover, piezoelectric performances of the cnc-AlN thin films executed effectively in a film bulk acoustic resonator structure. 展开更多
关键词 Columnar film Aluminum nitride Piezoelectric effect rf sputtering Optical property
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用于平面显示的MISM结构阴极 被引量:3
12
作者 李德杰 王磊 孙林 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第2期143-146,共4页
讨论了平面型场致热化电子发射阴极 ,对玻璃衬底 /Mo/Ta2 O5/ZnS/Au结构的平面型场致热化电子发射阴极的制备及其发射性能进行了论述 ,讨论了在不同工艺参数下器件的发射情况。实验表明 ,通过优化溅射时间参数和工艺手段制成的阴极对发... 讨论了平面型场致热化电子发射阴极 ,对玻璃衬底 /Mo/Ta2 O5/ZnS/Au结构的平面型场致热化电子发射阴极的制备及其发射性能进行了论述 ,讨论了在不同工艺参数下器件的发射情况。实验表明 ,通过优化溅射时间参数和工艺手段制成的阴极对发射电流的大小有很大影响。通过对这些工艺参数的调整 ,得到了最高发射比 (Ia/Ig)为 4 5× 10 -4 ,向该阴极实用化迈进了一步。 展开更多
关键词 平面显示 场致发射 制备 射频溅射 硫化锌 平面型场致热化电子发射阴极 发射性能
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溅射沉积功率对PZT薄膜的组分、结构和性能的影响 被引量:3
13
作者 李新曦 赖珍荃 +3 位作者 王根水 孙璟兰 赵强 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期313-316,共4页
用射频 (RF)溅射法在镀LaNiO3 (LNO)底电极的Si片上沉积PbZr0 .52 Ti0 .48O3 (PZT)铁电薄膜 ,沉积过程中基底温度为 370℃ ,然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜样品进行快速热退火处理 (6 5 0℃ ,5min) .用电感耦合等离子体发射光谱 (ICP ... 用射频 (RF)溅射法在镀LaNiO3 (LNO)底电极的Si片上沉积PbZr0 .52 Ti0 .48O3 (PZT)铁电薄膜 ,沉积过程中基底温度为 370℃ ,然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜样品进行快速热退火处理 (6 5 0℃ ,5min) .用电感耦合等离子体发射光谱 (ICP AES)测量其组分 ,X射线衍射 (XRD)分析PZT薄膜的结晶结构和取向 ,扫描电子显微镜 (SEM)分析薄膜的表面形貌和微结果 ,RT6 6A标准铁电综合测试系统分析Pt/PZT/LNO电容器的铁电与介电特性 .结果表明 ,PZT薄膜的组分。 展开更多
关键词 射频溅射 沉积功率 钙钛矿结构 铁电薄膜 PZT 扫描电子显微镜分析
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ZAO薄膜使用射频溅射法生长之参数的研究 被引量:2
14
作者 耿茜 汪建华 王升高 《应用化工》 CAS CSCD 2006年第12期910-912,917,共4页
以氧化铝锌陶瓷为溅射靶材,在氩气环境下,使用射频溅射法在玻璃基片上制备氧化铝锌(ZAO)薄膜。通过调节气体压强、基片温度、溅射功率制膜,得到以C轴(002)为选择取向的氧化锌薄膜。由XRD、原子力显微镜(AFM)等对薄膜进行分析。结果表明... 以氧化铝锌陶瓷为溅射靶材,在氩气环境下,使用射频溅射法在玻璃基片上制备氧化铝锌(ZAO)薄膜。通过调节气体压强、基片温度、溅射功率制膜,得到以C轴(002)为选择取向的氧化锌薄膜。由XRD、原子力显微镜(AFM)等对薄膜进行分析。结果表明,制备薄膜的最佳条件为:溅射压强0.4 Pa,溅射功率200 W,基片温度300℃。 展开更多
关键词 ZAO陶瓷靶材 ZAO薄膜 rf溅射 XRD 原子力显微镜
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Effect of oxygen partial pressure and transparent substrates on the structural and optical properties of ZnO thin films and their performance in energy harvesters 被引量:3
15
作者 Yan-ping Xia Pei-hong Wang +4 位作者 Shi-wei Shi Gang He Miao Zhang Jian-guo Lü Zhao-qi Sun 《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第6期675-680,共6页
