期刊文献+
共找到176篇文章
< 1 2 9 >
每页显示 20 50 100
高取向PZT铁电薄膜的溶胶-凝胶法制备 被引量:18
1
作者 鲁健 褚家如 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期748-753,共6页
采用溶胶 凝胶技术 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上成功制备了沿 ( 1 0 0 )晶向强烈取向的Pb(Zr0 .5 3 ,Ti0 .47)O3 铁电薄膜 .通过X ray衍射分析 ,在每层膜的制备工序中 ,增加6 0 0℃热处理 1 5min的工艺 ,可有效防止烧绿石相的出现和薄膜开... 采用溶胶 凝胶技术 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上成功制备了沿 ( 1 0 0 )晶向强烈取向的Pb(Zr0 .5 3 ,Ti0 .47)O3 铁电薄膜 .通过X ray衍射分析 ,在每层膜的制备工序中 ,增加6 0 0℃热处理 1 5min的工艺 ,可有效防止烧绿石相的出现和薄膜开裂 ,并促进薄膜沿( 1 0 0 )晶向外延生长 .制得的薄膜经 6 0 0℃退火 4h后 ,呈完全钙钛矿相 ,并沿 ( 1 0 0 )晶向强烈取向 .原子力显微照片表明 ,薄膜结构致密 ,晶粒尺寸约为 1 0 0nm .经测量 ,薄膜的相对介电常数高达 1 1 50 ,剩余极化为 2 6 μc/cm2 ,矫顽场强为 4 9kV/cm . 展开更多
关键词 pzt铁电薄膜 溶胶-凝胶法 Pb(Fr0.53 Ti0.47)O3 微机电系统 制备工艺 铁电材料 电学性能
下载PDF
PZT压电薄膜在ME MS中的应用 被引量:8
2
作者 胡正军 王莉 +1 位作者 徐东 蔡炳初 《微细加工技术》 2001年第4期44-49,共6页
从MEMS应用的角度介绍了PZT压电薄膜的制备、集成工艺与压电系数的测量 。
关键词 MEMS 压电薄膜 pzt 微机电系统
下载PDF
PZT溶胶液静电雾化雾场模拟 被引量:12
3
作者 吴有金 吴亚雷 +1 位作者 许晓慧 褚家如 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期755-760,共6页
通过对商用计算流体力学软件FLUENT进行功能扩展,实现了空气流场、空间电场和离散雾场多场耦合过程的数值模拟.由实验数据确定雾滴的滴径和电量,采用拉格朗日模型计算雾滴在重力、空气阻力、外部电场力及雾滴间相互库伦排斥力作用下的... 通过对商用计算流体力学软件FLUENT进行功能扩展,实现了空气流场、空间电场和离散雾场多场耦合过程的数值模拟.由实验数据确定雾滴的滴径和电量,采用拉格朗日模型计算雾滴在重力、空气阻力、外部电场力及雾滴间相互库伦排斥力作用下的运动轨迹,并得到雾滴的速度与其空间分布密度,由此计算雾滴在衬底上的沉积通量. 展开更多
关键词 静电雾化 pzt薄膜 带电液滴 薄膜沉积
下载PDF
PZT铁电薄膜的制备及电学性能研究 被引量:8
4
作者 王培英 刘梅冬 +2 位作者 曾亦可 饶韫华 何恩培 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第2期109-113,共5页
使用硝酸锆作锆源的溶胶-凝胶方法制备PZT铁电薄膜。他们的电学性能被测试包括电滞回线,电流I(t)特性,漏电流,矫顽场疲劳和老化。测到的PZT薄膜剩余极化8.2μC/cm~2,矫顽场68kV/cm.簿膜的寿命可超过10... 使用硝酸锆作锆源的溶胶-凝胶方法制备PZT铁电薄膜。他们的电学性能被测试包括电滞回线,电流I(t)特性,漏电流,矫顽场疲劳和老化。测到的PZT薄膜剩余极化8.2μC/cm~2,矫顽场68kV/cm.簿膜的寿命可超过10^(11)周期。 展开更多
关键词 压电陶瓷 pzt 铁电薄膜
下载PDF
用Sol─Gel法制备PZT铁电陶瓷及薄膜 被引量:6
5
作者 阎培渝 苏涛 +1 位作者 李龙土 张孝文 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第2期131-134,共4页
