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高支化碱溶性丙烯酸化聚酯的合成及光固化性能 被引量:21
1
作者 冯宗财 王跃川 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期210-212,共3页
通过环氧氯丙烷和1,2,4-偏苯三甲酸酐合成高支化碱溶性聚酯,再与甲基丙烯酸缩水甘油酯反应得到高支化碱溶性丙烯酸化聚酯;研究了树脂的组成对感光性和碱溶性的影响;调整反应物料配比,可以获得较好的碱溶性和光固化性能。
关键词 高支化聚酯 光固化树脂 抗蚀剂 合成 光固化性能
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先进光刻胶材料的研究进展 被引量:25
2
作者 许箭 陈力 +4 位作者 田凯军 胡睿 李沙瑜 王双青 杨国强 《影像科学与光化学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期417-429,共13页
本文简述了光刻技术及光刻胶的发展过程,并对应用于193纳米光刻和下一代EUV光刻的光刻胶材料的研究进展进行了综述,特别对文献中EUV光刻胶材料的研发进行了较为详细的介绍,以期对我国先进光刻胶的研发工作有所帮助.
关键词 光刻胶 193nm光刻 EUV光刻 化学放大光刻胶 分子玻璃
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用于大面积周期性图形制造的激光干涉光刻 被引量:18
3
作者 张锦 冯伯儒 +5 位作者 郭永康 蒋世磊 宗德蓉 杜惊雷 曾阳素 高福华 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期20-23,共4页
用两束或多束相干激光束以不同的组合形式对光致抗蚀剂曝光,可在大面积范围内产生精细的二维周期性图形,这个方法特别适合于产生光电子器件和微电子器件的周期性结构。介绍激光干涉光刻的基本原理,对几种光束组合干涉方法给出了理论推... 用两束或多束相干激光束以不同的组合形式对光致抗蚀剂曝光,可在大面积范围内产生精细的二维周期性图形,这个方法特别适合于产生光电子器件和微电子器件的周期性结构。介绍激光干涉光刻的基本原理,对几种光束组合干涉方法给出了理论推导结果,并进行了计算机模拟。初步的实验结果表明,用激光干涉光刻技术产生大面积的亚微米级周期性孔、柱、锥图形是可行的。该方法不需要掩模、昂贵的光刻成像透镜、新的短波长光源和新型的抗蚀剂,提供了得到高分辨、无限焦深、大面积光刻的可能性。 展开更多
关键词 干涉光刻 激光干涉 计算机模拟 周期性图形制造
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SU-8的紫外深度光刻模拟 被引量:8
4
作者 田学红 刘刚 +1 位作者 田扬超 张新夷 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2002年第6期417-420,共4页
在微电子机械系统 (MEMS)中 ,大高宽比微结构被广泛应用。由于紫外光衍射效应比较大 ,通过紫外光刻获得高精度的大高度微结构并不容易。本文主要研究了衍射效应对深紫外光刻精度的影响 ,并与实验结果进行了比较 ,理论模拟结果和实验比... 在微电子机械系统 (MEMS)中 ,大高宽比微结构被广泛应用。由于紫外光衍射效应比较大 ,通过紫外光刻获得高精度的大高度微结构并不容易。本文主要研究了衍射效应对深紫外光刻精度的影响 ,并与实验结果进行了比较 ,理论模拟结果和实验比较吻合。因此 ,通过模拟结果得到不同厚度光刻胶的最佳曝光剂量 。 展开更多
关键词 SU-8 非涅耳衍射 紫外光刻 MEMS 光刻胶 光刻精度
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通过缩短显影时间提高微透镜阵列的填充因子与F数 被引量:7
5
作者 任智斌 卢振武 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期150-154,共5页
采用缩短显影时间法改善了光刻胶热熔法制作微透镜阵列的工艺,提高了折射型微透镜阵列的F数(F#)与填充因子。由于显影时间不足,光刻胶突起部分的底部彼此连接,熔化后的微透镜也彼此连接,使微透镜阵列的填充因子得到了提高,达到了78.5%;... 采用缩短显影时间法改善了光刻胶热熔法制作微透镜阵列的工艺,提高了折射型微透镜阵列的F数(F#)与填充因子。由于显影时间不足,光刻胶突起部分的底部彼此连接,熔化后的微透镜也彼此连接,使微透镜阵列的填充因子得到了提高,达到了78.5%;另一方面,由于没有裸露的玻璃表面,使得常规方法下的光刻胶与玻璃基底的接触角变为光刻胶突起的底部与光刻胶基底的接触角,因此使接触角降低,达到3.944°,F#得到了提高,达到11.357。实验结果表明,该方法简便实用,效果良好。 展开更多
关键词 微透镜阵列 光刻胶 填充因子 连接 折射 接触角 实验结果 显影时间 突起 缩短
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HYPERBRANCHED CONJUGATIVE MACROMOLECULES CONSTRUCTED FROM TRIPLE-BOND BUILDING BLOCKS 被引量:7
6
作者 Matthias HaeuBler Hong-chen Dong +3 位作者 Jacky Wing Yip Lam Rong-hua Zheng An-jun Qin Ben-zhong Tang 《Chinese Journal of Polymer Science》 SCIE CAS CSCD 2005年第6期567-591,共25页
