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晶界结构及其对力学性质的影响(Ⅱ) 被引量:8
1
作者 吴希俊 《力学进展》 EI CSCD 北大核心 1990年第2期159-173,共15页
3 晶界结构对力学性质的影响 晶界是固体材料中的一种面缺陷.由于晶界和位错以及其他缺陷和杂质之间的相互作用,
关键词 晶界结构 金属 力学性质
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A systematic analysis of good matching sites between two lattices 被引量:1
2
作者 YANG XiaoPeng ZHANG WenZheng 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2012年第5期1343-1352,共10页
The geometrical matching/mismatching of lattices overlapped in 1, 2 and 3 dimensions have been analyzed systematically by variation of lattice misfit in a large range, far beyond the limits for semicoherent interfaces... The geometrical matching/mismatching of lattices overlapped in 1, 2 and 3 dimensions have been analyzed systematically by variation of lattice misfit in a large range, far beyond the limits for semicoherent interfaces. In order to evaluate the degree of matching, the density of good matching site (GMS) between two lattices is calculated. The analysis shows that the GMS density remains approximately constant, irrespectively to the degree of lattice misfit. This constant, defined as the average GMS density, decreases exponentially with the increasing dimension of misfit. Typically, for 6 = 15%, the average GMS densities are approximately 30%, 7%, and 1.4% for 1D, 2D, and 3D lattice misfits, respectively. The GMS density deviates significantly if a CSL of small X can be defined. The relationship between the GMS distribution and O-lattice is investigated. It indicates that an abrupt increase in the GMS density in an interface parallel to a principal O-lattice plane is equivalent to a reduction of dimension of misfit. This shows the agreement between the selections of principal O-lattice planes as candidates of the preferred interfaces and the condition that interfaces with high GMS density are preferred. 展开更多
关键词 good matching sites (GMS) o-lattice near-coincidence sites (NCS) structure ledge coincidence site lattice (CSL)
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利用O点阵模型对键合界面位错特性的分析
3
作者 周震 黄永清 任晓敏 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期147-150,154,共5页
