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FBAR用AlN薄膜的射频反应溅射制备研究 被引量：7
1
作者 董树荣 王德苗 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期155-158,共4页
采用射频反应磁控溅射法，制备了用于薄膜体声波谐振器的（002）取向的氮化铝薄膜。氮化铝薄膜为（002）取向为主混合少量（103）取向。氮化铝薄膜生长模式表面二维均匀成核再沿C轴堆垛生长。基片温度明显影响薄膜的取向，获得好的（00... 采用射频反应磁控溅射法，制备了用于薄膜体声波谐振器的（002）取向的氮化铝薄膜。氮化铝薄膜为（002）取向为主混合少量（103）取向。氮化铝薄膜生长模式表面二维均匀成核再沿C轴堆垛生长。基片温度明显影响薄膜的取向，获得好的（002）取向的基片温度在380℃～400℃之间。不同的氮气分压比存在金属模式、过渡模式和氮化物模式，要进入稳定的氮化物模式。氮气分压比为0．3～0．4，氮气分压比高有利于（002）取向。射频馈入功率密度影响到成膜速率，且与氮气分压关联，较合适的值为12W／cm^2～15W／cm^2。 展开更多
关键词 ALN 射频反应溅射 FBAR 晶体结构
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用于太阳电池吸收层CuInS_2薄膜的RF反应溅射制备及其表征 被引量：2
2
作者 邵乐喜 张昆辉 黄惠良 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期123-126,共4页
该文报道采用射频反应溅射技术,以铜银合金为靶材、H2S为反应气体,在Soda-Lime玻璃衬底上沉积高质量CuInS2薄膜的实验结果。分别运用扫描电镜、能量散射X-射线谱、X-射线衍射谱和表面轮廓仪等对沉积样品的结构形貌和组成成分等特性进行... 该文报道采用射频反应溅射技术,以铜银合金为靶材、H2S为反应气体,在Soda-Lime玻璃衬底上沉积高质量CuInS2薄膜的实验结果。分别运用扫描电镜、能量散射X-射线谱、X-射线衍射谱和表面轮廓仪等对沉积样品的结构形貌和组成成分等特性进行了分析表征,研究了这些特性对沉积参数的依赖关系。通过对溅射功率、衬底温度和H2S流量等工艺参数的优化,获得了单一黄铜矿相结构且沿单一晶向(112)生长的高质量富铜薄膜,晶粒线度达400 nm,薄膜中成分的原子比[Cu+In]/[S]和[Cu]/[Cu+In]可分别接近于1和0.5,并对结果进行了简单讨论。该技术成本低廉、可靠性高,适合于高效太阳电池吸收层薄膜的高均匀度大面积沉积,具有规模化工业生产的推广价值。 展开更多
关键词 CulnS2薄膜 射频(rf)反应溅射 太阳电池
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透明导电Cd_2SnO_4和Cdln_2O_4薄膜的塞贝克效应和红外特性研究
3
作者 彭栋梁 蒋生蕊 +1 位作者 李斌 王万录 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第4期358-362,共5页
报道了射频反应溅射Cd-Sn和Cd-In合金靶沉积获得的Cd_2SnO_4(简称CTO)和CdIn_2O_4(简称CIO)薄膜在0.2μm-6.0μm波长范围内的透射谱和反射谱测量结果,并对CTO和CIO膜的红外特性进行了理论分析和讨论。温差电动势(塞贝克效应)测量表明:对... 报道了射频反应溅射Cd-Sn和Cd-In合金靶沉积获得的Cd_2SnO_4(简称CTO)和CdIn_2O_4(简称CIO)薄膜在0.2μm-6.0μm波长范围内的透射谱和反射谱测量结果,并对CTO和CIO膜的红外特性进行了理论分析和讨论。温差电动势(塞贝克效应)测量表明:对于CTO膜,以自由载流子与中性杂质的散射占主导地位;而对于CIO膜,则以离子化杂质的散射起支配作用。 展开更多
关键词 薄膜 镉 锡 塞贝克效应 Cdln2O4
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