Polycyclotrimerization and polycoupling of acetylenic monomers respectively furnish hyperbranched polyarylenes and polyynes with high molecular weights (up to 1 × 10^6) in high yields (up to 99.9%). The polym... Polycyclotrimerization and polycoupling of acetylenic monomers respectively furnish hyperbranched polyarylenes and polyynes with high molecular weights (up to 1 × 10^6) in high yields (up to 99.9%). The polymers possess low intrinsic viscosities and high thermal stabilities, losing little of their weights when heated to 〉 400℃. Upon pyrolysis at 〉 800℃, the polymers graphitize with high char yields (up to 86%). Hyperbranched polyarylenes efficiently emit deep-blue to blue-green lights with fluorescence quantum yields up to 98% and strongly attenuate intense laser pulses with optical power-limiting performances superior to that of C60, a well-known optical limiter. Poly(alkenephenylenes), poly(aroylarylenes) and polyynes are readily cross-linkable by UV irradiation, serving as excellent photoresist materials for the generation of patterns with nanometer resolution. Thin films of hyperbranched polyynes exhibit very high refractive indexes (n up to 1.86). The internal and terminal acetylene moieties of the polyynes readily form complexes with cobalt carbonyls, which can be transformed into soft ferromagnetic ceramics with high magnetic susceptibilities (Ms up to ca. 118 emu/g) and near-zero magnetic losses. 展开更多
关键词 Hyperbranched polymers Alkyne polycyclotrimerization Alkyne polycoupling POLYARYLENES POLYYNES Optical materials photoresists Soft ferromagnetic ceramics
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光敏聚酰亚胺的研究进展 被引量:8
7
作者 李佐邦 朱普坤 +2 位作者 冯威 王立新 王强 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期6-12,共7页
光敏聚酰亚胺广泛用于微电子领域的绝缘层和保护层。采用非光敏聚酰亚胺时光刻工艺相当复杂,而使用光敏聚酰亚胺时图形加工工艺得到简化,因而引起人们的极大兴趣。本文综述了这类高分子材料的研究现状,并阐明了笔者的一些看法。
关键词 聚酰亚胺 光敏抗蚀剂 微电子 光刻
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我国超净高纯试剂和光刻胶的现状与发展 被引量:5
8
作者 曹立新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第12期12-16,21,共6页
根据集成电路等制作技术不同发展阶段对超净高纯试剂和光刻胶的不同要求,阐述了国内外超净高纯试剂和光刻胶的现状、应用及发展状况等。
关键词 集成电路 超净高纯试剂 光刻胶 现状 电子化工材料
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水系蚀刻聚酰亚胺 被引量:6
9
作者 汤嘉陵 王惟 顾宜 《四川大学学报(工程科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期43-46,共4页
以普通丙烯酸光致抗蚀干膜为抗蚀层,采用对该抗蚀层进行二次UV曝光新工艺。分别以1%、4%的四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液为显影液和蚀刻液,实现了不同体系PAA胶膜的水系蚀刻,最终制备出膜厚为20~25μm,蚀刻精度达线宽/线距=60μm/60μm... 以普通丙烯酸光致抗蚀干膜为抗蚀层,采用对该抗蚀层进行二次UV曝光新工艺。分别以1%、4%的四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液为显影液和蚀刻液,实现了不同体系PAA胶膜的水系蚀刻,最终制备出膜厚为20~25μm,蚀刻精度达线宽/线距=60μm/60μm的聚酰亚胺(PI)蚀刻图膜。三乙胺的加入可有效抑制PAA降解,将PAA胶液室温有效存放期从7d以内延长至14d以上,且对化学蚀刻PI蚀刻图膜的力学性能无负面影响。该工艺路线、通用性好,且经济、环保。 展开更多
关键词 聚酰亚胺 丙烯酸光致抗蚀干膜 化学蚀刻
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灰阶编码掩模制作微光学元件 被引量:5
10
作者 粟敬钦 姚军 +4 位作者 杜惊雷 张怡霄 高福华 郭永康 崔铮 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期97-100,共4页
