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MEMS单片集成新方法及关键技术的研究
被引量：
2
1
作者
王晓红
谭智敏
+1 位作者
刘理天
李志坚
《微细加工技术》
2001年第3期9-13,共5页
提出一种与标准IC工艺兼容的MEMS单片集成新方法 -后微机械技术 ,研究了与之相关的关键技术 ,PECVD淀积SiC保护电路技术及多孔硅牲层技术 ,并进行了多孔硅牺牲层技术的实验研究 ,取得了满意的结果。
关键词
MEMW
pecvd
多孔硅
单片集成电路
微机电系统
下载PDF
职称材料
MEMS射流角速率传感器中微悬空铂丝加工工艺的优化设计
2
作者
张乐
余婷婷
+2 位作者
孙丽娜
张璐
闫桂珍
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期632-635,共4页
MEMS射流角速率传感器的工作原理是当有外加角速度时,腔内射流发生偏转,此时腔内产生的不对称温度分布通过微悬空铂丝输出一个差分电压信号。由于器件中的气流在工作平面上作循环运动,这样器件的性能强烈依赖于悬空热敏检测丝的对称性...
MEMS射流角速率传感器的工作原理是当有外加角速度时,腔内射流发生偏转,此时腔内产生的不对称温度分布通过微悬空铂丝输出一个差分电压信号。由于器件中的气流在工作平面上作循环运动,这样器件的性能强烈依赖于悬空热敏检测丝的对称性和平整度。考察了不同退火条件对SiC支撑层内应力的影响,结果发现在450℃退火半小时的条件下产生低的张应力SiC,既满足了平整性要求又能很好地保护其下的玻璃衬底。还研究了不同厚度的SiC层在纯HF溶液中腐蚀1h对玻璃的保护和金属层的"起皮"现象,得出1μm厚的SiC能有效地防止玻璃表面被腐蚀,而延长反溅射的时间可避免金属层"起皮"现象发生。
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关键词
MEMS射流角速率传感器
热敏电阻丝
等离子体增强化学气相淀积碳化硅
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职称材料
题名
MEMS单片集成新方法及关键技术的研究
被引量：
2
1
作者
王晓红
谭智敏
刘理天
李志坚
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《微细加工技术》
2001年第3期9-13,共5页
基金
国家基础研究基金 (973)项目 (G19990 3310 8)
清华大学"985"基础研究基金项目 (19992 5 0 0 1)
文摘
提出一种与标准IC工艺兼容的MEMS单片集成新方法 -后微机械技术 ,研究了与之相关的关键技术 ,PECVD淀积SiC保护电路技术及多孔硅牲层技术 ,并进行了多孔硅牺牲层技术的实验研究 ,取得了满意的结果。
关键词
MEMW
pecvd
多孔硅
单片集成电路
微机电系统
Keywords
MEMS
pecvd
sic
Porous
silicon
Sacrificial
layer
Monolithic
integration
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
MEMS射流角速率传感器中微悬空铂丝加工工艺的优化设计
2
作者
张乐
余婷婷
孙丽娜
张璐
闫桂珍
机构
北京大学微电子学研究院
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期632-635,共4页
文摘
MEMS射流角速率传感器的工作原理是当有外加角速度时,腔内射流发生偏转,此时腔内产生的不对称温度分布通过微悬空铂丝输出一个差分电压信号。由于器件中的气流在工作平面上作循环运动,这样器件的性能强烈依赖于悬空热敏检测丝的对称性和平整度。考察了不同退火条件对SiC支撑层内应力的影响,结果发现在450℃退火半小时的条件下产生低的张应力SiC,既满足了平整性要求又能很好地保护其下的玻璃衬底。还研究了不同厚度的SiC层在纯HF溶液中腐蚀1h对玻璃的保护和金属层的"起皮"现象,得出1μm厚的SiC能有效地防止玻璃表面被腐蚀,而延长反溅射的时间可避免金属层"起皮"现象发生。
关键词
MEMS射流角速率传感器
热敏电阻丝
等离子体增强化学气相淀积碳化硅
Keywords
MEMS
jet-fluidic
gyroscope
hot-wire
anemometer
pecvd
sic
分类号
TP212.12 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TN405.98 [自动化与计算机技术—控制科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MEMS单片集成新方法及关键技术的研究
王晓红
谭智敏
刘理天
李志坚
《微细加工技术》
2001
2
下载PDF
职称材料
2
MEMS射流角速率传感器中微悬空铂丝加工工艺的优化设计
张乐
余婷婷
孙丽娜
张璐
闫桂珍
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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职称材料
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