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题名静电对GaN基高压LED特性的影响
被引量：2
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作者
韩禹
郭伟玲
樊星
俞鑫
白俊雪
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机构
北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室
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出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期43-48,共6页
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基金
国家科技支撑计划(No.2011BAE01B14)
国家自然科学基金(No.61107026)资助
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文摘
对GaN基绿光高压LED分别施加-500、-1 000、-2 000、-3 000、-4 000、-5 000和-6 000V的反向人体模式静电打击,每次静电打击后,测量样品的I-V特性曲线及光通量等参量,研究静电打击对GaN基高压LED器件性能的影响.结果表明:当样品经过-500,-1 000、-2 000、-3 000和-4 000V的静电打击后,由于LED器件内部产生了缺陷,发生了软击穿并且反向漏电流明显增加,但光通量的变化不明显;当经过-5 000V和-6 000V的静电打击后,由于发生了热模式击穿,温度迅速升高,在结区形成熔融通道,使LED的光通量明显减小,甚至衰减到未打击时的一半;在经受-6 000V的静电打击后,正向电压的减小和反向漏电流的增加更加明显,漏电现象更加明显,严重影响了器件的性能,最终使LED样品失效.
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关键词
GAN
高压LED
静电放电
失效机理
光电特性
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Keywords
GaN
High-voltage LED
Electrostatic discharge
Degradation mechanism
optical andelectrical characteristics
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分类号
TN873.91
[电子电信—信息与通信工程]
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