利用O点阵理论建立了键合界面的位错模型,并利用该模型讨论了键合界面由于晶格失配、晶向扭转和晶面倾斜所形成位错的特性,得到了和实验结果符合良好的计算结果。
关键词 键合 位错 o点阵
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晶界结构及其对力学性质的影响(Ⅰ) 被引量:14
4
作者 吴希俊 《力学进展》 EI CSCD 北大核心 1989年第4期433-441,共9页
许多实验结果表明晶界对多晶材料的力学性能产生很大影响.本文简要总结了研究晶界结构及其对多晶材料力学性能的影响方面的理论和实验工作.第一部分介绍了描述晶界结构的各种模型,包括小角晶界位错模型,大角晶界重合点阵模型、O点阵模... 许多实验结果表明晶界对多晶材料的力学性能产生很大影响.本文简要总结了研究晶界结构及其对多晶材料力学性能的影响方面的理论和实验工作.第一部分介绍了描述晶界结构的各种模型,包括小角晶界位错模型,大角晶界重合点阵模型、O点阵模型和位移移动重位点阵理论,还讨论了晶界原子和电子结构,以及晶界结合力和晶界能.第二部分总结了晶界结构对力学性能的影响,包括强度,断裂韧度,蠕变,疲劳,沿晶断裂(应力腐蚀开裂,氢脆,液态金属腐蚀等).文中还介绍了最近发展起来的利用控制晶界结构改进多晶材料力学性能方面的新成果,晶界设计和毫微晶材料. 展开更多
关键词 晶界 晶界结构 力学 性质 多晶材料
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O点阵模型及其在界面位错计算中的应用 被引量:5
5
作者 张文征 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期785-794,共10页
介绍了描述O点阵特征的基本参量:主O点阵基矢、主O点阵面和O胞壁的定义和计算公式.提供了一般界面上周期位错结构的矩阵方法和计算特殊界面位错结构的简易矢量方法.还分析了O点阵描述界面位错的条件和局限,讨论了一般界面和大错配界面... 介绍了描述O点阵特征的基本参量:主O点阵基矢、主O点阵面和O胞壁的定义和计算公式.提供了一般界面上周期位错结构的矩阵方法和计算特殊界面位错结构的简易矢量方法.还分析了O点阵描述界面位错的条件和局限,讨论了一般界面和大错配界面上位错结构的计算. 展开更多
关键词 界面位错结构 o点阵同模型 惯习面 多晶
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钢中fcc/bcc(bct)马氏体形核与长大的一种晶体学模型 被引量:1
6
作者 杨金波 杨志刚 +4 位作者 邱冬 张文征 张弛 白秉哲 方鸿生 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期225-230,共6页
将不变线理论和O点阵理论应用于fcc/bcc(bct)马氏体相变的可滑移生长界面的设计,建立了马氏体形核与长大的 晶体学模型.通过模型分析表明: fcc/bcc(bct)马氏体形核与长大过程是通过(121)fcc型择优界面推移进行的,界面上的错配 位错可... 将不变线理论和O点阵理论应用于fcc/bcc(bct)马氏体相变的可滑移生长界面的设计,建立了马氏体形核与长大的 晶体学模型.通过模型分析表明: fcc/bcc(bct)马氏体形核与长大过程是通过(121)fcc型择优界面推移进行的,界面上的错配 位错可以完成马氏体晶体学唯象理论(PTMC)要求的点阵不变变形(LID),但LID要稍滞后于界面迁移,即在马氏体形核与长 大过程中推移界面新相一侧存在一未发生LID的新相薄区;当相变温度达到马氏体相变点Ms时,母相奥氏体与这一薄区的晶格 常数比为3/2^(1/2),这一几何条件和Olson-Cohen形核模型中要求扩展位错层错区界面能γ≤0是等价的. 展开更多
关键词 马氏体 马氏体晶体学唯象(PTMC)理论 不变线 o点阵理论 形核与长大
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水热合成法制备Y_2O_3纳米管及其电化学分析
7
作者 张林 《青岛科技大学学报(自然科学版)》 CAS 2010年第5期445-449,共5页
采用水热合成工艺分别用氧化铝模板和无模板控制的方法合成了Y2O3纳米管,运用AFM、XRD、SEM研究了Y2O3纳米管的形貌特征,通过循环伏安法表征了Y2O3纳米管对电极电流的增强效果。结果表明:在130℃所制得的Y(OH)3结晶度最好,最有利于Y2O3... 采用水热合成工艺分别用氧化铝模板和无模板控制的方法合成了Y2O3纳米管,运用AFM、XRD、SEM研究了Y2O3纳米管的形貌特征,通过循环伏安法表征了Y2O3纳米管对电极电流的增强效果。结果表明:在130℃所制得的Y(OH)3结晶度最好,最有利于Y2O3纳米管的生长;通过循环伏安法测试表明Y2O3纳米管对电极电流的增强效果明显且纳米管阵列的增强效果较杂乱无序的纳米管要好。 展开更多
