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Ni-5%W合金基带的电化学抛光 被引量:3
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作者 朱海 吴向阳 +2 位作者 彭东辉 韩婕 徐静安 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2014年第7期16-19,共4页
为改善Ni-5%W合金基带表面质量,以磷酸-硫酸和添加剂为电解液,采用均匀实验设计方法进行电解抛光,利用原子力显微镜对样品表面形貌进行表征,并用DPS(Data Process System)软件对抛光结果进行逐步回归优化。结果表明,在室温下,采用磷酸(8... 为改善Ni-5%W合金基带表面质量,以磷酸-硫酸和添加剂为电解液,采用均匀实验设计方法进行电解抛光,利用原子力显微镜对样品表面形貌进行表征,并用DPS(Data Process System)软件对抛光结果进行逐步回归优化。结果表明,在室温下,采用磷酸(85%)、硫酸(98%)和有机添加剂,以体积比为4∶3∶3的抛光液抛光效果较好,抛光后基带表面均方根粗糙度在25μm×25μm范围内可降低到5nm以下。 展开更多
关键词 涂层导体 ni-5%w合金基带 电化学抛光 均匀设计
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脉冲参数对NiW基带表面电化学抛光质量的影响
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作者 李曼 蒲明华 宋铭洋 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期115-119,共5页
目的研究提高Ni W合金基带表面质量的脉冲电化学最佳抛光工艺。方法以磷酸为主要抛光酸剂,以甘油为缓冲剂配置抛光液,采用脉冲电化学抛光技术,研究电流密度、脉冲频率、脉冲占空比对Ni W基带的表面抛光效果的影响。通过扫描电镜和原子... 目的研究提高Ni W合金基带表面质量的脉冲电化学最佳抛光工艺。方法以磷酸为主要抛光酸剂,以甘油为缓冲剂配置抛光液,采用脉冲电化学抛光技术,研究电流密度、脉冲频率、脉冲占空比对Ni W基带的表面抛光效果的影响。通过扫描电镜和原子力显微镜对抛光后的基带表面微观形貌进行表征,获得最佳脉冲电化学抛光工艺。结果最佳工艺为:平均电流密度25 A/dm2,脉冲频率毫秒级(1000Hz以上),脉冲占空比1∶4,抛光时间10 min。扫描电镜结果表明,抛光后的基带表面平整致密,轧制和热处理产生的条纹、晶界等缺陷都被消除,在此抛光工艺下,可以有效降低Ni W基带表面粗糙度,提高基带表面质量。原子力显微镜测试4μm×4μm范围内的表面平均粗糙度为几个纳米,表明抛光基带表面非常平滑,达到镜面效果。结论最佳抛光工艺下,可以显著改善Ni W基带的表面质量,获得好的基带表面状态,满足涂层导体对金属基带材料表面质量的要求。 展开更多
关键词 涂层导体 ni-5%w基带 脉冲电流 电化学抛光 磷酸 平均粗糙度
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熔炼路线制备Ni5W合金基带立方织构形成过程的研究 被引量:1
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作者 王营霞 索红莉 +3 位作者 马麟 田辉 袁冬梅 王金华 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1611-1616,共6页
制备具有高强度、低磁性的双轴织构金属基带是获得高性能涂层超导体的基础。目前,传统的Ni5at%W(Ni5W)合金基带已经可以工业化生产,但其立方织构的形成机理尚不明确。以真空熔炼方法制备的大形变量(约99%)冷轧Ni5W合金基带作为研究对象... 制备具有高强度、低磁性的双轴织构金属基带是获得高性能涂层超导体的基础。目前,传统的Ni5at%W(Ni5W)合金基带已经可以工业化生产,但其立方织构的形成机理尚不明确。以真空熔炼方法制备的大形变量(约99%)冷轧Ni5W合金基带作为研究对象,采用EBSD技术进行表征,系统的研究了其形变织构的演变、再结晶形核和晶粒长大等过程。研究发现,Ni5W合金基带的形变织构为典型的铜型轧制织构;在再结晶初期阶段,立方取向晶粒优先在靠近基带表层的区域形核,且具有一定的尺寸优势,其形核在厚度方向上表现出梯度分布的特点;在完全再结晶阶段,立方取向的晶粒通过"尺寸优势"和"取向长大优势"逐渐吞并其它取向的晶粒,形成强的立方织构。 展开更多
