射频磁控溅射法制备SnO_2:Sb薄膜的结构和光致发光性质研究 被引量：10

1

作者 王玉恒 马瑾 +3 位作者 计峰 余旭浒 张锡健 马洪磊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期1731-1735,共5页

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出锑掺杂的氧化锡 (SnO2 :Sb)薄膜 .制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄 ,晶粒生长的择优取向为 [110 ].室温下光致发光测量结果表明 ,在 392nm附近存在强的紫外 紫光发射 .研究了不同... 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出锑掺杂的氧化锡 (SnO2 :Sb)薄膜 .制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄 ,晶粒生长的择优取向为 [110 ].室温下光致发光测量结果表明 ,在 392nm附近存在强的紫外 紫光发射 .研究了不同氧分压对薄膜结构及发光性质的影响 ,并对SnO2 :Sb的光致发光机制进行了探索性研究 . 展开更多

关键词 二氧化锡 锑薄膜 结构特征 光致发光 射频磁控溅射

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不同择优取向的ZnO薄膜的制备 被引量：6

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作者 陆液 李勇强 朱兴文 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第2期204-206,共3页

采用射频磁控溅射法在载玻片上制备了不同择优取向的ZnO薄膜。结果表明，溅射功率在100～380W范围内制备的ZnO薄膜呈（101）择优取向性，当功率上升至550W时，薄膜则为（100）取向；基片温度升高有利于（002）面的生长，当基片温度为25... 采用射频磁控溅射法在载玻片上制备了不同择优取向的ZnO薄膜。结果表明，溅射功率在100～380W范围内制备的ZnO薄膜呈（101）择优取向性，当功率上升至550W时，薄膜则为（100）取向；基片温度升高有利于（002）面的生长，当基片温度为250℃时，在溅射功率为200W时即可制得（002）面择优取向的薄膜。热处理温度的提高有助于（100）和（101）面的择优取向，而对（002）面的取向不利。同时，该文对ZnO薄膜不同择优取向生长的机制进行了探讨。 展开更多

关键词 氧化锌薄膜 (100)定向 (101)定向 磁控溅射

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平面射频磁控溅射法制备YSZ薄膜及性能 被引量：3

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作者 王岭 潘礼庆 +2 位作者 孙加林 洪彦若 赵月娥 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期641-643,共3页

研究了应用射频磁控溅射法在不同基板上制备ＹＳＺ薄膜和工艺条件对其微观结构的影响。结果表明，在清洁的基板上制备的ＹＳＺ 薄膜经６００ ℃以上热处理后，薄膜表面致密均匀，无裂纹，薄膜与基板的结合紧密。薄膜具有较高的电导率，... 研究了应用射频磁控溅射法在不同基板上制备ＹＳＺ薄膜和工艺条件对其微观结构的影响。结果表明，在清洁的基板上制备的ＹＳＺ 薄膜经６００ ℃以上热处理后，薄膜表面致密均匀，无裂纹，薄膜与基板的结合紧密。薄膜具有较高的电导率，完全可以作为固体电解质使用。 展开更多

关键词 射频磁控溅射法 YSZ薄膜 制备 性能

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射频磁控溅射法制备MoS_(2)薄膜的最佳工艺参数研究

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作者 张俊峰 孙再征 +4 位作者 孔腾飞 蔡根旺 李亚平 胡莎 樊志琴 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第2期271-280,共10页

采用射频(RF)磁控溅射法在石英衬底上制备了MoS_(2)薄膜。通过正交试验研究了溅射时间、溅射温度、氩气流量和溅射功率对MoS_(2)薄膜结构的影响。通过XRD、Raman、XPS、EDS和SEM对MoS_(2)薄膜的结晶度、薄膜厚度和表面形貌进行分析,得... 采用射频(RF)磁控溅射法在石英衬底上制备了MoS_(2)薄膜。通过正交试验研究了溅射时间、溅射温度、氩气流量和溅射功率对MoS_(2)薄膜结构的影响。通过XRD、Raman、XPS、EDS和SEM对MoS_(2)薄膜的结晶度、薄膜厚度和表面形貌进行分析,得到了制备MoS_(2)薄膜的最佳工艺参数。发现溅射温度较高或较低结晶度都很差,在较低的溅射温度下样品的XRD衍射峰不明显。而当温度为250℃时,样品的XRD衍射峰较多,结晶度较好。根据正交试验法得出溅射温度对MoS_(2)的结晶效果起着至关重要的作用,其次是氩气流量。当溅射温度为250℃,氩气流量为6 mL/min,溅射时间为30 min,溅射功率为300 W或400 W时,MoS_(2)膜的结晶度较好。在这个条件下制备的膜较厚,但为以后的实验指明了方向。保持溅射温度、溅射功率和氩气流量不变,通过减少时间成功制备了厚度为58.9 nm的薄膜。 展开更多

