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低误差开关电流存储单元 被引量：1
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作者 房体友 何怡刚 赵文山 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期269-273,共5页
详细分析了限制开关电流(SI)精度的主要误差,在共源-共栅组态存储单元的基础上,根据在开关晶体管关断前消除反型层可以改善电荷注入误差的原理,提出一种新型低误差开关电流存储单元。其主要思想是通过消除开关晶体管沟道内的可动电荷、... 详细分析了限制开关电流(SI)精度的主要误差,在共源-共栅组态存储单元的基础上,根据在开关晶体管关断前消除反型层可以改善电荷注入误差的原理,提出一种新型低误差开关电流存储单元。其主要思想是通过消除开关晶体管沟道内的可动电荷、降低存储单元的输出电导,以改善电荷注入误差和电导比误差。采用TSMC 0.25μm CMOS模型参数进行HSPICE仿真,结果表明,该结构能够很好地降低电路误差,提高开关电流电路的精度。 展开更多
关键词 开关电流 存储单元 共源-共栅 反型层 电导比误差
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