关键词 ni5w合金基带 再结晶织构 形核 长大
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涂层导体用Ni4WV合金基带的成分与织构研究
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作者 宋宇 王轶农 《稀有金属与硬质合金》 CSCD 北大核心 2017年第6期31-34,37,共5页
通过真空感应熔炼出Ni4WxV(x=2,4,6)合金,采用轧制辅助双轴织构基带技术制备出厚度200μm的合金基带。测量合金基带的磁性能和屈服强度;采用X射线衍射技术(XRD)及电子背散射衍射技术(EBSD)分析比较不同成分合金基带的冷轧织构和再结晶织... 通过真空感应熔炼出Ni4WxV(x=2,4,6)合金,采用轧制辅助双轴织构基带技术制备出厚度200μm的合金基带。测量合金基带的磁性能和屈服强度;采用X射线衍射技术(XRD)及电子背散射衍射技术(EBSD)分析比较不同成分合金基带的冷轧织构和再结晶织构,并与Ni5W合金基带进行比较,得出综合性能更优的成分。结果表明,Ni4W2V合金基带综合性能最佳,其屈服强度为150.7 MPa,与Ni5W合金基带相当;常温下饱和磁化强度为Ni5W合金基带的55%,立方织构含量为56%(<30°),极具研究前景。 展开更多
关键词 ni4wV合金基带 涂层导体 ni5w合金基带 立方织构 磁性能 屈服强度
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Ni5W合金基带的热处理工艺
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作者 王雪 李成山 +2 位作者 于泽铭 郑会玲 樊占国 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期53-57,共5页
为了制备能够满足YBCO涂层导体所需的高强、低磁性基带,采用轧制辅助双轴织构技术(RABiTS)制备Ni-5at%W(Ni5W)合金基带,在不同温度及热处理制度下进行再结晶热处理。采用背散射电子衍射技术对基带织构情况进行研究,结果表明,Ni5W合金基... 为了制备能够满足YBCO涂层导体所需的高强、低磁性基带,采用轧制辅助双轴织构技术(RABiTS)制备Ni-5at%W(Ni5W)合金基带,在不同温度及热处理制度下进行再结晶热处理。采用背散射电子衍射技术对基带织构情况进行研究,结果表明,Ni5W合金基带的初始再结晶温度为700℃,随退火温度升高,轧制织构不断向立方织构转变,在1200℃时立方织构百分含量接近100%。采用700℃预退火30 min后在进行1200℃退火1 h后,基带立方织构含量仍然很高,并且比一步退火法获得的立方织构更为锐利。 展开更多
关键词 ni5w合金基带 热处理 再结晶 织构
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加工率对Ni5W合金基带立方织构的影响
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作者 王雪 李成山 +2 位作者 于泽铭 郑会玲 樊占国 《材料导报》 CSCD 北大核心 2014年第8期105-108,共4页
以镍粉和钨粉为起始原料,采用粉末冶金的方法形成Ni5W预合金锭,采用真空电弧炉去除杂质,实现均匀化。结合热轧、冷轧和再结晶热处理等工艺制备了厚度为80μm的Ni5W合金基带。讨论了道次加工率、总加工率对Ni5W合金基带轧制织构演变的影... 以镍粉和钨粉为起始原料,采用粉末冶金的方法形成Ni5W预合金锭,采用真空电弧炉去除杂质,实现均匀化。结合热轧、冷轧和再结晶热处理等工艺制备了厚度为80μm的Ni5W合金基带。讨论了道次加工率、总加工率对Ni5W合金基带轧制织构演变的影响。结果表明,较小的道次加工率和较大的总加工率有利于基带再结晶热处理后立方织构百分含量的提高,道次加工率对立方织构质量的影响小于总加工率。以5%的道次加工率和98%的总加工率进行冷轧后,获得了具有较高含量的S型织构和Copper型织构的基带。 展开更多
关键词 热处理 ni5w合金基带 立方织构 冷轧
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再结晶退火工艺对Ni-5at%W基带立方织构形成的影响