提出一种基于改变灰阶编码掩模的单元形状和位置的掩模设计新方法 ,并根据成像过程中的非线性因素 ,用这种方法对掩模图形进行了预畸变校正。根据部分相干光成像理论和抗蚀剂曝光显影模型 ,模拟计算了这种灰阶编码掩模产生的空间光强分... 提出一种基于改变灰阶编码掩模的单元形状和位置的掩模设计新方法 ,并根据成像过程中的非线性因素 ,用这种方法对掩模图形进行了预畸变校正。根据部分相干光成像理论和抗蚀剂曝光显影模型 ,模拟计算了这种灰阶编码掩模产生的空间光强分布和光刻胶上的浮雕结构。采用电子束曝光系统制作了这种掩模 。 展开更多
关键词 编码灰阶掩模 光刻 微光学元件 光电器件
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含光敏剂的高支化碱溶性感光聚合物的合成及性能 被引量:3
11
作者 冯宗财 王跃川 赵凌 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期66-70,共5页
以 1,2 ,4 -苯三甲酸酐、环氧氯丙烷和光敏剂 1173合成了分子内带有光敏单元的高支化碱溶性聚酯 ,聚合反应转化率在 1h内可达 90 %以上 ;以甲基丙烯酸缩水甘油酯与高支化聚酯反应制得分子内带有光敏单元的高支化碱溶性光固化树脂 ;树脂... 以 1,2 ,4 -苯三甲酸酐、环氧氯丙烷和光敏剂 1173合成了分子内带有光敏单元的高支化碱溶性聚酯 ,聚合反应转化率在 1h内可达 90 %以上 ;以甲基丙烯酸缩水甘油酯与高支化聚酯反应制得分子内带有光敏单元的高支化碱溶性光固化树脂 ;树脂的热转变温度在 16 0~ 2 10℃ ,在碱水溶液中溶解性好 ,无需外加光敏剂在紫外光照射下便可固化、交联 ,光固化的反差 γ可达到 7. 展开更多
关键词 高支化碱树脂 碱溶性聚酯 光固化 光致抗蚀剂 光敏剂 合成 性能
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利用傅里叶模方法分析厚层光刻胶内衍射光场 被引量:5
12
作者 唐雄贵 郭永康 +3 位作者 杜惊雷 刘世杰 高峰 高福华 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期246-250,共5页
 建立了描述厚层光刻胶内衍射光场形成过程的物理模型,并利用傅里叶模方法模拟计算和分析了其内部衍射光场分布。该方法考虑了其界面反射、透射及光刻胶复折射率在空间上的缓慢变化对衍射光场的影响,采用该方法模拟光刻胶内衍射光场具...  建立了描述厚层光刻胶内衍射光场形成过程的物理模型,并利用傅里叶模方法模拟计算和分析了其内部衍射光场分布。该方法考虑了其界面反射、透射及光刻胶复折射率在空间上的缓慢变化对衍射光场的影响,采用该方法模拟光刻胶内衍射光场具有数值计算结果准确、计算速度快的优点。对厚层光刻胶折射率在几种特殊分布情况下衍射光场分布的数值模拟表明,衍射光场与其复折射率的空间分布有关。由于厚层光刻胶折射率在空间上呈缓慢变化的特点,为降低其数值计算量和编程难度,可以将厚层光刻胶近似为折射率随曝光时间变化的光栅。 展开更多
关键词 物理光学 矢量衍射理论 傅里叶模方法 厚层光刻胶 衍射光场 光刻模拟
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极紫外光刻的随机性问题及其研究进展
13
作者 王翔 何建君 +1 位作者 魏佳亮 朱慧娥 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期85-104,共20页
极紫外光刻技术是支撑最先端半导体芯片制造工艺的关键核心技术,有力推动了3 nm工艺节点的量产以及2 nm工艺节点的研发进程。极紫外光刻中的随机缺陷是限制其良率提升的关键难题。一方面,急剧减小的光刻图形特征尺寸对光刻胶各组分化学... 极紫外光刻技术是支撑最先端半导体芯片制造工艺的关键核心技术,有力推动了3 nm工艺节点的量产以及2 nm工艺节点的研发进程。极紫外光刻中的随机缺陷是限制其良率提升的关键难题。一方面,急剧减小的光刻图形特征尺寸对光刻胶各组分化学结构的规整性要求越来越高,而光刻胶中存在的组分不均一、后烘过程中光酸迁移距离以及位置的不确定性等因素都会导致缺陷,这些统称为化学随机性问题。另一方面,极紫外光源的波长(13.5 nm)较短,致使其光子密度很低,仅为上一代ArF光刻工艺中所使用光源(193 nm)的1/14,因此光子的散粒噪声大幅增加,导致了不可避免的光子随机性问题。这些问题的存在,使得EUV光刻胶中的材料体系在分子尺寸、分布均一性等方面较上一代光刻材料有着更严格的要求。本文系统性综述了近年来针对极紫外光刻胶中上述随机性问题的研究,并从化学随机性、光子随机性以及计算模拟三个方向对研究现状进行了追踪。 展开更多
关键词 极紫外 化学随机性 光子随机性 光刻胶 光酸迁移距离
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Alkenyl-type ligands functionalized tin-lanthanide oxo nanoclusters as molecular lithography resists
14
作者 Fang-Fang Liu Di Wang +4 位作者 Guang-Hui Chen Yang Qiao Feng Luo Jian Zhang Lei Zhang 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第6期1731-1736,共6页