关键词 MoS_(2)薄膜 射频磁控溅射 二维材料 正交试验法 工艺参数

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SnO_2:Sb薄膜的制备和光致发光性质 被引量：4

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作者 王玉恒 马瑾 +3 位作者 计峰 余旭浒 张锡健 马洪磊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期922-926,共5页

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2∶Sb薄膜.制备样品为多晶薄膜,具有纯氧化锡的四方金红石结构和(110)择优取向,Sb离子以替位式掺杂的形式存在于SnO2 晶格中.室温条件下对样品进行光致发光测量,在392nm附近观测到强的紫外紫光发... 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2∶Sb薄膜.制备样品为多晶薄膜,具有纯氧化锡的四方金红石结构和(110)择优取向,Sb离子以替位式掺杂的形式存在于SnO2 晶格中.室温条件下对样品进行光致发光测量,在392nm附近观测到强的紫外紫光发射,发射强度随制备功率的增加而增强,且样品退火后发射强度也明显增强.紫外紫光发射的起源被归于由Sb形成的施主能级和受主能级之间的电子跃迁. 展开更多

关键词 SnO2:Sb薄膜 射频磁控溅射 光致发光

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La_(0.6)Sr_(0.4)CoO_3薄膜的制备及NTC特性研究 被引量：1

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作者 娄非志 杨传仁 +2 位作者 杨莉军 张继华 陈宏伟 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期4-6,共3页

为研制具有较低室温电阻值的NTC薄膜热敏电阻,以La0.6Sr0.4CoO3陶瓷为靶材,采用RF磁控溅射法,在Al2O3基片上沉积了La0.6Sr0.4CoO3(LSCO)薄膜。研究了溅射过程中氩氧体积流量比对LSCO薄膜结晶性能和方阻的影响以及LSCO薄膜的阻温特性。... 为研制具有较低室温电阻值的NTC薄膜热敏电阻,以La0.6Sr0.4CoO3陶瓷为靶材,采用RF磁控溅射法,在Al2O3基片上沉积了La0.6Sr0.4CoO3(LSCO)薄膜。研究了溅射过程中氩氧体积流量比对LSCO薄膜结晶性能和方阻的影响以及LSCO薄膜的阻温特性。结果表明:随着氩氧体积流量比的增加,LSCO薄膜的主晶相衍射峰强度及方阻均先增大后减小。LSCO薄膜具有显著的NTC特性,室温时的电阻温度系数α25为2.24×10–5;其lnR-T–1曲线具备良好的线形度,线性偏差仅为2.09%;另外,其室温时的电阻R25仅为18.75k?。 展开更多

关键词 La0.6Sr0.4CoO3薄膜 rf磁控溅射法 结晶性能 NTC特性

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微量硼掺杂氢化非晶硅薄膜光电导性能研究 被引量：1

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作者 王陆一 蒋向东 石兵 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期95-97,共3页

采用射频磁控溅射的方法制备了微量硼掺杂氢化非晶硅薄膜,对样品的光电导性能进行了研究。结果表明,不同的硼掺杂量下,氢化非晶硅薄膜透过率随掺杂量的增加而变大,透过率曲线截止边红移;吸收系数随着硼掺杂量的增加而增大;薄膜的折射率... 采用射频磁控溅射的方法制备了微量硼掺杂氢化非晶硅薄膜,对样品的光电导性能进行了研究。结果表明,不同的硼掺杂量下,氢化非晶硅薄膜透过率随掺杂量的增加而变大,透过率曲线截止边红移;吸收系数随着硼掺杂量的增加而增大;薄膜的折射率随着波长的增加而下降,同一波长下随着掺杂量的增加而增大,在500nm波长处折射率达到4.2以上,最大到4.6;薄膜的交流电阻率在微量硼掺杂下随着硼掺杂量的增加先减小后增大。 展开更多

关键词 硼掺杂 射频磁控溅射 氢化非晶硅 吸收系数 折射率

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TiO_(2-x)N_x薄膜托槽的摩擦性能研究

8

作者 岳子琪 王宇 +3 位作者 王晔 肖文君 李淼 曹宝成 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第14期14048-14051,14056,共5页

通过射频磁控溅射法,在不锈钢金属托槽表面制备了不同厚度的TiO2-xNx薄膜。薄膜的晶体结构,表面形貌和表面粗糙度分别通过X射线衍射、扫描电子显微镜和2206型表面粗糙度测量仪分析。通过14FW往复摩擦磨损测试仪考察薄膜托槽体外摩擦性... 通过射频磁控溅射法,在不锈钢金属托槽表面制备了不同厚度的TiO2-xNx薄膜。薄膜的晶体结构,表面形貌和表面粗糙度分别通过X射线衍射、扫描电子显微镜和2206型表面粗糙度测量仪分析。通过14FW往复摩擦磨损测试仪考察薄膜托槽体外摩擦性能。结果显示,所制备的纳米TiO2-xNx薄膜为锐钛矿型,结构均匀致密。不同厚度的TiO2-xNx薄膜托槽的动、静摩擦系数不论干燥或湿润条件下均小于对照组。在同一湿性环境下,随薄膜厚度增加TiO2-x Nx薄膜托槽摩擦系数呈递减趋势。TiO2-xNx薄膜托槽表现出了良好的低摩擦性能。 展开更多

