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硅PIN光敏二极管探测X、γ射线的性能及应用 被引量：7
1
作者 任雪光 宁传刚 +3 位作者 邓景康 卢杰 王延峰 郑晓超 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期30-32,29,共4页
介绍了硅PIN光敏二极管和电荷灵敏前放组成的X射线探测器和配合CsI(Tl)晶体构成的γ射线探测器的性能和测量结果,同时研究了光敏二极管探测器能量分辨率的温度特性。测量X射线时,在-10℃下对241Am的59.5keV射线的能量分辨率为4.8%;用PI... 介绍了硅PIN光敏二极管和电荷灵敏前放组成的X射线探测器和配合CsI(Tl)晶体构成的γ射线探测器的性能和测量结果,同时研究了光敏二极管探测器能量分辨率的温度特性。测量X射线时,在-10℃下对241Am的59.5keV射线的能量分辨率为4.8%;用PIN光敏二极管配合10mm×10mm×10mm的CsI(Tl)晶体测量γ射线时,在20℃下对137Cs0.662MeVγ射线的能量分辨率为9.9%,60Co的1.332MeVγ射线的能量分辨率为6.4%,-10℃下的能量分辨率分别为8.7%和6.3%。 展开更多
关键词 pin光敏二极管探测器 CSI(TL)晶体 温度特性
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φ60mm×600μm硅PIN探测器γ灵敏度和时间响应测量 被引量：10
2
作者 胡孟春 叶文英 周殿忠 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期338-340,共3页
φ6 0 mm× 6 0 0μm硅 PIN半导体探测器是近年国内新研制的大面积高灵敏度探测器 ,用 10 13Bq级的 60 Coγ放射源测量了该类探测器的 60 Coγ灵敏度 ,用 CΓC脉冲辐射源 (约 0 .2 Me V)测量了该类探测器的时间响应。实验和理论计... φ6 0 mm× 6 0 0μm硅 PIN半导体探测器是近年国内新研制的大面积高灵敏度探测器 ,用 10 13Bq级的 60 Coγ放射源测量了该类探测器的 60 Coγ灵敏度 ,用 CΓC脉冲辐射源 (约 0 .2 Me V)测量了该类探测器的时间响应。实验和理论计算表明 :该类探测器的 60 Coγ灵敏度约为 5 f C·cm2 / Me V。脉冲响应上升时间约为 10 ns,脉冲响应半高宽约为 35 ns。 展开更多
关键词 硅PNI探测器 Γ灵敏度 时间响应 测量 半导体探测器 钴60
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PIN半导体探测器在个人剂量仪中的应用研究 被引量：7
3
作者 刘正山 邓长明 +1 位作者 张志勇 程昶 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期661-663,共3页
以SDM2000个人剂量仪为例,针对个人剂量仪的特点,对PIN半导体探测器在个人剂量仪中的应用进行了研究,并进行了详尽的性能测试,取得了较好的结果。
关键词 pin 半导体探测器 个人剂量仪
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两种结构GaN基太阳盲紫外探测器 被引量：4
4
作者 李雪 陈俊 +3 位作者 何政 赵德刚 龚海梅 方家熊 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1040-1042,共3页
分别在金属有机化学汽相沉积（MOCVD）生长的i-Al0.33Ga0.67N／AlN／n-GaN和p-Al0.45Ga0．55N／i—Al0.45Ga0.55N／n＋-Al0.65Ga0.35N的异质结构上，成功研制了太阳盲区的肖特基型和PIN型紫外探测器。研究结果表明，Au与i—Al0.33Ga0.67... 分别在金属有机化学汽相沉积（MOCVD）生长的i-Al0.33Ga0.67N／AlN／n-GaN和p-Al0.45Ga0．55N／i—Al0.45Ga0.55N／n＋-Al0.65Ga0.35N的异质结构上，成功研制了太阳盲区的肖特基型和PIN型紫外探测器。研究结果表明，Au与i—Al0.33Ga0.67N形成了较好的肖特基结，响应波长从250—290nm，峰值（286nm）响应率约为0．08A／W；PIN型紫外探测器的响应波长从230～275nm，峰值（246nm）响应率约为0．02A／W。 展开更多
关键词 太阳盲区 肖特基 pin 紫外探测器
