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等平面化SiC MESFET的研制 被引量：2
1
作者 杨霏 陈昊 +8 位作者 潘宏菽 默江辉 商庆杰 李亮 闫锐 冯震 杨克武 蔡树军 姚素英 《微纳电子技术》 CAS 2008年第8期440-443,483,共5页
在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功... 在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功率输出达到了86.5W。经过内匹配和功率合成研制成大功率的SiC脉冲功率管的综合性能较好,在250W的输出功率下,器件仍然保持高达10.5dB的高增益,功率附加效率30%。台阶仪和扫描电镜观测表明,台阶高度已经大大降低,侧壁得到了钝化,尖锐突起和凹坑都已经变得平缓。 展开更多
关键词 碳化硅(SIC) 金属消特基势垒场效应晶体管 高增益 功率附加效率 大功率 等平面化 侧壁钝化
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一种射频大功率放大器电源偏置电路设计方法(英文) 被引量：6
2
作者 沈明 耿波 于沛玲 《中国科学院研究生院学报》 CAS CSCD 2006年第1期77-82,共6页
设计射频大功率放大器时,为了传输大的电源电流而加宽的λ/4电源偏置微带线往往不能很好地对偏置电路和信号电路进行隔离,从而影响放大器的性能.本文对一种采用加厚微带线设计λ/4电源偏置电路的方法进行了分析,并根据一种卫星数传发射... 设计射频大功率放大器时,为了传输大的电源电流而加宽的λ/4电源偏置微带线往往不能很好地对偏置电路和信号电路进行隔离,从而影响放大器的性能.本文对一种采用加厚微带线设计λ/4电源偏置电路的方法进行了分析,并根据一种卫星数传发射机的功率放大器设计要求,分别采用本文介绍的方法和传统方法设计了两个功率放大器,给出了分析和试验结果,结果表明加厚λ/4偏置微带线可以比传统方法令功率放大器获得更高的性能,具有较大参考意义. 展开更多
关键词 功率放大器 偏置电路 小信号S参数 功率附加效率pae
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S波段高效F类/逆F类GaN HEMT功率放大器设计 被引量：5
3
作者 邹浩 《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第5期730-737,共8页
为了解决F类和逆F类(F-1类)功率放大器设计过程中受晶体管寄生参数影响,导致功放效率低以及输出匹配电路结构复杂的问题,提出了一种新型的输出匹配电路结构.首先,在直流偏置线中加入谐波调谐功能,避免单独设计谐波控制电路;其次,为满足... 为了解决F类和逆F类(F-1类)功率放大器设计过程中受晶体管寄生参数影响,导致功放效率低以及输出匹配电路结构复杂的问题,提出了一种新型的输出匹配电路结构.首先,在直流偏置线中加入谐波调谐功能,避免单独设计谐波控制电路;其次,为满足F类和F-1类功放在器件本征漏极端所需的阻抗状态,匹配寄生参数呈现的封装端谐波阻抗,采用一段L型传输线结构代替传统的L-C集总元件寄生补偿方法;最后,由两段串联的传输线实现最优基波阻抗与50Ω负载间的匹配.为验证方法的有效性,采用CGH40010氮化镓高电子迁移率晶体管(Gallium nitride high electron mobility transistor,GaN HEMT)器件,设计并加工了两款工作在2.4 GHz的F类和F-1类功放.测试结果显示:F类功放的峰值功率附加效率(power added efficiency,PAE)为75.5%,饱和输出功率为40.8 dBm;F-1类功放的峰值PAE为77.6%,饱和输出功率为40.3 dBm.该方法降低了电路复杂度和设计难度,可以较容易地补偿晶体管寄生参数,功放在高频工作时的效率得到提升,为利用GaN HEMT器件设计高效功放提供了一种可行的方案. 展开更多
关键词 功率放大器 高效率 F类 逆F类 GaN HEMT 功率附加效率(pae)
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基于双向牵引技术的反向Doherty功率放大器设计 被引量：4
4
作者 南敬昌 王艳强 方杨 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期69-73,共5页
基于传统两路反向Doherty(Inverted Doherty PowerAmplifier,IDPA)在回退点处效率较低的缺点,提出了双向牵引技术与共轭匹配技术联合的设计方法,在传统反向Doherty设计方法上进行优化改进,研制了一款工作于TD-LTE频段(2570MHz^2620MHz)... 基于传统两路反向Doherty(Inverted Doherty PowerAmplifier,IDPA)在回退点处效率较低的缺点,提出了双向牵引技术与共轭匹配技术联合的设计方法,在传统反向Doherty设计方法上进行优化改进,研制了一款工作于TD-LTE频段(2570MHz^2620MHz)、结构新颖的高效率反向Doherty。实现了在保证高线性度的情况下,使得整体电路在峰值功率输出点以及回退点处都具有较高的效率。在中心频率为2600MHz的仿真结果表明,峰值输出功率(52dBm)和功率回退点(46dBm)处的效率分别高达54.9%和46.9%,回退点处的效率比AB类IDPA提高了14%,在5MHz偏频情况下,三阶互调分量为13.743dBm,与45.958dBm的基波功率相差32.215dB,符合现代功放在功率回退点处具有高效率和高线性度的设计要求。 展开更多
关键词 LTE 反向Doherty功率放大器(IDPA) 功率附加效率(pae) 双向牵引 共轭匹配
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Q波段氮化镓功率放大器芯片
5
作者 王海龙 崔亮 《通信电源技术》 2022年第8期66-68,共3页
在GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMT)工艺的基础上,成功开发设计了一款Q频段功率放大器芯片。电路使用4级级联放大拓扑,每一级均选定了合适的栅宽,结合Wilkinson功率分配及合成匹配网络来满足输出功率、... 在GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMT)工艺的基础上,成功开发设计了一款Q频段功率放大器芯片。电路使用4级级联放大拓扑,每一级均选定了合适的栅宽,结合Wilkinson功率分配及合成匹配网络来满足输出功率、增益以及功率附加效率(Power Added Efficiency,PAE)等性能指标要求。测试结果表明,该芯片在37~42 GHz频段内的输出功率大于40 dBm,功率附加效率大于30%。 展开更多
关键词 Q波段 射频(RF)功率放大器 功率附加效率(pae) 微波单片集成电路(MMIC)
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通信基站成对可重构四波段功率放大器的应用研究
6
作者 南敬昌 范钧 +1 位作者 高明明 卢永 《微波学报》 CSCD 北大核心 2021年第5期81-86,共6页
为满足通信基站对功率放大器的需求,提出了一种新型的成对可重构四波段阻抗变换器,该阻抗变换器采用双Π型与T型的混合结构,通过插入PIN二极管实现匹配电路的可重构性。经理论推导和仿真优化,设计的可重构四波段匹配电路可实现任意四个... 为满足通信基站对功率放大器的需求,提出了一种新型的成对可重构四波段阻抗变换器,该阻抗变换器采用双Π型与T型的混合结构,通过插入PIN二极管实现匹配电路的可重构性。经理论推导和仿真优化,设计的可重构四波段匹配电路可实现任意四个频率上的任意四个不同复数阻抗到实负载端的匹配,实现了在四个工作频率下的扼流。最终设计了一款可应用于2G—5G通信标准下移动通信基站的可重构四波段功放模块。实测功放饱和输出功率在10 W左右,且增益平坦度小于±1 dB,在饱和输出功率下的最大附加效率可达到39.5%,同时具有高增益平坦度的特点,整体电路结构简单。 展开更多
关键词 通信基站 可重构四波段 PIN二极管 GaN HEMT 功率附加效率(pae)
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