用Sol-Gel法制备了Pb(Zr_(0.5)Ti_(0.5))O_3(PZT)铁电陶瓷与薄膜,观察了它们的结晶情况并测定了它们的电学性能。利用Sol-Gel法,可降低PZT陶瓷粉料的预烧温度约200℃,所得陶瓷致密... 用Sol-Gel法制备了Pb(Zr_(0.5)Ti_(0.5))O_3(PZT)铁电陶瓷与薄膜,观察了它们的结晶情况并测定了它们的电学性能。利用Sol-Gel法,可降低PZT陶瓷粉料的预烧温度约200℃,所得陶瓷致密,晶粒均匀;具有较好的介电性能。PZT陶瓷显示弥散相变特征。PZT薄膜的晶化受基底影响很大。基底晶格越完整,与PZT薄膜的晶格失配率越小,PZT薄膜的晶化就越好。采用PbTiO_3过渡层促进PZT薄膜在镀铂硅片上晶化。PbTiO_3过渡层与PZT薄膜构成串联电路。其表现电学性能与相应的PZT体材料相近。 展开更多
关键词 SOL-GEL法 pzt 铁电陶瓷 铁电薄膜
下载PDF
PZT薄膜微图形的制作精度的研究 被引量:8
6
作者 刘秦 林殷茵 +2 位作者 吴小清 张良莹 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期411-413,共3页
采用典型的半导体光刻工艺用BHF/HNO3溶液成功地刻蚀了PZT(52/48)薄膜。研究了薄膜的微观结构对微图形的制作精度的影响。结果表明,在薄膜中晶粒团聚区域和周围区域的刻蚀速率存在着差异,晶粒小的薄膜有利于获得高... 采用典型的半导体光刻工艺用BHF/HNO3溶液成功地刻蚀了PZT(52/48)薄膜。研究了薄膜的微观结构对微图形的制作精度的影响。结果表明,在薄膜中晶粒团聚区域和周围区域的刻蚀速率存在着差异,晶粒小的薄膜有利于获得高保真的从掩膜到薄膜的图形转移,晶粒团聚区域的尺寸基本决定了图形转移的误差。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 薄膜 刻蚀 微观结构 pzt
下载PDF
反提拉Sol-Gel法制备PZT薄膜及热处理工艺对薄膜性能结构影响的研究 被引量:4
7
作者 陈祝 张树人 +3 位作者 杨成韬 李金龙 王升 张水琴 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期377-380,384,共5页
通过醋酸铅、硝酸锆、钛酸丁酯分别制备独立稳定的前驱单体 ,采用Sol Gel反提拉涂膜技术在基片Pt/Ti/SiO2 /Si上制备PZT铁电薄膜。本文讨论了制备工艺对薄膜质量的影响 ,比较了在不同的退火速率 ,退火温度及退火气氛工艺中 ,制备的PZT... 通过醋酸铅、硝酸锆、钛酸丁酯分别制备独立稳定的前驱单体 ,采用Sol Gel反提拉涂膜技术在基片Pt/Ti/SiO2 /Si上制备PZT铁电薄膜。本文讨论了制备工艺对薄膜质量的影响 ,比较了在不同的退火速率 ,退火温度及退火气氛工艺中 ,制备的PZT铁电薄膜结构、性能的差异 ,并对其形成原因进行了分析。 展开更多
关键词 薄膜性能 pzt铁电薄膜 退火气氛 硝酸锆 SOL-GEL法 基片 SiO2 制备 钛酸丁酯 退火温度
下载PDF
用于铁电存储器的PZT薄膜的制备与性能 被引量:3
8
作者 林殷茵 汤庭鳌 +1 位作者 黄维宁 宋浩然 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期234-238,共5页
采用 MOD方法制得了具有纯钙钛矿结构和良好铁电性能的 PZT薄膜 ,典型 Pr、Ps、Ec值分别为 2 7μC/ cm2、4 4 μC/ cm2、10 .9k V/ mm,进一步分析表明 ,制备工艺对薄膜的析晶状态、晶粒尺寸和铁电性能有重大影响 ,析晶充分和大晶粒尺寸... 采用 MOD方法制得了具有纯钙钛矿结构和良好铁电性能的 PZT薄膜 ,典型 Pr、Ps、Ec值分别为 2 7μC/ cm2、4 4 μC/ cm2、10 .9k V/ mm,进一步分析表明 ,制备工艺对薄膜的析晶状态、晶粒尺寸和铁电性能有重大影响 ,析晶充分和大晶粒尺寸有利于获得较大的 展开更多