关键词 纳米管 水热合成 氧化铝模板 Y2o3阵列
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Ti(AlMn)金属间化合物中的α_2-γ相界面的缺陷
8
作者 贺连龙 叶恒强 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 1995年第5期385-390,共6页
在Ti(AlMn)中有两种不同层次的层状结构[10].HREM观察分析表明在这两种不同层次的层状结构中α2-γ相界面互不相同.粗层次中的α2-γ相界面具有台阶特征并可以用O点阵理论来解释.在细层次中的α2,γ片层具有... 在Ti(AlMn)中有两种不同层次的层状结构[10].HREM观察分析表明在这两种不同层次的层状结构中α2-γ相界面互不相同.粗层次中的α2-γ相界面具有台阶特征并可以用O点阵理论来解释.在细层次中的α2,γ片层具有一定的弹性形变,因而α2-γ仅有少量的台阶位错.另外,在细层次的α2-γ-α2复合界面上,还发现层错桥连两个台阶位错的复合缺陷结构. 展开更多
关键词 金属间化合物 α2-γ相界面 铝化钛 缺陷
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共晶磷对石膏性能的影响及其作用机理 被引量:20
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作者 李美 彭家惠 +2 位作者 张欢 张建新 刘先锋 《四川大学学报(工程科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期200-204,共5页
共晶磷是磷石膏中仅次于可溶磷的有害杂质,影响了磷石膏的应用性能。采用分析纯模拟共晶磷的生成条件制取共晶磷含量较高的石膏样品,经煅烧成半水石膏后加入到天然建筑石膏中,进行物理力学性能试验,并利用扫描电镜、原子吸收光谱、红外... 共晶磷是磷石膏中仅次于可溶磷的有害杂质,影响了磷石膏的应用性能。采用分析纯模拟共晶磷的生成条件制取共晶磷含量较高的石膏样品,经煅烧成半水石膏后加入到天然建筑石膏中,进行物理力学性能试验,并利用扫描电镜、原子吸收光谱、红外吸收光谱结合化学分析的手段,研究了共晶磷对石膏性能的影响及其作用机理。结果表明:共晶磷明显降低了建筑石膏的水化率,使二水石膏析晶过饱和度降低,晶体粗化,结构疏松,硬化体强度降低。在二水石膏煅烧成半水石膏的过程中共晶磷并没有发生变化,仍存在于石膏晶格中;在建筑石膏水化过程中,共晶磷从晶格中溶出,变成可溶性磷HPO42-溶解在浆体中,HPO42-电离出H+和PO43-,其中PO43-又迅速与溶液中大量存在的Ca2+结合,转变为难溶性Ca3(PO4)2覆盖在晶体表面,阻碍了石膏的进一步水化,从而导致硬化体强度降低,而富余的H+则导致了浆体pH值的降低。 展开更多
关键词 磷石膏 共晶磷 性能 机理
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焙烧温度对Mg-Zn复合氧化物催化剂结构与催化性能的影响
10
作者 冯娟 谢毅鹏 +4 位作者 石剑 周永生 黄泽恩 曾桂凤 王车礼 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期167-171,176,共6页
采用共沉淀法制备Mg-Zn复合氧化物催化剂,着重考察了焙烧温度对催化剂结构和催化性能的影响,并将其用于催化大豆油甘油解合成单甘酯(MAG)。利用XRD、BET、SEM和HRTEM等分析手段对Mg-Zn复合氧化物催化剂进行表征。不同焙烧温度下,Mg-Zn... 采用共沉淀法制备Mg-Zn复合氧化物催化剂,着重考察了焙烧温度对催化剂结构和催化性能的影响,并将其用于催化大豆油甘油解合成单甘酯(MAG)。利用XRD、BET、SEM和HRTEM等分析手段对Mg-Zn复合氧化物催化剂进行表征。不同焙烧温度下,Mg-Zn复合氧化物催化剂碱强度H_在15. 0~17. 2范围时,催化剂MZ800碱量最大,碱强度是影响催化剂活性的主要因素。由HRTEM分析发现,800℃时催化剂出现六边形结构,这是由于Zn-Mg-O晶格的生成。且Mg-Zn复合氧化物催化剂中Zn O(101)处晶面间距(0. 024 2 nm)略小于标准卡片六方晶相Zn O(101)晶面间距(0. 248 nm)。结果表明,适宜的焙烧温度为800℃,此时大豆油转化率为96. 5%,MAG收率为53. 4%。 展开更多
关键词 Mg-Zn复合氧化物 催化剂制备 焙烧温度 单甘酯 Zn-Mg-o晶格
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