Both the cluster chemistry of tin and lanthanides have attracted extensive research interest,showing wide applications in catalysis,magnetism,luminescence,and lithography.However,their fusion into heterometallic Sn-Ln... Both the cluster chemistry of tin and lanthanides have attracted extensive research interest,showing wide applications in catalysis,magnetism,luminescence,and lithography.However,their fusion into heterometallic Sn-Ln oxo clusters is still to be explored.In this study,through the stabilization of alkenyl-type cis-5-norbornene-endo-2,3-dicarboxylic acid(H_(2)NE)ligands,a series of atomically precise Sn-Ln oxo nanoclusters have been successfully constructed from the assembly of heterometallic tetranuclear Sn_(x)Ln((4-x))building blocks.Thereinto,Sn_(12)Eu_(8) and Sn_(13)Er_(6) with the highest nuclearities are built from multiple assembly of 8{Sn_(2)Eu_(2)}units and 6{Sn_(3)Er}and{Sn_(2)Er_(2)}units,respectively.ESI-MS analysis indicates that Sn_(13)Er_(6) has high solution stability,allowing their packing into thin films for lithography applications.As a result of electron beam lithography(EBL)studies,the condensation of Sn_(13)Er_(6) can be triggered by low energy radiation of 10μC/cm^(2),and 50 nm lines have been fabricated at expose energy of 50μC/cm^(2),confirming the satisfying sensitivity and resolution of Sn_(13)Er_(6).Hence,the success of this study develops the chemistry of heterometallic tin-lanthanide clusters that can be applied as novel negative photoresist materials. 展开更多
关键词 cluster compounds tin LANTHANIDES NANOLITHOGRAPHY photoresists
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COPOLYMERS OF CHLOROETHYL METHACRYLATE, GLYCIDYL METHACRYLATE, AND METHYL METHACRYLATE AS SYNCHROTRON RADIATION x-RAY PHOTORESISTS
15
作者 方月娥 陈大鹏 +5 位作者 刘刚 王冰 史天义 胡一贯 田扬超 阚娅 《Chinese Journal of Polymer Science》 SCIE CAS CSCD 1998年第4期304-309,共6页
The copolymers of chloroethyl methacrylate (CMA), glycidyl methacrylate (GMA), and methyl methacrylate (MMA) were synthesized in benzene solution. Their breadths of the molecular weight distributions are 2.1 and 2.3,... The copolymers of chloroethyl methacrylate (CMA), glycidyl methacrylate (GMA), and methyl methacrylate (MMA) were synthesized in benzene solution. Their breadths of the molecular weight distributions are 2.1 and 2.3, respectively. The thermal stability of P(GMA-CMA) is superior to that of P(CMA-MMA). The resolutions of P(CMA-MMA) and P(GMA-CMA) photoresists were found to be 0.1-0.16 mu m and 0.17-0.2 mu m, respectively. (Author abstract) 9 Refs. 展开更多
关键词 copolymer X-ray photoresists SUBMICRON resolution
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Electroless nickel plating on optical fiber probe 被引量:1
16
作者 黄立 王周锋 +1 位作者 李卓民 邓文礼 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第6期472-474,共3页
