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贵金属化学气相沉积的研究进展
被引量:
12
1
作者
胡昌义
戴姣燕
+2 位作者
陈松
欧阳远良
王云
《贵金属》
CAS
CSCD
2005年第2期57-63,共7页
简要介绍了贵金属薄膜和涂层材料化学气相沉积(CVD)技术的研究进展,包括贵金属的CVD制备方法、沉积贵金属的各种前驱体化合物以及CVD制备的贵金属薄膜和涂层的应用状况等。
关键词
金属材料
贵金属薄膜和涂层
化学气相沉积
前驱体
应用
下载PDF
职称材料
题名
贵金属化学气相沉积的研究进展
被引量:
12
1
作者
胡昌义
戴姣燕
陈松
欧阳远良
王云
机构
昆明贵金属研究所
出处
《贵金属》
CAS
CSCD
2005年第2期57-63,共7页
基金
国家自然科学基金(50171031)
国家高技术研究发展计划(863计划)(2003AA305770)
云南省"人才培引"科技计划资助项目(2003PY10)
文摘
简要介绍了贵金属薄膜和涂层材料化学气相沉积(CVD)技术的研究进展,包括贵金属的CVD制备方法、沉积贵金属的各种前驱体化合物以及CVD制备的贵金属薄膜和涂层的应用状况等。
关键词
金属材料
贵金属薄膜和涂层
化学气相沉积
前驱体
应用
Keywords
metal
materials
precious
metal
thin
films
and
coatings
Chemical
vapor
deposition
Precursors
Applications
分类号
TG146.3 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
贵金属化学气相沉积的研究进展
胡昌义
戴姣燕
陈松
欧阳远良
王云
《贵金属》
CAS
CSCD
2005
12
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