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有机/无机光电探测器的AFM和XPS分析 被引量:10
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作者 何锡源 张旭 +2 位作者 郑代顺 郜朝阳 张福甲 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期336-341,共6页
采用真空蒸发沉积,在室温下制备了PTCDA/p-Si有机/无机异质结样品。对其表面用原子力显微镜(AFM)研究表明,PTCDA薄膜具有岛状形态结构。经X光电子能谱(XPS)分析表明,在PTCDA分子中,C原子有两种束缚能态,其结合能力分别为285.3eV和288.7e... 采用真空蒸发沉积,在室温下制备了PTCDA/p-Si有机/无机异质结样品。对其表面用原子力显微镜(AFM)研究表明,PTCDA薄膜具有岛状形态结构。经X光电子能谱(XPS)分析表明,在PTCDA分子中,C原子有两种束缚能态,其结合能力分别为285.3eV和288.7eV;O原子与C原子相邻,一些O原子通过双键与C原子相结合,另外的O原子则通过单键与2个C原子相结合。经Ar+束溅射研究界面电子状态表明,随溅射时间增加,C1s和O1s峰逐渐减弱,而Si2p和Si2s峰渐渐增强。C1s和Si2p谱峰随着溅射时间的增加而逐渐向低束缚能力方向移动。由于荷电效应和碳硅氧烷(C-Si-O)及SiO2的存在,O1s谱峰随溅射时间的增加先向高束缚能方向移动,然后向低束缚能方向移动。 展开更多
关键词 光电探测器 ptcda/p-si 原子力显微镜 AFM X光电子能谱 XpS
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PTCDA/P-Si表面随温度变化的AFM研究
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作者 张福甲 冯煜东 +1 位作者 李东仓 胥超 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期225-228,共4页
利用AFM研究了在不同衬底温度及蒸发条件下制备的有机半导体材料PTCDA在P-Si(100)形成的薄膜讨论了其表面形貌及岛状晶核分布与生长温度之间的机理。
关键词 ptcda/psi AFM 表面形貌 岛密度 衬底温度
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温度对PTCDA结构形貌影响的Raman和AFM分析
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作者 孙硕 胥超 +4 位作者 张桂铃 苏庆 李建丰 欧谷平 张福甲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期540-541,545,共3页
通过真空蒸发将PTCDA淀积在p-Si(100)面。采用Raman光谱,AFM分别研究了衬底温度对于PTCDA分子结构和表面形貌的影响,进而完善了p-Si基PTCDA薄膜的生长机制。
关键词 ptcda/psi RAMAN光谱 AFM 衬底温度
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ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的表面和界面特性研究 被引量:3
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作者 郑代顺 张旭 钱可元 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期280-284,共5页
界面态对于薄膜器件的性能具有非常重要的影响。有米用真空蒸发和溅射沉积的方法制备了ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件,并采用X射线光电子能谱(XPS)和Ar+溅射技术对其表面和界面电子态进行了研究。结果表明,在ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的界面,不... 界面态对于薄膜器件的性能具有非常重要的影响。有米用真空蒸发和溅射沉积的方法制备了ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件,并采用X射线光电子能谱(XPS)和Ar+溅射技术对其表面和界面电子态进行了研究。结果表明,在ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的界面,不仅ITO与PTCDA薄膜之间存在扩散,PTCDA与Si衬底材料之间也存在扩散现象。此外,每种原子的XPS谱表现出一定的化学位移,并以C1s和O1s谱的化学位移最为显著。 展开更多
关键词 表面和界面特性 X射线光电于能谱(XpS) 化学位移 ITO/ptcda/p-si
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Characteristics of surface and interface for ITO/PTCDA/p-Si thin film device
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作者 ZHENG Dai-shun ZHANG Xu QIAN Ke-yuan 《Optoelectronics Letters》 EI 2006年第1期5-8,共4页
Interface characteristics possess very important influence on the performance of thin film devices. ITO/ PTCDA/p-Si thin film device was set up with vacuum evaporation and sputter deposition method. The surface and in... Interface characteristics possess very important influence on the performance of thin film devices. ITO/ PTCDA/p-Si thin film device was set up with vacuum evaporation and sputter deposition method. The surface and interface electron states of ITO/PTCDA/p-Si were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and argon ion beam etch techniques. Results indicate that at the interface of ITO/PTODA/p- Si,not only ITO/PTCDA-Si but also PDCDA-Si can produce diffusion. Moreover, the XPS spectra of each atom appear chemical shifts, and the chemical shifts of C1s and O1s are more remarkable. 展开更多
关键词 薄膜装置 表面性质 接口界面 ITO/ptcda/p-si 光电子
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光电探测器薄膜生长条件及机理分析
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作者 宋珍 《北京信息科技大学学报(自然科学版)》 2014年第3期89-91,共3页
将苝四甲酸二酐(3,4,9,10-perlenetetracrboxylic dianhydride,PTCDA)真空蒸发到无机半导体p-Si衬底上,研制的p-Si/PTCDA异质结光电探测器,对光照非常敏感,是一种响应度很高的宽带光电子元器件。讨论分析了不同的衬底制备条件制备p-Si/P... 将苝四甲酸二酐(3,4,9,10-perlenetetracrboxylic dianhydride,PTCDA)真空蒸发到无机半导体p-Si衬底上,研制的p-Si/PTCDA异质结光电探测器,对光照非常敏感,是一种响应度很高的宽带光电子元器件。讨论分析了不同的衬底制备条件制备p-Si/PTCDA异质结薄膜的情况,实验结果表明,制备过程中细微的环境变化,显著影响了器件质量,通过分析成膜质量与器件内部微观机制、能带结构、载流子输运之间的关系,确定制备异质结有机薄膜的硅晶面选择,以及衬底的温度最佳的选择范围。 展开更多
关键词 苝四甲酸二酐 原子力显微镜 X射线光电子能谱
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PTCDA/p-Si异质结势垒的形成及电流传输机理分析 被引量:10
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作者 张福甲 王德明 《甘肃科学学报》 2000年第1期1-5,共5页
根据有机半导体材料 PTCDA与无机半导体 p型 Si能够形成同型异质结PTCDA/p- Si,分析讨论了它在正、反向偏压作用下的能带结构及其电流~电压特性。
关键词 ptcda 异质结 电流输运 能带结构 有机半导体
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