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反复荷载作用下双向受剪框架柱的刚度退化
被引量:
7
1
作者
王铁成
陈恒超
+1 位作者
郭永亮
徐明贵
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期1058-1062,共5页
双向受剪框架柱在反复荷载作用下的刚度退化是结构抗震分析中的重要内容.该文通过对不等肢配箍框架柱在低周施加反复荷载作用试验,提出了在加载初期刚度退化不明显,斜裂缝出现以后,刚度退化程度加大的特征,并指出反复荷载作用下框架柱...
双向受剪框架柱在反复荷载作用下的刚度退化是结构抗震分析中的重要内容.该文通过对不等肢配箍框架柱在低周施加反复荷载作用试验,提出了在加载初期刚度退化不明显,斜裂缝出现以后,刚度退化程度加大的特征,并指出反复荷载作用下框架柱的剪切破坏属于脆性破坏.结果表明,双向受剪柱的刚度退化与单向受剪柱比较无明显差别.
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关键词
框架柱
双向受剪
刚度退化
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职称材料
0.18μm CMOS工艺10Gb/s VCSEL电压驱动器设计
被引量:
1
2
作者
张玉良
王志功
+1 位作者
苗澎
田玲
《中国集成电路》
2009年第9期35-38,共4页
采用SMIC 0.18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb/s VCSEL电压驱动器,可以用于驱动共阴结构的VCSEL。电路采用了RC负反馈技术和C3A(电容耦合电流放大器)结构,仿真结果表明,电路在10Gb/s速率下工作性能良好,最高可工作至12.5Gb/s。电...
采用SMIC 0.18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb/s VCSEL电压驱动器,可以用于驱动共阴结构的VCSEL。电路采用了RC负反馈技术和C3A(电容耦合电流放大器)结构,仿真结果表明,电路在10Gb/s速率下工作性能良好,最高可工作至12.5Gb/s。电路采用1.8V和3.5V电压供电,直流总功耗为164mW。
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关键词
VCSEL
电压驱动器
rc
负反馈
电容耦合电流放大器
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职称材料
题名
反复荷载作用下双向受剪框架柱的刚度退化
被引量:
7
1
作者
王铁成
陈恒超
郭永亮
徐明贵
机构
天津大学建筑工程学院
广州市道路扩建工程办公室
出处
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期1058-1062,共5页
文摘
双向受剪框架柱在反复荷载作用下的刚度退化是结构抗震分析中的重要内容.该文通过对不等肢配箍框架柱在低周施加反复荷载作用试验,提出了在加载初期刚度退化不明显,斜裂缝出现以后,刚度退化程度加大的特征,并指出反复荷载作用下框架柱的剪切破坏属于脆性破坏.结果表明,双向受剪柱的刚度退化与单向受剪柱比较无明显差别.
关键词
框架柱
双向受剪
刚度退化
Keywords
rc
column
two-way
shear
rigidity
degeneration
分类号
P315 [天文地球—地震学]
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职称材料
题名
0.18μm CMOS工艺10Gb/s VCSEL电压驱动器设计
被引量:
1
2
作者
张玉良
王志功
苗澎
田玲
机构
东南大学射频集成电路与系统教育部工程研究中心
出处
《中国集成电路》
2009年第9期35-38,共4页
基金
国家高技术研究发展计划
40Gb/s甚短距离并行光传输实验系统(2006AA01Z239)
高速芯片之间光互连技术与试验平台(2007AA01Z2a5)资助项目
文摘
采用SMIC 0.18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb/s VCSEL电压驱动器,可以用于驱动共阴结构的VCSEL。电路采用了RC负反馈技术和C3A(电容耦合电流放大器)结构,仿真结果表明,电路在10Gb/s速率下工作性能良好,最高可工作至12.5Gb/s。电路采用1.8V和3.5V电压供电,直流总功耗为164mW。
关键词
VCSEL
电压驱动器
rc
负反馈
电容耦合电流放大器
Keywords
VCSEL
(
vertical-cavity
surface-emitting
laser
)
voltage
driver
rc
degeneration
C3A(
capacitively-coupled
current
amplifier
)
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
反复荷载作用下双向受剪框架柱的刚度退化
王铁成
陈恒超
郭永亮
徐明贵
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
7
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职称材料
2
0.18μm CMOS工艺10Gb/s VCSEL电压驱动器设计
张玉良
王志功
苗澎
田玲
《中国集成电路》
2009
1
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职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
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