关键词 射频磁控溅射法 TiO2-xNx薄膜 不锈钢托槽 摩擦系数 不同介质

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射频磁控溅射法制备液晶光阀光导层的研究

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作者 王陆一 蒋向东 +1 位作者 李建国 石兵 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期822-825,829,共5页

采用射频磁控溅射的方法制备了用于液晶光阀光导层的氢化非晶硅薄膜,研究了工艺参数对氢化非晶硅薄膜透过率及光电导性能的影响。结果表明,薄膜的沉积速率随着溅射功率和衬底温度的升高呈先增加后减小的趋势,在衬底温度为300℃,溅射功率... 采用射频磁控溅射的方法制备了用于液晶光阀光导层的氢化非晶硅薄膜,研究了工艺参数对氢化非晶硅薄膜透过率及光电导性能的影响。结果表明,薄膜的沉积速率随着溅射功率和衬底温度的升高呈先增加后减小的趋势,在衬底温度为300℃,溅射功率为300W左右沉积速率达到最大,在溅射2h后沉积速率随着溅射时间的增加而下降;薄膜的光吸收系数随衬底温度的升高而增大,随溅射功率的增加而减小;交流电导率随衬底温度和溅射功率的升高而下降;薄膜在可见光范围内透过率随着H分压的增大而增大,且吸收边发生蓝移。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 氢化非晶硅 光吸收系数 透过率

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射频磁控溅射法制备硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜的研究

10

作者 王陆一 蒋向东 石兵 《电子器件》 CAS 北大核心 2012年第6期623-626,共4页

研究了工艺参数对硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜形成及光电导性能的影响。采用射频磁控溅射的方法制备了硼轻掺杂的氢化非晶硅薄膜,结果表明,衬底温度和溅射功率对薄膜的沉积速率、掺杂量、光吸收系数、电导率等有着很大的影响,在温度300℃,... 研究了工艺参数对硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜形成及光电导性能的影响。采用射频磁控溅射的方法制备了硼轻掺杂的氢化非晶硅薄膜,结果表明,衬底温度和溅射功率对薄膜的沉积速率、掺杂量、光吸收系数、电导率等有着很大的影响,在温度300℃,溅射功率300 W时沉积速率达到最大。通过实验得到的规律可以通过调整工艺参数来得到性能优良的硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜。 展开更多

关键词 氢化非晶硅 硼轻掺杂 射频磁控溅射

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溅射法制备的YSZ薄膜电性能

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作者 马景廷 王岭 《河北理工学院学报》 1999年第4期58-61,共4页

应用交流阻抗谱技术研究了用射频磁控溅射法在Ａｌ２Ｏ３ 基板上制备的ＹＳＺ薄膜电性能。结果表明，在清洁的基板上制备的ＹＳＺ薄膜经６００℃以上热处理后具有较高的电导率，完全可以作为固体电解质使用。

关键词 射频磁控溅射法 YSZ薄膜 电性能 固体电解质薄膜

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Fe掺杂对Ba_0.5Sr_0.5TiO_3薄膜微观结构与电学性质的影响研究

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作者 娄本浊 《陶瓷》 CAS 2012年第15期23-25,共3页

笔者利用射频磁控溅镀法在Pt/SiO2/Si(100)基板上制备出Fe掺杂量分别为0、0.5%、1.0%、2.0%、3.0%及5.0%的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜,并讨论了Fe掺杂含量对其微观结构结与电学性质的影响。由XRD分析可知,Fe掺杂对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜的晶体结... 笔者利用射频磁控溅镀法在Pt/SiO2/Si(100)基板上制备出Fe掺杂量分别为0、0.5%、1.0%、2.0%、3.0%及5.0%的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜,并讨论了Fe掺杂含量对其微观结构结与电学性质的影响。由XRD分析可知,Fe掺杂对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜的晶体结构并无较大的影响;从SEM结果则可得出,微量Fe掺杂时薄膜较为致密,且晶粒大小较一致。电性结果表明,掺Fe薄膜的相对介电常数和电容均呈现下降趋势,且Fe掺杂含量分别为0.5%、1.0%及2.0%时薄膜具有较小的漏电流密度。 展开更多

关键词 Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜 Fe掺杂效应 射频磁控溅镀法 微观结构 电学性质

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