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NMOS管交叉耦合的能量回收电路设计
1
作者
师建英
许衍彬
+1 位作者
刘磊
门晋喜
《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2016年第3期327-331,共5页
对NMOS(N-metal oxide semiconductor)管交叉耦合逻辑(NMOS-transistor cross coupling logic,NCCL)的能量回收电路进行了研究,PMOS(P-metal oxide semiconductor)管作为输入管来降低纳米CMOS工艺中栅氧化层上的漏电流以减小功耗;在此...
对NMOS(N-metal oxide semiconductor)管交叉耦合逻辑(NMOS-transistor cross coupling logic,NCCL)的能量回收电路进行了研究,PMOS(P-metal oxide semiconductor)管作为输入管来降低纳米CMOS工艺中栅氧化层上的漏电流以减小功耗;在此基础上实现了绝热JK触发器电路.在90nm CMOS BSIM3工艺模型下,用HSPICE对NCCL反相器及其JK触发器进行了模拟分析,结果表明NCCL反相器的工作频率可达到1GHz;与ECRL(efficient charge recovery logic)反相器相比,当负载电容、时钟频率和电源电压中某一参数变化时,NCCL的功耗都出现不同程度的降低;在相同的工作条件下NCCL JK触发器的功耗约为ECRL的50%.
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关键词
NMOS管交叉耦合
nccl
nccl
jk
触发器
低功耗
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职称材料
题名
NMOS管交叉耦合的能量回收电路设计
1
作者
师建英
许衍彬
刘磊
门晋喜
机构
河北大学电子信息工程学院
河北科技学院机电系
[
出处
《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2016年第3期327-331,共5页
基金
国家杰出青年基金资助项目(61204079)
河北省自然科学基金资助项目(F2013201196)
+1 种基金
保定市科学技术研究与发展指导计划项目(14GZ036)
河北省科技计划自筹经费项目(15210409)
文摘
对NMOS(N-metal oxide semiconductor)管交叉耦合逻辑(NMOS-transistor cross coupling logic,NCCL)的能量回收电路进行了研究,PMOS(P-metal oxide semiconductor)管作为输入管来降低纳米CMOS工艺中栅氧化层上的漏电流以减小功耗;在此基础上实现了绝热JK触发器电路.在90nm CMOS BSIM3工艺模型下,用HSPICE对NCCL反相器及其JK触发器进行了模拟分析,结果表明NCCL反相器的工作频率可达到1GHz;与ECRL(efficient charge recovery logic)反相器相比,当负载电容、时钟频率和电源电压中某一参数变化时,NCCL的功耗都出现不同程度的降低;在相同的工作条件下NCCL JK触发器的功耗约为ECRL的50%.
关键词
NMOS管交叉耦合
nccl
nccl
jk
触发器
低功耗
Keywords
NMOS
transistor
cross
coupling
nccl
nccl
jk
flip
-
flop
low
power
consumption
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
NMOS管交叉耦合的能量回收电路设计
师建英
许衍彬
刘磊
门晋喜
《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2016
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职称材料
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