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MeV P^+/Si^+共注入SI-GaAs制备高品质n^+埋层
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作者 姬成周 张燕文 +1 位作者 李国辉 王文勋 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1993年第4期488-494,共7页
采用不同注量和注入顺序的MeV能量的P^+(3MeV,1×10^(14)～3×10^(14)cm^(-2))与MeV能量的Si^+(3MeV,1×10^(14)cm^(-2))共注入于SI-LEC GaAs晶体中。对不同退火条件的共注入样品的有源层电特性、载流子浓度分布、晶格的损... 采用不同注量和注入顺序的MeV能量的P^+(3MeV,1×10^(14)～3×10^(14)cm^(-2))与MeV能量的Si^+(3MeV,1×10^(14)cm^(-2))共注入于SI-LEC GaAs晶体中。对不同退火条件的共注入样品的有源层电特性、载流子浓度分布、晶格的损伤和恢复状况以及剩余缺陷等进行了分析。研究表明,较大注量的P^+与Si^+共注入,可以降低注区薄层电阻,有效地提高MeV Si^+的激活效率,改善有源层迁移率,得到高品质的n^+埋层。共注入样品的HALL迁移率大于2400cm^2/(V·s),激活率可达95％以上。 展开更多
关键词 MEV 离子注入 磷 硅 共注入 砷化镓
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