As a component of near-field scanning optical microscope (NSOM), optical fiber probe is an important factor influncing the equipment resolution. Electroless nickel plating is introduced to metallize the optical fibe... As a component of near-field scanning optical microscope (NSOM), optical fiber probe is an important factor influncing the equipment resolution. Electroless nickel plating is introduced to metallize the optical fiber probe. The optical fibers are etched by 40% HF with Turner etching method. Through pretreatment, the optical fiber probe is coated with Ni-P film by electroless plating in a constant temperature water tank. Atomic absorption spectrometry (AAS), scanning electron microscopy (SEM), and energy dispersive X-ray spectrometry (EDXS) are carried out to characterize the deposition on fiber probe. We have reproducibly fabricated two kinds of fiber probes with a Ni-P film: aperture probe and apertureless probe. In addition, reductive particle transportation on the surface of fiber probe is proposed to explain the cause of these probes. 展开更多
关键词 Absorption spectroscopy Atomic absorption spectrometry Atomic spectroscopy Fiber optics Fibers NICKEL Nickel alloys Nickel plating Optical fiber fabrication Optical fibers Optical materials photoresists SCANNING Scanning electron microscopy SPECTROMETERS Water tanks
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无明胶重铬酸盐全息记录软片的正性光抗蚀特性 被引量:1
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作者 朱建华 郭履容 +1 位作者 汪国平 周兰 《光电工程》 CAS CSCD 1994年第3期61-64,共4页
对无明胶重铬酸盐全息记录软片(NGD)的光正性抗蚀特性进行了分析研究,通过对溶解度的分析及红外光谱的测定,首次提出NGD是一种新型的紫外正性光抗蚀材科,给出了实验及分析结果。
关键词 全息胶片 紫外光学材料 光致抗蚀剂 NGD
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用于光致抗蚀剂的聚对羟基苯乙烯的合成及其进展 被引量:3
18
作者 孟诗云 李光宪 +1 位作者 杨其 黄亚江 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 2004年第2期243-249,共7页
随着集成电路芯片的发展 ,生产物理和化学性质均一的高分子光阻剂得到了各信息产业国的重视。到目前为止 ,含对羟基苯乙烯基的高分子光阻剂已成为光刻蚀 0 11μm线宽芯片的关键技术。本文综述了目前合成窄分布的含对羟基苯乙烯基的高... 随着集成电路芯片的发展 ,生产物理和化学性质均一的高分子光阻剂得到了各信息产业国的重视。到目前为止 ,含对羟基苯乙烯基的高分子光阻剂已成为光刻蚀 0 11μm线宽芯片的关键技术。本文综述了目前合成窄分布的含对羟基苯乙烯基的高分子光阻剂的各种方法 ,在此基础上比较了各种合成方法的优缺点 ,为合成窄分布的含对羟基苯乙烯基的高分子光阻剂提供了必要的指导。 展开更多
关键词 光致抗蚀剂 聚对羟基苯乙烯 合成 高分子光阻剂 集成电路芯片 活性自由基聚合 间规特殊活性聚合 高聚物改性
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发展中的电子化工材料 被引量:1
19
作者 刘锡洹 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 1995年第3期173-180,共8页
本文介绍了国内外电子化工材料部分大类品种的现状及发展趋向,并提出至2000年发展我国电子化工材料的措施和建议。
关键词 电子化工材料 光致抗蚀剂 封装材料 特种气体 液晶
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193nm浸没式光刻材料的研究进展 被引量:3
20
作者 何鉴 高子奇 +2 位作者 李冰 郑金红 穆启道 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期743-747,共5页
介绍了193 nm浸没式光刻技术的兴起和面临的挑战。在所涉及的材料方面,对第一代、第二代及第三代的浸没液体进行了介绍,对顶部涂料的类型及其应用进行了归纳概述。并对顶部涂料存在的问题进行了阐述。对光刻胶材料中涉及的产酸剂、主体... 介绍了193 nm浸没式光刻技术的兴起和面临的挑战。在所涉及的材料方面,对第一代、第二代及第三代的浸没液体进行了介绍,对顶部涂料的类型及其应用进行了归纳概述。并对顶部涂料存在的问题进行了阐述。对光刻胶材料中涉及的产酸剂、主体树脂及光刻胶应用方面进行了综述,并重点描述了无须顶部涂层的光刻胶,最后对193 nm浸没式光刻材料发展趋势作了展望。 展开更多
关键词 193 nm浸没式光刻 浸没液体 顶部涂料 光刻胶
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