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神光Ⅱ长脉冲三倍频激光受激Raman散射能量角分布测量 被引量：6
5
作者 王传珂 况龙钰 +4 位作者 王哲斌 刘慎业 李文洪 李三伟 蒋小华 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期310-313,共4页
介绍了在神光Ⅱ装置上开展的长脉冲2ns三倍频激光与黑腔靶相互作用的实验。报道了采用PIN探测器阵列测量大角度受激Raman散射(SRS)角分布和采用激光卡计对背向SRS光能量积分测量的实验结果。相同实验条件下激光辐照缝靶产生的SRS光能量... 介绍了在神光Ⅱ装置上开展的长脉冲2ns三倍频激光与黑腔靶相互作用的实验。报道了采用PIN探测器阵列测量大角度受激Raman散射(SRS)角分布和采用激光卡计对背向SRS光能量积分测量的实验结果。相同实验条件下激光辐照缝靶产生的SRS光能量要强于激光与全腔靶作用产生的SRS光,小腔靶的SRS光能量要强于标准腔靶。对比长脉冲2ns及短脉冲1ns激光打靶实验结果可以看出:由于激光功率密度的下降,长脉冲激光打靶时SRS散射光能量要弱于短脉冲激光打靶。长脉冲2ns激光与标准腔靶相互作用时,等离子体堵腔比较严重。 展开更多
关键词 激光等离子体 受激Raman散射 pin探测器 腔靶
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PIN型辐射探测器的并联使用 被引量：3
6
作者 施伟红 陈鸿飞 +4 位作者 邹鸿 邹积清 田大宇 宁宝俊 张录 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期908-910,共3页
由于高能电子的穿透能力较强,需要采用较厚的探测器进行探测。在中巴合作资源卫星上的星内粒子探测器,以往采用的是锂漂移型探测器。由于锂漂移型探测器有噪声大、不稳定等弱点,我们在新一代仪器上采用了离子注入型PIN探测器。但是,PIN... 由于高能电子的穿透能力较强,需要采用较厚的探测器进行探测。在中巴合作资源卫星上的星内粒子探测器,以往采用的是锂漂移型探测器。由于锂漂移型探测器有噪声大、不稳定等弱点,我们在新一代仪器上采用了离子注入型PIN探测器。但是,PIN探测器厚度有限,因而采用并联方法。本文就PIN探测器的并联应用进行实验和分析,证明其可行性。 展开更多
关键词 空间高能电子探测 半导体探测器锂漂移探测器 pin探测器
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半导体光电探测器及进展 被引量：3
7
作者 李晓军 尹长松 《半导体杂志》 1997年第2期34-40,共7页
半导体光电探测是半导体光电子学的重要部分，半导体光电探测器在光纤通信，红外遥感等领域有广泛的应用。本文介绍了几种最新的半导体光电探测器结构。
关键词 半导体 光电探测器 光伏探测器 多孔硅
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信号源的ALC环路设计 被引量：4
8
作者 张煜 《国外电子测量技术》 2007年第5期29-31,38,共4页
在当前许多电子测试仪器中,ALC环路必不可少,很多ALC环路电路设计都很复杂、电路庞大、设计成本高。本文提出一种ALC环路,具有设计简洁、性价比高的特点。该ALC环路从功能上主要分为调制器(PIN二极管)部分、RF射频信号放大部分、功分检... 在当前许多电子测试仪器中,ALC环路必不可少,很多ALC环路电路设计都很复杂、电路庞大、设计成本高。本文提出一种ALC环路,具有设计简洁、性价比高的特点。该ALC环路从功能上主要分为调制器(PIN二极管)部分、RF射频信号放大部分、功分检波部分,分别详细地介绍了这几部分的原理和电路。ALC环路的工作频率从250kHz到1GHz,输入信号功为+0dBm±1.5dB,输出信号功为+13dBm±1.5dB。 展开更多
关键词 检波 功放 pin管 RF
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一种具有高能量分辨率Al_(2)O_(3)钝化结区的PIN探测器
9
作者 孙熙晨 林旭梅 《半导体光电》 CAS 北大核心 2023年第6期857-862,共6页
