期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
亚65nm及以下节点的光刻技术
被引量：
1
1
作者
徐晓东
汪辉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期921-925,共5页
由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光...
由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备,人们纷纷看好EUV技术应用到32 nm及以下节点,但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战。对于22 nm节点,电子束直写是最可行,成本最低的候选方案,业界将在它与EUV技术之间做出抉择。
展开更多
关键词
亚65nm
浸入式光刻
极紫外线
电子束直写
分辨率增强技术
下载PDF
职称材料
用于先进半导体制程的光刻反向计算技术(ILT)(英文)
被引量：
1
2
作者
庞琳勇
刘永
Dan Abrams
《实验力学》
CSCD
北大核心
2007年第3期295-304,共10页
此篇论文将介绍一个用于半导体光罩上图样设计以及可用于实际生产的光刻反向计算技术(ILT)。在论文中将讨论有关ILT的最新发展,包括在超成像极限协助图样(SRAF)的生成,可增加制程宽容度的ILT,以及如何生成满足光罩生产标准的图样等方面...
此篇论文将介绍一个用于半导体光罩上图样设计以及可用于实际生产的光刻反向计算技术(ILT)。在论文中将讨论有关ILT的最新发展,包括在超成像极限协助图样(SRAF)的生成,可增加制程宽容度的ILT,以及如何生成满足光罩生产标准的图样等方面。从内部的研究结果和客户的使用结果可以看出,ILT已经不再只是一种用于研究的工具,而是已经可以用于先进半导体制程的大规模生产。在对各个环节优化之后,ILT可以增加制程的宽容度,同时将光罩的成本控制在可以接受的水平。
展开更多
关键词
光刻
光刻反向计算技术(ILT)
光学成像校正(OPC)
分辨率增强技术(
ret
)
超成像极限协助图样(SRAF)
光罩
下载PDF
职称材料
题名
亚65nm及以下节点的光刻技术
被引量：
1
1
作者
徐晓东
汪辉
机构
上海交通大学微电子学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期921-925,共5页
基金
上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
文摘
由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备,人们纷纷看好EUV技术应用到32 nm及以下节点,但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战。对于22 nm节点,电子束直写是最可行,成本最低的候选方案,业界将在它与EUV技术之间做出抉择。
关键词
亚65nm
浸入式光刻
极紫外线
电子束直写
分辨率增强技术
Keywords
sub-65
nm
immersion
lithography
EUV
E-beam
direct
writing
ret
（
resolution
enhancement
technology
）
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
用于先进半导体制程的光刻反向计算技术(ILT)(英文)
被引量：
1
2
作者
庞琳勇
刘永
Dan Abrams
机构
Luminescent Technologies Inc.
出处
《实验力学》
CSCD
北大核心
2007年第3期295-304,共10页
文摘
此篇论文将介绍一个用于半导体光罩上图样设计以及可用于实际生产的光刻反向计算技术(ILT)。在论文中将讨论有关ILT的最新发展,包括在超成像极限协助图样(SRAF)的生成,可增加制程宽容度的ILT,以及如何生成满足光罩生产标准的图样等方面。从内部的研究结果和客户的使用结果可以看出,ILT已经不再只是一种用于研究的工具,而是已经可以用于先进半导体制程的大规模生产。在对各个环节优化之后,ILT可以增加制程的宽容度,同时将光罩的成本控制在可以接受的水平。
关键词
光刻
光刻反向计算技术(ILT)
光学成像校正(OPC)
分辨率增强技术(
ret
)
超成像极限协助图样(SRAF)
光罩
Keywords
lithography
Inverse
Lithography
technology
（ILT）
Optical
Proximity
Correction
（OPC）
~
resolution
enhancement
technology
（
ret
）
~
Sub-
resolution
Assist
Feature
（SRAF）
photomask
分类号
O348 [理学—固体力学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
亚65nm及以下节点的光刻技术
徐晓东
汪辉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
下载PDF
职称材料
2
用于先进半导体制程的光刻反向计算技术(ILT)(英文)
庞琳勇
刘永
Dan Abrams
《实验力学》
CSCD
北大核心
2007
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