关键词 锆钛酸铅 铁电体 性能 铁电存储器 pzt薄膜
下载PDF
基于MEMS的硅基PZT薄膜微力传感芯片 被引量:6
9
作者 佟建华 刘梦伟 +3 位作者 崔岩 王兢 崔天宏 王立鼎 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第3期335-337,340,共4页
为了测量毫克级的微小力,设计并制造了一种硅基PZT薄膜悬臂式微力传感芯片。采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备了厚度不同(300-800nm)的锆钛酸铅(Pb(ZrxTi1-x)O3)薄膜,薄膜表面均匀,无裂纹。通过... 为了测量毫克级的微小力,设计并制造了一种硅基PZT薄膜悬臂式微力传感芯片。采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备了厚度不同(300-800nm)的锆钛酸铅(Pb(ZrxTi1-x)O3)薄膜,薄膜表面均匀,无裂纹。通过测试和分析,研究了PZT薄膜的制备工艺参数和压电、铁电、阻抗特性。采用微机械加工手段制作了长度为1000μm、500μm、250μm的硅基PZT薄膜微型悬臂结构。当在悬臂的自由端沿着厚度方向施加毫克级的微小力时,微型悬臂就会在厚度方向发生弯曲和振动,通过测量在压电材料表面电极上的电荷量,并通过计算可得到微型悬臂所受的集中力的大小,实现微力的测量。该文还对微力传感芯片的工作方式进行了研究,初步设计了传感器系统模型。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) pzt薄膜 微力传感器 设计 制作
下载PDF
MEMS压电超声换能器的结构设计及性能表征 被引量:6
10
作者 张晋弘 马剑强 +2 位作者 李保庆 冯艳 褚家如 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2010年第4期604-607,共4页
介绍了一种新型的基于高性能锆钛酸铅(PZT)厚膜(压电常数d31约为-280 pm/V)的微机电系统(MEMS)压电超声换能器。基于有限元法,对该种压电超声换能器进行了模拟设计。优化结果表明,边长2 mm的超声换能器,优化后其共振频率约为170 kHz,有... 介绍了一种新型的基于高性能锆钛酸铅(PZT)厚膜(压电常数d31约为-280 pm/V)的微机电系统(MEMS)压电超声换能器。基于有限元法,对该种压电超声换能器进行了模拟设计。优化结果表明,边长2 mm的超声换能器,优化后其共振频率约为170 kHz,有效机电耦合系数可达7.19%。此外,根据模拟结果,制备了超声换能器并进行了测试,共振频率为119 kHz的换能器,其有效机电耦合系数最大为6.39%,共振时中心振幅约为4.8μm@50V,并分析了模拟结果与实验结果产生误差的原因。 展开更多
关键词 锆钛酸铅(pzt) 厚膜 超声换能器 结构设计
下载PDF
溶胶电泳沉积法制备PZT压电厚膜及其性能研究 被引量:1
11
作者 周静 李君 +2 位作者 魏长松 刘维华 陈文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期38-41,共4页
采用溶胶-凝胶方法制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)纳米粉末,将此粉末按一定比例加入到同成分PZT溶胶中,采用溶胶-电泳沉积技术在ITO玻璃衬底上制备PZT厚膜。采用X射线衍射分析、SEM及HP4294A阻抗分析仪等对PZT膜进行了微观结构和介电性能... 采用溶胶-凝胶方法制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)纳米粉末,将此粉末按一定比例加入到同成分PZT溶胶中,采用溶胶-电泳沉积技术在ITO玻璃衬底上制备PZT厚膜。采用X射线衍射分析、SEM及HP4294A阻抗分析仪等对PZT膜进行了微观结构和介电性能测试,研究了电泳电压、热处理温度及电泳时间对PZT膜结构及膜厚的影响,结果表明,在1V电压下进行电泳,600℃热处理20min,可以得到表面均匀平整的纯钙钛矿结构PZT膜,以(110)择优取向,通过控制电泳时间可有效控制膜的厚度。获得了膜厚为30μm、介电常数达到ε33T/ε0=781、介电损耗为tanδ=0.0083、剩余极化与矫顽电场强度分别为24.6μC/cm2与61.9kV/cm铁电性能较好的PZT膜材料。 展开更多
