Rh6G/氧化多孔硅复合膜的荧光光谱 被引量：6

1

作者 车永莉 曹小龙 李清山 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期86-90,共5页

为了发展性能良好的固体染料激光器,多孔介质中镶嵌激光染料是一种可行的途径。将氧化多孔硅作为基质材料,通过浸泡的方式将激光染料Rh6G嵌入其中,形成Rh6G/氧化多孔硅复合膜,对比研究了Rh6G在无水乙醇、多孔硅、多孔氧化硅中的荧光特... 为了发展性能良好的固体染料激光器,多孔介质中镶嵌激光染料是一种可行的途径。将氧化多孔硅作为基质材料,通过浸泡的方式将激光染料Rh6G嵌入其中,形成Rh6G/氧化多孔硅复合膜,对比研究了Rh6G在无水乙醇、多孔硅、多孔氧化硅中的荧光特性。结果表明,经高温氧化后,氧化多孔硅透明度提高,其荧光强度明显变弱,在复合膜中已检测不到其荧光行为。相比于在无水乙醇溶液中,在氧化多孔硅中Rh6G发射光谱的半峰全宽有所展宽,峰值波长略有红移,对称性大为提高,具有类似单体发光特性,这种现象与纳米孔对Rh6G的聚集程度的限制有关。 展开更多

关键词 氧化多孔硅 阳极氧化 Rh6G 荧光光谱

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用于提取外周血DNA微流控样品预处理芯片的研制 被引量：1

2

作者 陈兴 崔大付 +2 位作者 刘长春 李辉 赵卫星 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期618-621,共4页

基于固相萃取原理和微电子机械系统(M icro-E lectro-M echan ical System,MEMS)技术研制了一种多孔氧化硅微流控样品预处理芯片,并利用具有大比表面积的多孔氧化硅作为提取DNA的固相载体,从而大大提高了DNA的提取产率.分析了影响DNA提... 基于固相萃取原理和微电子机械系统(M icro-E lectro-M echan ical System,MEMS)技术研制了一种多孔氧化硅微流控样品预处理芯片,并利用具有大比表面积的多孔氧化硅作为提取DNA的固相载体,从而大大提高了DNA的提取产率.分析了影响DNA提取产率的因素,改进了芯片制备工艺和DNA提取实验方案,成功地提取了小鼠外周血DNA,提取产率为24 ng/(μL全血),达到商用试剂盒水平.同时以该DNA作为PCR扩增模板,扩增效果良好. 展开更多

关键词 MEMS 多孔氧化硅 微流控样品预处理芯片

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用于衬底隔离的选择性氧化多孔硅厚膜的制备 被引量：1

3

作者 陈忠民 刘泽文 +1 位作者 刘理天 李志坚 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z2期280-281,共2页

对N^+型硅衬底上用于衬底隔离的选择性氧化多孔硅厚膜的制备进行了研究。实验过程中通过控制阳极氧化反应中HF溶液的浓度、电流密度和反应时间形成了不同厚度和孔隙度的多孔硅厚膜,并采用两步氧化的方法得到氧化多孔硅厚膜。实验得到的... 对N^+型硅衬底上用于衬底隔离的选择性氧化多孔硅厚膜的制备进行了研究。实验过程中通过控制阳极氧化反应中HF溶液的浓度、电流密度和反应时间形成了不同厚度和孔隙度的多孔硅厚膜,并采用两步氧化的方法得到氧化多孔硅厚膜。实验得到的平整的氧化多孔硅厚膜最大厚度为60μm。对氧化多孔硅作为衬底隔离材料应用于硅基射频集成电路进行了初步的探索。 展开更多

关键词 多孔硅 氧化多孔硅 射 频

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用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构 被引量：1

4

作者 宁瑾 刘忠立 +1 位作者 刘焕章 葛永才 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第3期319-322,共4页

