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Al含量对GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中激子态的影响 被引量:17
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作者 戴宪起 黄凤珍 郑冬梅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期697-701,共5页
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场和量子点的三维约束效应,研究了Al含量对局域在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子性质的影响.结果表明,随着Al含量的增加,GaN/AlxGa1-xN异质界面处的导带不连续性增强,势垒变高,载流子受到的约束增强,... 利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场和量子点的三维约束效应,研究了Al含量对局域在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子性质的影响.结果表明,随着Al含量的增加,GaN/AlxGa1-xN异质界面处的导带不连续性增强,势垒变高,载流子受到的约束增强,激子结合能增加,电子空穴的复合率先增大后减小,且存在最大值.对给定体积的量子点,随其高度的变化激子结合能存在最大值,相应的电子空穴被最有效约束,激子态最稳定. 展开更多
关键词 量子点 自发极化和压电极化 电子-空穴复合率 激子结合能
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应变GaN量子点中激子态的研究(英文) 被引量:2
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作者 戴宪起 黄凤珍 史俊杰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期130-135,共6页
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了约束在GaN/AlxGa1-xN圆柱形量子点中的激子特性与量子点的结构参数以及势垒层中Al含量之间的关系。结果表明:对给定大小的量子点,随其高度的增加激子结合能... 利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了约束在GaN/AlxGa1-xN圆柱形量子点中的激子特性与量子点的结构参数以及势垒层中Al含量之间的关系。结果表明:对给定大小的量子点,随其高度的增加激子结合能出现一最大值,此时载流子被最有效的约束在量子点内;内建电场使量子点的有效带隙减小,电子、空穴产生明显分离,从而影响量子点的光学性质。理论计算的光跃迁能和实验结果一致。 展开更多
关键词 GaN量子点 激子结合能 自发极化和压电极化
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GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质位置对激子态的影响 被引量:2
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作者 戴宪起 郑冬梅 黄凤珍 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期38-42,共5页
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的结合能升高,基态能降低,QD系统的稳定性增强,发光波长红移.杂质位... 利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的结合能升高,基态能降低,QD系统的稳定性增强,发光波长红移.杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定.随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小,带间发光蓝移. 展开更多
关键词 类氢杂质 量子点 自发极化和压电极化 激子结合能 发光波长
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Parameter-Dependent Third-Order Susceptibility of In_xGa_(1-x)N/GaN Parabolic Quantum Dots
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作者 XIONG Guiguang GUI Zhouqi YU Youqing 《Wuhan University Journal of Natural Sciences》 CAS 2007年第3期452-456,共5页
The electron states confined in wurtzite InxGa1-xN/GaN strained quantum dots (QDs) have been investigated in the effective -mass approximation by solving the Schrtdinger equation, in which parabolic confined potenti... The electron states confined in wurtzite InxGa1-xN/GaN strained quantum dots (QDs) have been investigated in the effective -mass approximation by solving the Schrtdinger equation, in which parabolic confined potential and strong built-in electric field effect (due to the piezoelectricity and spontaneous polarization) have been taken into account. The real part Rex^(3)(0,0,ω) and the imaginary part Imx^(3)(0,0,ω) of the third-order susceptibil- ity describe quadratic electro-optic effects and electro-absorption process of the QDs respectively. And both of them have been calculated in directions parallel and vertical to z axis. Furthermore, the study shows Rex^(3)(0,0,ω) and Imx^(3)(0,0,ω) increase under resonant conditions with the QDs' radius and height increase, and the same results occur when the content increase. In addition, the resonant position shift to the lower energy region when the parabolic frequencies increase. 展开更多
关键词 parabolic quantum dots third order susceptibility piezoelectricity and spontaneous polarization
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