关键词 电泳沉积 溶胶 pzt 压电膜
下载PDF
Oriented Growth of PZT thick film embedded with PZT nanoparticles 被引量:3
12
作者 段中夏 袁杰 +2 位作者 赵全亮 路冉 曹茂盛 《Journal of Harbin Institute of Technology(New Series)》 EI CAS 2009年第2期232-236,共5页
This paper reports that dense and crack-free (100) oriented lead zirconate titanate (Pb( Zr0. 52Ti0. 48 )O3, PZT) thick film embedded with PZT nanopartieles has been successfully fabricated on Pt/Cr/SiO2/Si subs... This paper reports that dense and crack-free (100) oriented lead zirconate titanate (Pb( Zr0. 52Ti0. 48 )O3, PZT) thick film embedded with PZT nanopartieles has been successfully fabricated on Pt/Cr/SiO2/Si substrate by using PT transition layer and PVP additive. The thick film possesses single-phase perovskite structure and perfectly (100) oriented. The (100) orientation degree of the PZT films strongly depended on annealing time and for the 4μm-thick PZT film which was annealed at 700℃ for 5 min is the largest. The (100) orientation degree of the PZT thick film gradually strengthen along with the thickness of film decreasing. The 3μm-thick PZT thick film which was annealed at 700℃ for 5 rain has the strongest (100) orientation degree, which is 82. 3%. 展开更多
关键词 pzt SOL-GEL thick film oriented growth
下载PDF
基于PZT薄膜的高频压电式微机械超声换能器的仿真与制备
13
作者 刘亚琦 陈明珠 +8 位作者 张巧珍 赵祥永 王巨杉 唐艳学 王飞飞 王书豪 汪尧进 苗斌 李加东 《上海师范大学学报(自然科学版)》 2023年第5期597-608,共12页