提出一种新的牺牲层工艺。先将阳极氧化生成的多孔硅在300℃的氮气氛下进行退火以稳定其多孔结构,然后将其在700℃下氧化成为具有多孔结构的二氧化硅。用氧化的多孔硅材料作为牺牲层材料,既可以保留多孔硅牺牲层材料释放迅速的优点,又... 提出一种新的牺牲层工艺。先将阳极氧化生成的多孔硅在300℃的氮气氛下进行退火以稳定其多孔结构,然后将其在700℃下氧化成为具有多孔结构的二氧化硅。用氧化的多孔硅材料作为牺牲层材料,既可以保留多孔硅牺牲层材料释放迅速的优点,又克服了多孔硅在释放时的局限性。实验运用氧化的多孔硅材料作牺牲层成功制备了悬空振膜和悬臂梁结构。 展开更多

关键词 氧化多孔硅 牺牲层 制备 悬空微结构 阳极氧化 硅微机械加工技术 微型传感器

原文传递

用多孔硅作牺牲层制备硅基电容式微传声器

5

作者 宁瑾 刘焕章 +1 位作者 葛永才 刘忠立 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第B05期187-191,共5页

提出了一种新的硅基电容式微传声器的制备方法，即采用多孔硅牺牲层技术制备声学孔，采用聚酰亚胺膜作声学振膜，采用该方法制备出的电容式微传声器器件，开路灵敏度为107．8dB，在400～10kHz之间，频率响应较为平坦，可以实现语音通信。

关键词 硅基电容式微传声器 多孔硅 牺牲层 聚酰亚胺

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氧化多孔硅/聚合物复合膜的折射率 被引量：1

6

作者 贾振红 涂楚辙 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1149-1152,共4页

用Bruggeman模型理论,分析了氧化多孔硅/聚合物复合膜的等效折射率与多孔硅孔隙率、氧化度和嵌入率的关系.实验研究了嵌入PMMA材料的氧化多孔硅/聚合物膜的等效折射率.证实了在多孔硅中嵌入聚合物可使薄膜的光学参量保持稳定.

关键词 氧化多孔硅 聚合物 复合膜 折射率

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多孔硅波导透镜的实验研究(英文)

7

作者 贾振红 《新疆大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第4期371-373,共3页

给出了利用选择性的电化学腐蚀过程制备氧化多孔硅光波导棱镜的方法,分别制备出基于多孔硅的汇聚和发散透镜.这类波导棱镜可以明显地汇聚和发散波导中传输的偏振光束.

关键词 多孔硅波导透镜 电化学腐蚀 光波导棱镜 汇聚透镜 发散透镜 偏振光 光学实验

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用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜 被引量：5

8

作者 龙永福 朱自强 +2 位作者 赖宗声 忻佩胜 石艳玲 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期609-613,共5页

提出在单片微波集成电路 (MMIC)中用多孔硅 /氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜 .研究了厚度为 70μm的多孔硅 /氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成 ,这层厚膜增加了衬底的电阻率 ,减少了微波的有效介质损耗 .通过测量在低... 提出在单片微波集成电路 (MMIC)中用多孔硅 /氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜 .研究了厚度为 70μm的多孔硅 /氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成 ,这层厚膜增加了衬底的电阻率 ,减少了微波的有效介质损耗 .通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性 ,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线 (CPW) 展开更多

关键词 集成电路 微波/射频 多孔硅/氧化多孔硅 介质膜 损耗

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用于RF无源器件的氧化多孔硅隔离层技术

9

作者 陈忠民 刘泽文 刘理天 《清华大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期561-564,共4页