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作者 张永军 张平祥 +4 位作者 李成山 郑会玲 于泽铭 卢亚锋 陈绍楷 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期705-708,共4页
采用粉末冶金与中频感应炉重熔相结合的方法制备Ni-5at%W合金锭,经旋锻和拉拔成为丝材,再冷轧为70μm厚带材。随后,在800~1300℃区间进行0~3h再结晶退火处理。采用X射线衍射和电子背散射衍射对基带织构进行评估,同时也对基带硬... 采用粉末冶金与中频感应炉重熔相结合的方法制备Ni-5at%W合金锭,经旋锻和拉拔成为丝材,再冷轧为70μm厚带材。随后,在800~1300℃区间进行0~3h再结晶退火处理。采用X射线衍射和电子背散射衍射对基带织构进行评估,同时也对基带硬度进行了表征。实验发现,Ni-5at%W合金基带几乎在800℃就已完成初始再结晶过程;在980℃退火时,立方织构体积分数随时间的延长(1-3h)没有发生明显变化;在1100,1300℃退火后形成了锐利的立方织构,偏离{001}〈100〉8°范围内的晶粒表面积占总晶粒表面积的分数分别为93%,99.8%。在1300℃以下温区退火时,基带组织均匀,没有出现晶粒异常长大现象,立方织构具有良好的高温稳定性。当退火温度达1400℃时,出现晶粒异常长大现象并伴有其它织构成分出现。 展开更多
关键词 ni-5at%w合金基带 再结晶 立方织构
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再结晶退火工艺对Ni-5at%W基带立方织构形成的影响
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作者 张永军 张平祥 +4 位作者 李成山 郑会玲 于泽铭 卢亚锋 陈绍楷 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A04期572-575,共4页
采用粉末冶金法与中频感应炉重熔相结合的方法制备Ni-5at%W合金锭,经旋锻和拉拔成棒材,再冷轧成70μm厚带材。随后,在800~1300℃区间进行0~3h再结晶退火处理。采用X射线衍射和电子背散射衍射对基带织构进行评估,同时也对基带硬度进行... 采用粉末冶金法与中频感应炉重熔相结合的方法制备Ni-5at%W合金锭,经旋锻和拉拔成棒材,再冷轧成70μm厚带材。随后,在800~1300℃区间进行0~3h再结晶退火处理。采用X射线衍射和电子背散射衍射对基带织构进行评估,同时也对基带硬度进行了表征。实验发现,Ni-5at%W合金基带几乎在800℃就已完成初始再结晶过程;在980℃退火时,立方织构体积分数随时间的延长(1~3h)没有发生明显变化;在1100,1300℃退火后形成了锐利的立方织构,偏离{001}<100>8o范围内的晶粒占总晶粒表面积分数分别为93%,99.8%。在1300℃以下温区退火时,基带组织均匀,没有出现晶粒异常长大现象,立方织构具有良好的高温稳定性。当退火温度达1400℃,出现晶粒异常长大现象并伴有其它织构成分出现。 展开更多
关键词 ni-5at%w合金基带 再结晶 立方织构
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涂层导体用Ni-5at%W合金基带再结晶织构研究
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作者 张永军 张平祥 +4 位作者 李成山 郑会玲 于泽铭 杜明焕 陈绍楷 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A04期157-160,共4页
采用粉末冶金和中频感应炉重熔相结合的方法制备Ni-5at%W合金,经旋锻、拉拔和大变形量冷轧为70μm厚合金基带。轧制基带织构呈现典型的铜式织构特征。采用电子背散射衍射技术研究不同退火工艺的再结晶织构。结果发现,经大变形量冷轧后,... 采用粉末冶金和中频感应炉重熔相结合的方法制备Ni-5at%W合金,经旋锻、拉拔和大变形量冷轧为70μm厚合金基带。轧制基带织构呈现典型的铜式织构特征。采用电子背散射衍射技术研究不同退火工艺的再结晶织构。结果发现,经大变形量冷轧后,通过优化两步退火工艺可获得锐利的立方织构;加热速度对冷变形金属的再结晶织构具有很大的影响,慢速加热具有增强立方织构的作用,快速加热则相反。实验结果可为再结晶工艺参数的优化提供依据。 展开更多
关键词 ni-5at%w合金基带 升温速度 两步退火工艺 再结晶 立方织构
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