Zinc oxide(ZnO) thin films were deposited onto different substrates — tin-doped indium oxide(ITO)/glass, ITO/polyethylene naphthalate(PEN), ITO/polyethylene terephthalate(PET) — by the radio-frequency(RF) magnetron ... Zinc oxide(ZnO) thin films were deposited onto different substrates — tin-doped indium oxide(ITO)/glass, ITO/polyethylene naphthalate(PEN), ITO/polyethylene terephthalate(PET) — by the radio-frequency(RF) magnetron sputtering method. The effect of various O2/(Ar+O2) gas flow ratios(0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, and 0.6) was studied in detail. ZnO layers deposited onto ITO/PEN and ITO/PET substrates exhibited a stronger c-axis preferred orientation along the(0002) direction compared to ZnO deposited onto ITO/glass. The transmittance spectra of ZnO films showed that the maximum transmittances of ZnO films deposited onto ITO/glass, ITO/PEN, and ITO/PET substrates were 89.2%, 65.0%, and 77.8%, respectively. Scanning electron microscopy(SEM) images of the film surfaces indicated that the grain was uniform. The cross-sectional SEM images showed that the ZnO films were columnar structures whose c-axis was perpendicular to the film surface. The test results for a fabricated ZnO thin film based energy harvester showed that its output voltage increased with increasing acceleration of external vibration. 展开更多
关键词 ZINC oxide thin films rf sputtering gas flow ratio PIEZOELECTRICITY energy HARVESTING
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Development of X-band accelerating structures for high gradients 被引量:1
16
作者 S. Bini V. Chimenti +10 位作者 A. Marcelli L. Palumbo B. Spataro V. A. Dolgashev S. Tantawi A. D. Yeremian Y. Higashi M. G. Grimaldi L. Romano F. Ruffino R. Parodi 《Chinese Physics C》 SCIE CAS CSCD 2012年第7期639-647,共9页
Short copper standing wave (SW) structures operating at an X-band frequency have been recently designed and manufactured at the Laboratori Nazionali di Frascati of the Istituto Nazionale di Fisica Nucleare (INFN) ... Short copper standing wave (SW) structures operating at an X-band frequency have been recently designed and manufactured at the Laboratori Nazionali di Frascati of the Istituto Nazionale di Fisica Nucleare (INFN) using the vacuum brazing technique. High power tests of the structures have been performed at the SLAC National Accelerator Laboratory. In this manuscript we report the results of these tests and the activity in progress to enhance the high gradient performance of the next generation of structures, particularly the technological characterization of high performance coatings obtained via molybdenum sputtering. 展开更多