为了提高片上射频(RF)无源器件的性能,可以利用氧化多孔硅厚膜隔离硅衬底来降低硅衬底的高频损耗。通过采用SerenadeSV建模对共面波导传输性能的分析,计算了不同厚度的氧化多孔硅隔离层硅衬底的损耗。结果表明氧化多孔硅(OPS)隔离层能... 为了提高片上射频(RF)无源器件的性能,可以利用氧化多孔硅厚膜隔离硅衬底来降低硅衬底的高频损耗。通过采用SerenadeSV建模对共面波导传输性能的分析,计算了不同厚度的氧化多孔硅隔离层硅衬底的损耗。结果表明氧化多孔硅(OPS)隔离层能够极大地降低硅衬底在高频条件下的损耗。实验制备过程中采用电化学阳极氧化法在n+衬底上制备了多孔硅厚膜,继而将孔隙度大于56%的多孔硅样品利用两步氧化法氧化为氧化多孔硅厚膜,有效地解决制备过程中的隆起失效和崩裂失效问题。测量了多孔硅的生长速率和氧化多孔硅的表面形貌。制作了一个氧化多孔硅隔离层上的5nH的Cu平面电感,在2.4GHz时电感的品质因数(Q值)超过了6。 展开更多

关键词 氧化多孔硅技术 电感 多孔硅 射频器件 损耗

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氧化多孔硅上制作Cu电感的研究 被引量：1

10

作者 陈忠民 刘泽文 +1 位作者 刘理天 李志坚 《微细加工技术》 2004年第4期50-55,共6页

给出了一种厚膜氧化多孔硅(OPS)层上制作Cu电感的新型工艺技术。由于OPS是一种低损耗的材料,铜的电阻率很低,采用OPS隔离硅衬底和Cu线圈能够降低电感的寄生损耗,提高电感Q值。实验过程中将孔隙度>56%的多孔硅厚膜利用两步氧化法氧化... 给出了一种厚膜氧化多孔硅(OPS)层上制作Cu电感的新型工艺技术。由于OPS是一种低损耗的材料,铜的电阻率很低,采用OPS隔离硅衬底和Cu线圈能够降低电感的寄生损耗,提高电感Q值。实验过程中将孔隙度>56%的多孔硅厚膜利用两步氧化法氧化为OPS厚膜,通过种子层溅射/光刻/电镀Cu/刻蚀种子层的方法完成了Cu线圈的电镀。获得了1nH的电感,其Q值在10GHz的频率下达到了9,电感的自谐振频率超过20GHz。 展开更多

关键词 氧化多孔硅 电镀 电感 射频

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基于微拉曼光谱技术的氧化介孔硅热导率研究 被引量：7

11

作者 房振乾 胡明 +1 位作者 张伟 张绪瑞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期103-110,共8页

利用基于有效介质理论的介孔硅传热机理,提出一个用于分析氧化介孔硅热导率的理论模型,对影响氧化介孔硅有效热导率的因素进行了理论分析,得出用于计算氧化介孔硅有效热导率的计算公式.采用双槽电化学腐蚀法制备介孔硅,利用微拉曼光谱... 利用基于有效介质理论的介孔硅传热机理,提出一个用于分析氧化介孔硅热导率的理论模型,对影响氧化介孔硅有效热导率的因素进行了理论分析,得出用于计算氧化介孔硅有效热导率的计算公式.采用双槽电化学腐蚀法制备介孔硅,利用微拉曼光谱技术研究了氧化介孔硅热导率随所制备介孔硅孔隙率的变化规律,比较了经不同温度处理的氧化介孔硅的导热性能差异.孔隙率为60%,73.4%和78.8%的所制备介孔硅经300℃氧化处理后,其热导率值为8.625W/(m.K),3.846W/(m.K)和1.817W/(m.K);孔隙率为73.4%的所制备介孔硅经450℃,600℃氧化处理后,其热导率值为2.466W/(m.K)和2.100W/(m.K).由计算氧化介孔硅有效热导率的计算公式得出的相应氧化介孔硅的有效热导率理论值分别为4.549W/(m.K),2.432W/(m.K),1.792W/(m.K),2.105W/(m.K)和2.096W/(m.K).研究分析表明理论计算与所获得的试验数据相一致.氧化介孔硅极低的热导率以及良好的机械性能使其作为一种良好的热绝缘材料有望广泛应用于热效应微系统中. 展开更多

关键词 理论模型 氧化介孔硅 微拉曼光谱 有效热导率

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