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电子辐照高阻NTD FZ Si中缺陷态的退火特性
被引量：
2
1
作者
董友梅
戴培英
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期200-206,共7页
报导了电子辐照高阻NTD－FZ－Si中缺陷态的退火特性。分别采用真空和N2气保护下进行等时、等温退火，测量了它们的DLTS港和相应的少数载流子寿命，对两种退火气氛的实验结果进行了分析讨论。
关键词
电子辐照
DLTS
退火
少数载流子寿命
硅
缺陷
下载PDF
职称材料
题名
电子辐照高阻NTD FZ Si中缺陷态的退火特性
被引量：
2
1
作者
董友梅
戴培英
机构
郑州大学图书馆
郑州大学物理系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期200-206,共7页
基金
河南省自然科学基金
文摘
报导了电子辐照高阻NTD－FZ－Si中缺陷态的退火特性。分别采用真空和N2气保护下进行等时、等温退火，测量了它们的DLTS港和相应的少数载流子寿命，对两种退火气氛的实验结果进行了分析讨论。
关键词
电子辐照
DLTS
退火
少数载流子寿命
硅
缺陷
Keywords
Electro
n
Irradiatio
n
^
ntd
-
fz
-
si
-
p
^%
p
LUS%
n
DLTS
Isochro
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A
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n
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Lifetime
of
Mi
n
ority
Carrier
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
O474 [理学—半导体物理]
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职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子辐照高阻NTD FZ Si中缺陷态的退火特性
董友梅
戴培英
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998
2
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职称材料
已选择
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参考文献
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