关键词 high-gradients soft X-ray FEL rf cavities for particle accelerators rf sputtering
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不同衬底对溅射Pb(Zr_(0.8)Ti_(0.20))O_3薄膜的结构及其性能的影响 被引量:1
17
作者 蒲朝辉 刘洪 +3 位作者 吴家刚 朱基亮 肖定全 朱建国 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第S1期491-494,共4页
利用射频磁控溅射法在低阻Si,Si O2/Si以及Pt/Ti/Si O2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能进行了分析,结果发现不同衬底对溅射制备的PZT薄膜的结构有很大影响.在Pt/Ti/Si O2/Si衬底上制备的PZT... 利用射频磁控溅射法在低阻Si,Si O2/Si以及Pt/Ti/Si O2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能进行了分析,结果发现不同衬底对溅射制备的PZT薄膜的结构有很大影响.在Pt/Ti/Si O2/Si衬底上制备的PZT薄膜经600℃退火1h后,薄膜表面光滑、无裂纹,XRD分析显示PZT薄膜呈完全钙钛矿结构,测试PZT薄膜的电学性能,表明PZT薄膜具有良好的介电性能. 展开更多
关键词 PZT薄膜 磁控溅射 衬底
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射频溅射法镀LD腔面光学薄膜的工艺研究 被引量:1
18
作者 邹德恕 徐晨 +5 位作者 鲁鹏程 杜金玉 崔碧峰 舒雄文 刘莹 沈光地 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期451-453,共3页
 介绍了用普通多靶射频溅射台镀半导体激光器腔面光学膜的工艺方法,给出了实验的工艺条件、采用的光学膜的材料以及具体的工艺参数,讨论了此方法镀光学膜的结果以及优点。
关键词 射频溅射 增透膜 高反射膜 量子效率
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射频反应溅射氧化铌薄膜的电致变色性能研究 被引量:3
19
作者 黄银松 章俞之 胡行方 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期632-636,共5页
采用射频反应溅射法成功地制备了非晶态氧化铌薄膜,研究了它们的电致变色性能.这些薄膜在漂白态透明无色,而着色态则为灰褐色.循环伏安测试结果表明该薄膜具有良好的稳定性和很好的锂离子注入/抽出性能.550nm处的着色效率为16.68cm2/C,... 采用射频反应溅射法成功地制备了非晶态氧化铌薄膜,研究了它们的电致变色性能.这些薄膜在漂白态透明无色,而着色态则为灰褐色.循环伏安测试结果表明该薄膜具有良好的稳定性和很好的锂离子注入/抽出性能.550nm处的着色效率为16.68cm2/C,在可见光区透过率调制幅度为20%~30%.结合X光电子能谱(XPS)分析可以认为氧化铌薄膜的电致变色现象是由于锂离子和电子的共同注入与抽出,导致薄膜中的铌离子发生Nbv和NbIV间的可逆氧化、还原反应引起的. 展开更多
关键词 氧化铌薄膜 电致变色 射频反应溅射
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氧气等离子体处理提升InZnO材料及TFT电学性能和稳定性研究
20
作者 黄传鑫 辛纪英 +4 位作者 田中俊 王猛 吕凯凯 梁兰菊 刘云云 《真空》 CAS 2023年第4期24-28,共5页
氧化物薄膜晶体管(TFT)是有源矩阵有机发光二极管的核心驱动元件,是现今开发新型显示器的关键技术,在平板显示方面具有广阔的应用前景。但氧化物半导体中存在大量由氧空位引起的缺陷态,从而影响了TFT器件的性能及稳定性,成为其商业化进... 氧化物薄膜晶体管(TFT)是有源矩阵有机发光二极管的核心驱动元件,是现今开发新型显示器的关键技术,在平板显示方面具有广阔的应用前景。但氧化物半导体中存在大量由氧空位引起的缺陷态,从而影响了TFT器件的性能及稳定性,成为其商业化进程的瓶颈。本文通过磁控溅射方法制备了IZO TFT,并将其进行O2等离子体处理,研究了离子体处理对IZO薄膜及TFT性能的影响。结果表明:O2等离子体处理后IZO TFT迁移率由8.2cm^(2)/(V·s)提高到9.5cm^(2)/(V·s),阈值电压由-3.2V减小到-5.1V,亚阈值摆幅由0.45V/decade减小到0.38V/decade,开关比由2.3×10^(7)提高到4.4×10^(7);在光照负偏压下,器件的阈值电压漂移量从7.1V降低到3.2V;在100℃老化条件下,器件的阈值电压漂移量从12.5V降低到6.4V;O2等离子体处理可以有效提高IZO TFT的电学性能和稳定性。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 磁控溅射 O2等离子体处理 缺陷态 稳定性
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