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非直流电压对N^＊-SmC^＊相序铁电液晶排列的影响
被引量：
1
1
作者
季新建
李静
+2 位作者
邹忠飞
唐先柱
宣丽
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期271-275,共5页
半"V"字形铁电液晶器件中使用N*-SmC*相序的铁电液晶材料,获得此种器件单畴排列的常用方法是在N*-SmC*相变过程中施加直流电压,但是这种方法引入了损害器件性能的剩余电荷。通过研究在相变过程中施加各种非直流电压对液晶排...
半"V"字形铁电液晶器件中使用N*-SmC*相序的铁电液晶材料,获得此种器件单畴排列的常用方法是在N*-SmC*相变过程中施加直流电压,但是这种方法引入了损害器件性能的剩余电荷。通过研究在相变过程中施加各种非直流电压对液晶排列织构的影响,发现直流电压不是得到N*-SmC*相序的铁电液晶均一排列的必要条件,通过选择双极性电压为V1=7V/μm,V2=-3V/μm,一个脉冲周期20ms内施加双极性电场时间比为D1/D2=3/7,不仅获得了电光特性曲线不存在迟滞回线的均一层排列器件,同时也解决了剩余电荷对器件的影响。
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关键词
铁电液晶
半“V”字形
^
^
n
^＊-
smc
^＊相变
剩余电荷
下载PDF
职称材料
题名
非直流电压对N^＊-SmC^＊相序铁电液晶排列的影响
被引量：
1
1
作者
季新建
李静
邹忠飞
唐先柱
宣丽
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室
中华人民共和国国家知识产权局
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期271-275,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(No60578035,50703039)
吉林省自然科学基金资助项目(No20050520,20050321-2)
国家重点基金(No60736042)
文摘
半"V"字形铁电液晶器件中使用N*-SmC*相序的铁电液晶材料,获得此种器件单畴排列的常用方法是在N*-SmC*相变过程中施加直流电压,但是这种方法引入了损害器件性能的剩余电荷。通过研究在相变过程中施加各种非直流电压对液晶排列织构的影响,发现直流电压不是得到N*-SmC*相序的铁电液晶均一排列的必要条件,通过选择双极性电压为V1=7V/μm,V2=-3V/μm,一个脉冲周期20ms内施加双极性电场时间比为D1/D2=3/7,不仅获得了电光特性曲线不存在迟滞回线的均一层排列器件,同时也解决了剩余电荷对器件的影响。
关键词
铁电液晶
半“V”字形
^
^
n
^＊-
smc
^＊相变
剩余电荷
Keywords
ferroelectric
liquid
crystal
half-＂V＂-shaped
switchi
n
g
^
^
n
^＊
-
smc
^＊
phase
transition
residual
charge
分类号
TN104.3 [电子电信—物理电子学]
O753.2 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非直流电压对N^＊-SmC^＊相序铁电液晶排列的影响
季新建
李静
邹忠飞
唐先柱
宣丽
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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职称材料
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