提出了一种Al_(2)O_(3)钝化结区的PIN探测器,与传统PIN探测器不同的是,在器件正面的pn结和背面的高低结处沉积了10 nm厚的Al_(2)O_(3)薄膜。经TCAD仿真结果表明,该探测器具有更低的漏电流和保护环处的电子电流密度,能对高能粒子射线入... 提出了一种Al_(2)O_(3)钝化结区的PIN探测器,与传统PIN探测器不同的是,在器件正面的pn结和背面的高低结处沉积了10 nm厚的Al_(2)O_(3)薄膜。经TCAD仿真结果表明,该探测器具有更低的漏电流和保护环处的电子电流密度,能对高能粒子射线入射产生良好的响应。设计了两种探测器的制备步骤并制备了器件,通过薄膜少子寿命的表征、器件的暗态I-V测试和^(241)Am元素能谱测试对其进行了评估。测试结果表明,与传统的PIN探测器相比,Al_(2)O_(3)钝化结区的PIN探测器的少子寿命提升至1 061μs,漏电流降低至5 nA,能量分辨率提升至521 eV,表现出更好的探测性能。 展开更多
关键词 Al_(2)O_(3)钝化层 pin探测器 TCAD仿真 暗态漏电流 能量分辨率
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强辐射环境下高能脉冲裂变中子探测方法 被引量：4
10
作者 张忠兵 欧阳晓平 +2 位作者 陈亮 张显鹏 李宏云 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期3385-3390,共6页
在研究通道衰减、探测方法分离和探测器中子/γ射线本征分辨的基础上,研究了测量高能脉冲裂变中子数目的探测技术。基于电流型Si-PIN探测器,设计了减本底的背靠背探测结构,给出了测量强γ射线和低能散射中子干扰信号及有效扣除强辐射本... 在研究通道衰减、探测方法分离和探测器中子/γ射线本征分辨的基础上,研究了测量高能脉冲裂变中子数目的探测技术。基于电流型Si-PIN探测器,设计了减本底的背靠背探测结构,给出了测量强γ射线和低能散射中子干扰信号及有效扣除强辐射本底的实现方法,最终实现了高n/n′和n/γ分辨测量和强裂变中子、γ射线混合场中的高能脉冲裂变中子数目探测,探测系统的信号/辐射本底比可达到10倍以上。 展开更多
关键词 强辐射 pin探测器 脉冲中子 中子探测 混合辐射场
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二路收发的空间光通信系统 被引量：3
11
作者 左昉 谢福增 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期419-421,共3页
研制了工作于大气中的空间光通信系统 ,系统的发射天线采用了两组互相独立的组合式准直光学系统 ,发射光源采用 980nm的CW激光器 ,调制方式为直接电流调制 ;接收天线为两组折反式望远光学系统 ,以快速响应的PIN光电管为主探测器 ,四象... 研制了工作于大气中的空间光通信系统 ,系统的发射天线采用了两组互相独立的组合式准直光学系统 ,发射光源采用 980nm的CW激光器 ,调制方式为直接电流调制 ;接收天线为两组折反式望远光学系统 ,以快速响应的PIN光电管为主探测器 ,四象限探测器为两个系统之间对准与否的位置探测器。该系统实现了点对点的 6 2 2Mbit/s通信 ,正常天气情况下可实现通信的距离 10 0m～ 2km。该文在给出了该系统的组成的基础上详细讨论了系统的接收与发射天线。 展开更多
关键词 空间光通信 半导体激光器 pin探测器 发散角
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大面积PIN探测器性能参数实验测量 被引量：3
12
作者 郭洪生 何锡钧 彭太平 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期272-275,共4页
利用CГC-67型三通道γ源加速器测量了50mm,60mmPIN探测器的时间响应、线性电流及相对灵敏度,并与理论计算结果进行了比较,验证了实验结果的可靠性。
关键词 pin半导体探测器 时间响应 线性电流 相对灵敏度
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PIN探测器贯穿辐射与非贯穿辐射线性特性 被引量：3
13
作者 张忠兵 张显鹏 +1 位作者 陈亮 欧阳晓平 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期595-599,共5页
采用脉冲X射线源和脉冲氙灯光源实验研究了PIN探测器对贯穿辐射和非贯穿辐射响应的最大线性电流输出特性,并与理论计算结果进行了比较。PIN探测器输出的最大线性电流随外加反向偏置电压线性变化,对贯穿辐射响应的最大线性电流输出比对... 采用脉冲X射线源和脉冲氙灯光源实验研究了PIN探测器对贯穿辐射和非贯穿辐射响应的最大线性电流输出特性,并与理论计算结果进行了比较。PIN探测器输出的最大线性电流随外加反向偏置电压线性变化,对贯穿辐射响应的最大线性电流输出比对非贯穿辐射响应的最大线性电流输出约大20%,理论计算的最大线性电流值比实验值小。在脉冲辐射探测中,采用可见脉冲光源获得的PIN探测器最大线性电流不会超出探测器对贯穿辐射的线性响应。 展开更多