压电式微机械超声换能器(PMUT)是当前生物医学超声成像领域的研究热点.锆钛酸铅(PbZrO_(3)-PbTiO_(3),PZT)压电薄膜是近年来微机械超声换能器使用的核心压电材料.基于PZT压电薄膜,使用有限元软件COMSOL Multiphysics创建了三维有限元仿... 压电式微机械超声换能器(PMUT)是当前生物医学超声成像领域的研究热点.锆钛酸铅(PbZrO_(3)-PbTiO_(3),PZT)压电薄膜是近年来微机械超声换能器使用的核心压电材料.基于PZT压电薄膜,使用有限元软件COMSOL Multiphysics创建了三维有限元仿真模型,并在(0,1)模态下研究了压电薄膜结构的几何参数,其谐振频率达到222.12 MHz,有效机电耦合系数(keff)为5.13%.采用光刻和刻蚀方法制备了PZT压电薄膜的PMUT单元原型器件.该器件的空腔结构完整,谐振频率在(0,1)模态下为25.87 MHz,仿真与测试结果相似,振动模态较纯,振动位移性能较好.研究结果表明:采用PZT压电薄膜的PMUT在高分辨率、高频医学超声成像中具有较好的应用前景. 展开更多
关键词 压电式微机械超声换能器(PMUT) 高频 锆钛酸铅(PbZrO_(3)-PbTiO_(3) pzt)薄膜 器件制备
下载PDF
聚乙烯吡咯烷酮为稳定剂的PZT厚膜制备与性能 被引量:2
14
作者 车俊 姚熹 史鹏 《空军工程大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2005年第3期82-84,共3页
介绍了通过添加聚乙烯吡咯烷酮(PVP)制备PZT厚膜的方法。采用溶胶凝胶工艺,在700℃快速热处理4层即可获得厚度为1μm,表面平整没有裂纹的PZT厚膜。对PVP的作用机理进行分析,同时对厚膜的结构形貌和电性能进行研究测试。厚膜呈完全钙钛... 介绍了通过添加聚乙烯吡咯烷酮(PVP)制备PZT厚膜的方法。采用溶胶凝胶工艺,在700℃快速热处理4层即可获得厚度为1μm,表面平整没有裂纹的PZT厚膜。对PVP的作用机理进行分析,同时对厚膜的结构形貌和电性能进行研究测试。厚膜呈完全钙钛矿相多晶结构,而且具有良好的铁电性能。 展开更多
关键词 pzt 厚膜 铁电性能 PVP 溶胶-凝胶
下载PDF
微光学自适应技术中基于PZT薄膜的微反射镜工艺研究 被引量:3
15
作者 张巍 娄迪 +2 位作者 叶辉 白剑 杨国光 《光学仪器》 2006年第3期81-85,共5页
介绍了微光学自适应技术中基于PZT(PbZrxT i1-xO3)薄膜的微反射镜单元及其制作工艺。该制作过程中用重掺杂硅片作为基底和下电极,采用了钛酸丁脂[(C4H9O)4T i]、乙酸铅[Pb(CH3COO2).3H2O]以及异丙醇锆[Zr(OCH(CH3)2 4.(CH3)2CHOH]为原料... 介绍了微光学自适应技术中基于PZT(PbZrxT i1-xO3)薄膜的微反射镜单元及其制作工艺。该制作过程中用重掺杂硅片作为基底和下电极,采用了钛酸丁脂[(C4H9O)4T i]、乙酸铅[Pb(CH3COO2).3H2O]以及异丙醇锆[Zr(OCH(CH3)2 4.(CH3)2CHOH]为原料,通过溶胶-凝胶法(so l-gel)制作薄膜,薄膜厚度为纳米级。制成的PZT薄膜通过逆压电效应产生形变,对反射镜面局部进行微调,实现波前位相控制。 展开更多
关键词 自适应光学 微反射镜 pzt薄膜 逆压电效应
下载PDF
La_(0.3)Sr_(0.7)TiO_3模板层对Pb(Zr_(0.5)Ti_(0.5))O_3薄膜的铁电性能增强效应的研究 被引量:3
16
作者 王秀章 刘红日 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期1735-1740,共6页
通过sol-gel法在Si(111)基片上分别制备了LaNiO3(LNO)底电极和LaNiO3/La0.3Sr0.7TiO3(LNO/LSTO)底电极.然后采用sol-gel方法,在两种衬底上分别制备了Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)铁电薄膜.XRD分析表明,两种PZT薄膜均具有钙钛矿结构,且在LNO底... 通过sol-gel法在Si(111)基片上分别制备了LaNiO3(LNO)底电极和LaNiO3/La0.3Sr0.7TiO3(LNO/LSTO)底电极.然后采用sol-gel方法,在两种衬底上分别制备了Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)铁电薄膜.XRD分析表明,两种PZT薄膜均具有钙钛矿结构,且在LNO底电极上的PZT薄膜呈(100)择优取向,而在LNO/LSTO底电极上的PZT薄膜呈随机取向.铁电性能测试表明,相对LNO衬底上制备的PZT薄膜,在LNO/LSTO底电极上制备的PZT薄膜的剩余极化强度得到了有效的增强,同时矫顽场也增大.介电常数和漏电流的测试表明,LNO/LSTO底电极上制备的PZT薄膜具有大的介电常数和漏电流. 展开更多
