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光敏蛋白菌紫质分子及其在光电器件中的应用 被引量:1
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作者 杜卫冲 刘颂豪 《光子学报》 EI CAS CSCD 1993年第3期232-238,共7页
紫膜菌紫质是一类新型的光敏蛋白分子,本文在介绍菌紫质分子结构和光致色变特性的基础上,重点讨论了它们在光探测器,全息材料,空间光调制器,光盘,条纹相机等光电器件中的潜在应用。
关键词 紫膜菌紫质 光敏蛋白 光电器件
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光电成象器件象变、放电现象分析
2
作者 纪孝阳 《红外技术》 CSCD 1992年第2期17-22,共6页
对变象管和象增强器试制和生产过程中产生的象变与放电现象及产生的原因进行了系统的分析,并且指出:从设计、工艺技术、材料和设备工房等诸方面来保证零部件的最佳表面状态以及各导电部件的良好电导是解决象变、放电的主要手段。该问题... 对变象管和象增强器试制和生产过程中产生的象变与放电现象及产生的原因进行了系统的分析,并且指出:从设计、工艺技术、材料和设备工房等诸方面来保证零部件的最佳表面状态以及各导电部件的良好电导是解决象变、放电的主要手段。该问题的合理解决将使光电成象器件生产的良品率有较大幅度的提高。 展开更多
关键词 光电成象器件 象变 象缩 放电
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新型电子材料——沸石分子筛
3
作者 李永祥 马爱芬 吴冲若 《传感技术学报》 CAS CSCD 1996年第3期39-44,共6页
介绍了沸石分子筛在化学传感器、纳米组装复合材料、光电材料和器件设计等方面的研究工作,以及超大晶体和超大孔径沸石分子筛合成的进展.这类新型电子材料的新效应、新原理和新器件的设计研究将对理论和实践产生重大而深远的影响.
关键词 沸石分子筛 纳米复合材料 电子材料
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线阵成像式焊接跟踪传感器输出信号的相关处理
4
作者 朱卫安 刘越琪 《南昌大学学报(工科版)》 CAS 1997年第3期69-71,92,共4页
由于线阵成像式焊接跟踪传感器输出的相邻两幅信号图形具有很强的相似性,通过对信号图形进行相关处理,求出相邻两幅信号图形的位置错位量,即可获得跟踪指令。
关键词 跟踪传感器 CCD 输出信号 焊接 信号处理
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苝四羧酸类有机光电材料研究进展 被引量:8
5
作者 黄德音 段学辉 蓝闽波 《感光材料》 北大核心 1996年第5期3-7,11,共6页
近年来,苝四羧酸类衍生物曾被广泛研究以应用于有机光电材料。本文中就四羧酸类衍生物的光电性质、光致电子转移过程和作为光电分子器件的研究等方面进行了评述。
关键词 Bei四羧酸 衍生物 有机光电材料 光电材料
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一种近贴式微通道板空间光调制器
6
作者 梁振宪 侯洵 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期78-82,共5页
对由光电阴极、微通道板、网电极及斜切电光晶体LiNbO_3组成的新型全近贴式微通道板空间光调制器(MSLM)进行了系统地研究.详述了该器件的设计考虑及关键工艺过程.研制出了一种对紫外光响应的开放式MSLM样管.并用其... 对由光电阴极、微通道板、网电极及斜切电光晶体LiNbO_3组成的新型全近贴式微通道板空间光调制器(MSLM)进行了系统地研究.详述了该器件的设计考虑及关键工艺过程.研制出了一种对紫外光响应的开放式MSLM样管.并用其实现了二维光强度空间调制. 展开更多
关键词 电光晶体 光学信息处理 光调制器
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新型高频硅光电负阻器件的特性模拟及测试分析 被引量:2
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作者 朱胜利 姚素英 +3 位作者 郑云光 李树荣 张世林 郭维廉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期573-578,共6页
给出了达林顿 λ型光电双极晶体管 (DPL BT)的结构及其等效电路 ,并以此等效电路为基础 ,用 PSPICE电路模拟程序对 DPL BT的电学特性 (IC- VCE)进行了模拟 ,对所研制的 DPL BT器件进行了测试 ,并对模拟和实验结果作了深入分析 ,其 IC- ... 给出了达林顿 λ型光电双极晶体管 (DPL BT)的结构及其等效电路 ,并以此等效电路为基础 ,用 PSPICE电路模拟程序对 DPL BT的电学特性 (IC- VCE)进行了模拟 ,对所研制的 DPL BT器件进行了测试 ,并对模拟和实验结果作了深入分析 ,其 IC- VCE特性与模拟结果符合得较好 .研究发现 DPL BT具有良好的特性和多种光电功能 ,在光逻辑、光计算。 展开更多
关键词 光电负阻器件 光电双极晶体管 模拟
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硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性
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作者 郑元芬 郭维廉 +7 位作者 张世林 张培宁 李树荣 郑云光 陈弘达 吴荣汉 林世鸣 芦秀玲 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期66-68,71,共4页
在本文中 ,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究 ,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究 .硅光电负阻器件包括有各种类型 ,本文主要对“λ”型双极光... 在本文中 ,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究 ,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究 .硅光电负阻器件包括有各种类型 ,本文主要对“λ”型双极光电负阻晶体管 (PLBT) 展开更多
关键词 硅光电负阻器件 PLBT 光双稳开关时间
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