关键词 pin探测器 线性电流 贯穿辐射 脉冲辐射测量
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卫星光通信系统中PIN探测器的空间辐射特性 被引量：3
14
作者 侯睿 赵尚弘 +3 位作者 幺周石 胥杰 姜晓峰 付灵丽 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期161-167,共7页
对空间辐射环境下PIN光电探测器γ射线辐射特性以及粒子辐射特性进行了深入的研究。结果表明两种辐射机制均会对PIN光电探测器造成一定的影响,表现为暗电流噪声增加、响应率下降以及响应带宽下降。在卫星光通信系统结构设计过程中应该... 对空间辐射环境下PIN光电探测器γ射线辐射特性以及粒子辐射特性进行了深入的研究。结果表明两种辐射机制均会对PIN光电探测器造成一定的影响,表现为暗电流噪声增加、响应率下降以及响应带宽下降。在卫星光通信系统结构设计过程中应该更多地考虑空间辐射对暗电流噪声造成的影响。 展开更多
关键词 空间辐射 pin探测器 暗电流 响应率 响应带宽
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脉冲辐射探测信号模拟光纤传输系统 被引量：3
15
作者 吕宗璟 盛亮 +4 位作者 张雁霞 田耕 阮林波 陈彦丽 罗通顶 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期906-911,共6页
为实现极端实验环境下脉冲辐射探测信号的远距离传输,采用电光转换和光电转换的方法设计了一套模拟光纤传输系统。该系统基于DFB激光器的强度直接调制特性实现了电光转换;以运算放大器为主体构建了激光器驱动电路;利用专用集成芯片MAX1... 为实现极端实验环境下脉冲辐射探测信号的远距离传输,采用电光转换和光电转换的方法设计了一套模拟光纤传输系统。该系统基于DFB激光器的强度直接调制特性实现了电光转换;以运算放大器为主体构建了激光器驱动电路;利用专用集成芯片MAX1968实现了激光器半导体PN结的无死区温度控制。为提高系统测试精度,光接收端采用带有暗电流校正的平衡PIN前置放大器将光信号还原为电信号,以提高系统动态范围。最后,实验测试了系统性能指标。结果表明,系统的-3 dB带宽为DC^155 MHz,线性动态范围> 40 dB(100倍),输出噪声峰-峰值<3 mV。该系统适用于对传输带宽、安全性等要求高的科学研究中。 展开更多
关键词 辐射探测 模拟光纤传输系统 电光转换和光电转换 DFB 激光器 pin 型光电二极管
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PIN探测器和跨阻放大器的光电单片集成 被引量：3
16
作者 王宁 赵柏秦 +1 位作者 王帅 王震 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第9期299-304,共6页
设计了一种大面积、高响应度的硅基PIN探测器,PIN探测器的表面积为4.1 mm×13.8 mm,整体厚度为420μm左右。PIN探测器的光敏面采用环形Al电极将光电流信号引出,通过在波长为860 nm的恒定激光光源下进行测试,其响应度为0.6 A/W。提... 设计了一种大面积、高响应度的硅基PIN探测器,PIN探测器的表面积为4.1 mm×13.8 mm,整体厚度为420μm左右。PIN探测器的光敏面采用环形Al电极将光电流信号引出,通过在波长为860 nm的恒定激光光源下进行测试,其响应度为0.6 A/W。提出了一种全新的光电单片集成的可行性方法,即利用PIN探测器非光照区的本征Ⅰ层面积,设计了一种与PIN探测器结构和工艺兼容的跨阻放大器,在保证了PIN探测器结构和性能没有发生改变的前提下,实现了PIN探测器和跨阻放大器的光电单片集成。最后在波长为860 nm、脉冲宽度为100 ns、工作频率为10 kHz的实际脉冲激光信号下对流片成功的PIN探测器和光电单片集成芯片的脉冲响应进行了对比测试。结果表明:在脉冲宽度基本没有发生变化的同时,光电单片集成芯片的脉冲电压信号相比于PIN探测器的脉冲光电流信号放大了1 000倍,放大倍数和理论的跨阻阻值1 000Ω一致。该集成光电芯片应用在激光引信系统的激光接收模块中,通过光电单片集成可以提高PIN探测器上输出端信号的信噪比,增强系统的稳定性,同时也可以满足激光引信系统小型化发展的需要。 展开更多
关键词 光电单片集成 pin探测器 横向NPN三极管 跨阻放大器
