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SiC单晶片线锯切割技术研究进展
被引量：
6
1
作者
李伦
李淑娟
+1 位作者
汤奥斐
李言
《机械强度》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期849-856,共8页
单晶碳化硅(Si C)以其独特稳定的物理学特性和半导体特性在集成电路和空间光学等领域得到广泛应用。在Si C单晶片的制造过程中,切割是加工Si C单晶片首要关键的工序,其切割成本占整个晶片加工成本的50%以上。参阅了国内外相关文献资料,...
单晶碳化硅(Si C)以其独特稳定的物理学特性和半导体特性在集成电路和空间光学等领域得到广泛应用。在Si C单晶片的制造过程中,切割是加工Si C单晶片首要关键的工序,其切割成本占整个晶片加工成本的50%以上。参阅了国内外相关文献资料,研究分析了目前Si C在切割技术尤其是线锯切割Si C技术及线锯切割设备方面的研究现状,对线锯切割Si C技术和设备中存在的问题进行研究分析,提出了Si C单晶片线锯切割技术未来的研究方向。
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关键词
SiC单晶片
金刚石线锯
线锯切割技术
研究现状
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职称材料
题名
SiC单晶片线锯切割技术研究进展
被引量：
6
1
作者
李伦
李淑娟
汤奥斐
李言
机构
西安理工大学机械与精密仪器工程学院
河南科技大学河南省机械设计及传动系统重点实验室
出处
《机械强度》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期849-856,共8页
基金
国家自然科学基金项目(51175420)资助~~
文摘
单晶碳化硅(Si C)以其独特稳定的物理学特性和半导体特性在集成电路和空间光学等领域得到广泛应用。在Si C单晶片的制造过程中,切割是加工Si C单晶片首要关键的工序,其切割成本占整个晶片加工成本的50%以上。参阅了国内外相关文献资料,研究分析了目前Si C在切割技术尤其是线锯切割Si C技术及线锯切割设备方面的研究现状,对线锯切割Si C技术和设备中存在的问题进行研究分析,提出了Si C单晶片线锯切割技术未来的研究方向。
关键词
SiC单晶片
金刚石线锯
线锯切割技术
研究现状
Keywords
SiC
mono-crystal
wafer
Diamond
wire
saw
Cutting
technology
with
wire
saw
present
researchingstatus
分类号
O786 [理学—晶体学]
TH161.1 [机械工程—机械制造及自动化]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiC单晶片线锯切割技术研究进展
李伦
李淑娟
汤奥斐
李言
《机械强度》
CAS
CSCD
北大核心
2015
6
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