关键词 pzt薄膜 铁电性 漏电流 La0.3 Sr0.7 TIO3
原文传递
脉冲激光溅射沉积PZT膜 被引量:1
17
作者 冯钟潮 赵岩 锺志源 《应用激光》 CSCD 北大核心 1999年第5期262-264,268,共4页
利用脉冲激光溅射沉积PZT压电陶瓷薄膜。着重研究了制备过程对膜层成分和结构的控制。
关键词 脉冲 激光溅射沉积 压电陶瓷 pzt薄膜
原文传递
溶胶-凝胶法制备PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3铁电薄膜及其光伏特性的研究 被引量:2
18
作者 岳建设 李祯 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期594-597,共4页
使用溶胶-凝胶法在石英玻璃基片上制备了PZT铁电薄膜,通过控制热处理工艺,制备出致密且均匀的PZT铁电薄膜。通过获得高的剩余极化强度,提高PZT膜层的内建电场,从而提高PZT铁电薄膜的光电转化效率。经过500℃高温热处理1 h后不仅提高了PZ... 使用溶胶-凝胶法在石英玻璃基片上制备了PZT铁电薄膜,通过控制热处理工艺,制备出致密且均匀的PZT铁电薄膜。通过获得高的剩余极化强度,提高PZT膜层的内建电场,从而提高PZT铁电薄膜的光电转化效率。经过500℃高温热处理1 h后不仅提高了PZT的结晶度,同时提高了PZT的致密度,PZT薄膜经过电场的极化,可以获得剩余极化强度为17μc/cm2。紫外光照射下的光电流稳定。 展开更多
关键词 pzt 铁电薄膜 光伏特性
下载PDF
PZT铁电体中烧绿石相向钙钛矿相转变研究 被引量:2
19
作者 谭红 何锦林 +1 位作者 孙向彤 汪大成 《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期491-495,共5页
本文对不同衬底材料上 PZT铁电体材料钙钛矿相的形成 ,及其相变温度与结构的关系进行了研究。结果表明 :PZT膜的相变结构除受衬底影响外 ,在由非晶相或烧绿石相向铁电钙钛矿相的转化过程中温度对相变的影响尤为显著。
关键词 pzt铁电体 衬底 烧绿石 钙钛矿 相转变
下载PDF
锆钛酸铅薄膜中裂纹形成机制及标度律 被引量:2
20
作者 刘智鹏 罗昊 +3 位作者 朱瑞 王朋伟 马军 经光银 《西北大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期710-714,718,共6页
研究锆钛酸铅(PZT)薄膜退火后表面裂纹和褶皱的形成机制,建立裂纹空间斑图所遵循的物理标度律。通过射频磁控溅射的方法,直接在无缓冲层的硅基底上沉积不同厚度的PZT薄膜,并在650℃的温度下对其退火。使用光学显微镜以及扫描电子显微镜(... 研究锆钛酸铅(PZT)薄膜退火后表面裂纹和褶皱的形成机制,建立裂纹空间斑图所遵循的物理标度律。通过射频磁控溅射的方法,直接在无缓冲层的硅基底上沉积不同厚度的PZT薄膜,并在650℃的温度下对其退火。使用光学显微镜以及扫描电子显微镜(SEM)对不同条件下制备的PZT薄膜进行表征,并从能量角度建立理论模型,揭示裂纹斑图的空间标度律。裂纹空间波长(间距)与薄膜的厚度遵循良好的线性标度律,这些裂纹将薄膜分成许多含有等级结构斑图的多边形区域。此外,在薄膜中褶皱气泡与裂纹共存,发现褶皱与裂纹的产生可以通过改变基底温度而去耦合,并通过提高基底温度有效地抑制裂纹的形成。将有助于了解裂纹的形成机制与抑制方法,并为建立薄膜力学性质与其光电等物理性能的内在联系提供重要的理论与实验依据。 展开更多
关键词 残余应力 裂纹 标度律 pzt薄膜 射频磁控溅射
下载PDF
上一页 1 2 9 下一页 到第
使用帮助 返回顶部