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题名杂质不完全离化对MISiC气体传感器的影响
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作者
王巍
代作海
王晓磊
唐政维
徐洋
王平
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机构
重庆邮电大学光电工程学院
重庆邮电大学自动化学院
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出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2010年第9期67-69,73,共4页
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基金
教育部重点实验室开放项目(20090F01)
重庆市自然科学基金资助项目(CSTC2006BB2364)
工信部电子发展基金资助项目
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文摘
研究了杂质不完全离化对金属—绝缘体—碳化硅(MISiC)传感器性能的影响。考虑到Pool-Frenkel效应和外加电场的作用,建立了MISiC器件空间电荷区泊松方程。运用准中性近似,对所建立的泊松方程进行数值计算,得到了空间电荷区的电势分布,进而得到MISiC传感器的I-V与C-V特性。实验结果表明:室温下SiC器件中杂质不完全离化,随着温度的升高,杂质离化率增大。在外加电场的作用下,杂质的离化率增加,并最终导致MISiC器件I-V与C-V曲线的移动。
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关键词
金属-绝缘体-碳化硅
杂质离化
泊松方程
pool-frenkel效应
气体传感器
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Keywords
metal-insulator-SiC （MISiC）
dopant ionization
Possion＇ s equation
pool-frenkel effect
gas sensor
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分类号
TN384
[电子电信—物理电子学]
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