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对γ不灵敏的PIN脉冲中子探测器 被引量：3
17
作者 杨洪琼 朱学彬 +5 位作者 彭太平 唐正元 杨高照 李林波 宋献才 胡孟春 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2004年第7期744-748,共5页
将PIN半导体制作成特殊组合结构的PIN脉冲中子探测器 ,利用三通道装置产生的γ脉冲和中子发生器DT反应产生的 14MeV中子脉冲对探测器进行了研究 .结果表明 :PIN脉冲中子探测器对脉冲γ辐射不灵敏 ,对脉冲中子辐射的灵敏程度依赖于中子... 将PIN半导体制作成特殊组合结构的PIN脉冲中子探测器 ,利用三通道装置产生的γ脉冲和中子发生器DT反应产生的 14MeV中子脉冲对探测器进行了研究 .结果表明 :PIN脉冲中子探测器对脉冲γ辐射不灵敏 ,对脉冲中子辐射的灵敏程度依赖于中子辐射转换靶 ,探测器的信噪比达到30∶1,是一种在中子。 展开更多
关键词 pin探测器 脉冲中子测量 γ脉冲 中子辐射 信噪比 高能物理实验
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InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度影响研究 被引量：3
18
作者 杨集 冯士维 +3 位作者 李瑛 吕长志 谢雪松 张小玲 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期141-144,共4页
InP盖层对光的吸收及入射光在探测器多界面间的多次反射,使InP层对InGaAs/InPPIN探测器的响应度产生了很大的影响。本文测量了正面和背面入光PIN探测器的响应度,并与测量的InP晶片透射率及模拟的透射率进行比较,分析了InP层对正面及背... InP盖层对光的吸收及入射光在探测器多界面间的多次反射,使InP层对InGaAs/InPPIN探测器的响应度产生了很大的影响。本文测量了正面和背面入光PIN探测器的响应度,并与测量的InP晶片透射率及模拟的透射率进行比较,分析了InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度的影响。结果表明,随着InP层厚度的增加,响应度峰与峰的间隔Δλ不断减小,波形越来越密集。所以正面入光探测器的响应度起伏比较明显,且随着InP层厚度的增加,响应度极值对应的波长发生红移。背面入光探测器的响应度非常密集而成为准连续的带状。 展开更多
关键词 INGAAS/INP pin探测器 响应度 InP盖层
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裂变瞬发γ总数测量技术 被引量：3
19
作者 彭太平 张传飞 +1 位作者 楼福洪 邓桂英 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期244-246,共3页
针对裂变 γ辐射能谱的特点 ,采用散射测量技术并选择散射角度 ( 70°) ,将裂变 γ连续谱压缩 ,利用 PIN型探测器对压缩后能段能谱响应平坦的特点 ,实现 γ辐射绝对测量。
关键词 康普顿散射 pin探测器 瞬发γ总数 测量技术 核裂变 Γ辐射 能谱
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SiO_2钝化层对GaN基PIN结构核探测器漏电流的影响 被引量：2
20
作者 袁愿林 姚昌胜 +1 位作者 王果 陆敏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期110-114,共5页
成功地制备了有SiO2钝化层和无SiO2钝化层的GaN基PIN结构核辐射探测器,并对二者的I-V特性进行了测试。实验结果表明,SiO2钝化层的存在显著地降低了GaN基PIN结构核辐射探测器的反向漏电流,在-40V的反向偏压情况下,漏电流约有2个数量级的... 成功地制备了有SiO2钝化层和无SiO2钝化层的GaN基PIN结构核辐射探测器,并对二者的I-V特性进行了测试。实验结果表明,SiO2钝化层的存在显著地降低了GaN基PIN结构核辐射探测器的反向漏电流,在-40V的反向偏压情况下,漏电流约有2个数量级的降低。实验过程中观测到随着反向偏压的增大,SiO2钝化层对器件反向漏电流的抑制效应更明显。建立了一种表面沟道模型解释了SiO2钝化层对漏电流的影响。 展开更多
关键词 氮化镓 pin 探测器 漏电流 钝化层
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